플라즈마 및 실란 처리를 통한 불소계 기반의 고분자 표면 친수처리 방법

    公开(公告)号:WO2023033619A1

    公开(公告)日:2023-03-09

    申请号:PCT/KR2022/013287

    申请日:2022-09-05

    Inventor: 김성곤 김현준

    Abstract: 본 발명은 불소계 기반의 고분자를 세척액에 담그어 세척한 다음 건조시키는 전처리 단계, 상기 건조된 불소계 기반의 고분자를 플라즈마 처리한 다음 대기중에 노출시켜 고분자 표면에 실란 커플링 반응을 일으킬 수 있는 작용기를 도입시키는 단계, 및 실란커플링제(silane coupling agent) 용액에 상기 불소계 기반의 고분자를 딥핑(dipping)한 후 건조시켜 실란커플링(silane coupling) 반응시키는 단계를 포함하는 불소계 기반의 고분자 표면의 개질 방법을 제공한다. 본 발명의 방법은 공정 시간이 매우 단축된 것이며 또한 간편하다는 장점이 있다. 본 발명에 의하면 친수처리된 불소계 기반의 고분자를 제공할 수 있으며, 그 내부에 전해질을 함침시킴으로써 강화복합막 형태의 전해질막으로서 수소연료전지에의 활용이 가능하다.

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