절연 게이트 양극성 트랜지스터

    公开(公告)号:KR101748141B1

    公开(公告)日:2017-06-19

    申请号:KR1020150023986

    申请日:2015-02-17

    Inventor: 이명진

    Abstract: 본발명은전력반도체소자에있어서, 이미터전극과컬렉터전극사이에인슐레이터가형성된구조를갖는다. 본발명에따르면, 드리프트영역에형성된인슐레이터가전기장의균일도를향상시킴으로써전압안정성과열적내성이향상되는이점이있다.

    신뢰성 향상의 양방향 DC 차단기

    公开(公告)号:KR101845826B1

    公开(公告)日:2018-04-09

    申请号:KR1020160155215

    申请日:2016-11-21

    CPC classification number: H01H9/541 H01H33/596 H03K17/567

    Abstract: 본기술은신뢰성향상의양방향 DC 차단기를개시하고있다. 본기술의구체적인구현예에의하면, 양방향 DC 차단기에서신뢰성이향상된 기술로써, LC공진전류를이용하여고장전류를제거하는기존의양방향 DC 차단기의기술에서나아가인 덕터를이용해 LC공진전류가도달하기전 고장전류를차단하고, 커패시터스위칭을통해고장전류의양을급격하게줄이고, 시간을단축시킨다. 또한, 폐회로를만들고고장전류를차단하고남은 LC공진전류를고장선로에영향을미치지않도록설계하여신뢰성을많이향상시킬수 있다.

    절연 게이트 양극성 트랜지스터
    9.
    发明公开
    절연 게이트 양극성 트랜지스터 有权
    绝缘栅双极晶体管

    公开(公告)号:KR1020160101758A

    公开(公告)日:2016-08-26

    申请号:KR1020150023986

    申请日:2015-02-17

    Inventor: 이명진

    Abstract: 본발명은전력반도체소자에있어서, 이미터전극과컬렉터전극사이에인슐레이터가형성된구조를갖는다. 본발명에따르면, 드리프트영역에형성된인슐레이터가전기장의균일도를향상시킴으로써전압안정성과열적내성이향상되는이점이있다.

    Abstract translation: 本发明具有在功率半导体器件中在发射电极和集电极之间形成绝缘体的结构。 根据本发明,形成在漂移区域中的绝缘体提高电场的均匀性,以提高电压稳定性和耐热性。

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