게이트 누설 전류가 감소된 고 전자 이동도 트랜지스터

    公开(公告)号:KR1020180106026A

    公开(公告)日:2018-10-01

    申请号:KR1020170033563

    申请日:2017-03-17

    Inventor: 장태훈 조제희

    Abstract: 본발명은고 전자이동도트랜지스터에관한것으로, 상세하게, 본발명에따른고 전자이동도트랜지스터는제1 III-V족반도체; 상기제1 III-V족반도체상접하여위치하는제2 III-V족반도체; 상기제2 III-V족반도체상접하여위치하는게이트절연체; 게이트절연체상 위치하는게이트전극; 및상기제2 III-V족반도체상위치하며상기게이트절연체를사이에두고서로이격대향하는소스전극및 드레인전극;을포함하며, 상기게이트절연체는 p형금속산화물, 인트린직(intrinsic) 금속산화물및 n형금속산화물이순차적으로적층된 p-i-n 구조의적층체를포함한다.

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