산화티타늄 박막 및 이의 제조방법
    1.
    发明公开
    산화티타늄 박막 및 이의 제조방법 失效
    钛氧化物薄膜及其相关方法

    公开(公告)号:KR1020080070126A

    公开(公告)日:2008-07-30

    申请号:KR1020070007750

    申请日:2007-01-25

    Abstract: A titanium oxide thin film and a method of manufacturing the same are provided to reduce heat energy and to form the thin film at low temperature, using PE(Plasma Enhanced) CVD, thereby depositing SiO2, SiNX, and amorphous silicon at low temperature easily. A vacuum pump(12) is connected with a vacuum chamber(11) to vacuumize the inside of the chamber. A pair of electrodes(13,14) are separated in the vacuum chamber to generate plasma discharge. An RF plasma generator(15) supplies power to the electrodes and generates the plasma. The vacuum chamber has a gas supply pipe for supplying argon, oxygen, and nitrogen gases. A gas tank is connected with a gas supply pipe(16). A compound generated by evaporating an organic titan compound is injected in the vacuum chamber through another gas supply pipe(17).

    Abstract translation: 提供了一种氧化钛薄膜及其制造方法,以便使用PE(等离子体增强)CVD在低温下降低热能并形成薄膜,从而容易地在低温下沉积SiO 2,SiN x和非晶硅。 真空泵(12)与真空室(11)连接,以使室的内部真空。 一对电极(13,14)在真空室中分离以产生等离子体放电。 RF等离子体发生器(15)向电极供电并产生等离子体。 真空室具有用于供应氩气,氧气和氮气的气体供给管。 气罐与气体供给管(16)连接。 通过蒸发有机钛化合物产生的化合物通过另一气体供给管(17)注入真空室中。

    산화티타늄 박막 및 이의 제조방법
    2.
    发明授权
    산화티타늄 박막 및 이의 제조방법 失效
    二氧化钛薄膜及其方法相同

    公开(公告)号:KR100862091B1

    公开(公告)日:2008-10-09

    申请号:KR1020070007750

    申请日:2007-01-25

    Abstract: 본 발명에 따르면, 증착대상물을 진공챔버에 장착하는 장착단계와; 광촉매 막을 형성하는 물질을 포함하는 유기티탄 화합물과 이송 가스인 아르곤가스 및 산화제 가스인 산소와 질소가스를 혼합한 기체상태의 화합물로 기상반응을 일으킬 수 있도록 상기 진공챔버에 공급하는 공급단계와; 상기 기체상태의 화합물의 플라즈마 반응에 의해 상기 증착대상물의 표면에 광촉매 코팅막을 형성하는 박막형성단계;를 포함하는 산화티타늄 박막의 제조방법과 이 방법에 의해 형성된 산화티타늄 박막을 제공한다.
    산화티타늄, 박막, 증착대상물, 산화제가스, 질소, 산소

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