公开(公告)号：WO2014126438A1

公开(公告)日：2014-08-21

申请号：PCT/KR2014/001282

申请日：2014-02-18

Applicant: 전남대학교산학협력단

Inventor： 하준석 ,  이인우

IPC: H01L33/36

CPC classification number: H01L33/382 ,  H01L33/14 ,  H01L33/42

Abstract: 반도체 발광 소자 및 그 제조방법이 개시된다. 반도체 발광 소자는 발광구조물과, 발광구조물의 하면 측에 적층 배치되고 전극이 비아홀을 통해 발광구조물의 반도체층과 전기적으로 연결되는 전극구조물과, 발광구조물의 상부에 배치된 반도체층 상에 형성된 전류펼침층을 포함한다. 이러한 전류펼침층으로 인해 비아홀의 수를 줄일 수 있어서 발광효율이 높아진다.

Abstract translation: 公开了一种半导体发光元件及其制造方法。 半导体发光元件包括：发光结构; 电极结构层叠在所述发光结构的下表面侧，并且具有通过通孔与所述发光结构的半导体层电连接的电极; 以及形成在设置在发光结构的上部的半导体层上的电流扩展层。 由于电流扩展层，可以减少通孔的数量，并且提高发光效率。