公开(公告)号：KR100307462B1

公开(公告)日：2001-09-26

申请号：KR1019990004063

申请日：1999-02-06

Applicant: 전자부품연구원

Inventor： 김철수 ,  최성호 ,  이용성

IPC: H01C17/00

Abstract: 본발명은망간(Mn)과니켈(Ni)의몰 비를 2:1 내지 5:1로하여형성한 MnNi 또는망간(Mn), 코발트(Co)와니켈(Ni)의몰 비를 54:43:3 내지 60:30:10로하여형성한 MnCoNi을타겟으로한후, 아르곤과산소의혼합가스분위기중 산소를일정한비율로유지하면서스퍼터링함으로써박막써미스터를제조한다. 이때, 아르곤과산소의혼합가스분위기중 산소의함량비를 0.5% 내지 0.9%의범위내로유지하면서스퍼터링을하면비저항특성이좋은박막써미스터를제조할수 있다. 또한, 본발명에따르면상온에서스퍼터링을행함으로써박막써미스터를제조할수 있다. 따라서, 기판을가열하지않고반응가스중 산소함량비를비교적낮은일정한범위내로제어하여써미스터박막을형성하기때문에저온용재료를박막형성용기판으로광범위하게이용할수 있으며, 비교적낮은산소함량비의가스를사용하기때문에박막의형성속도가크고, 전기적, 기계적특성의신뢰성및 재현성이우수한박막써미스터소자를제조할수 있다.

公开(公告)号：KR1020000055442A

公开(公告)日：2000-09-05

申请号：KR1019990004063

申请日：1999-02-06

Applicant: 전자부품연구원

Inventor： 김철수 ,  최성호 ,  이용성

IPC: H01C17/00

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a thin film thermistor is provided to utilize a material for a low temperature such as a polyamide organic material or a glass of a low melting point as a substrate for manufacturing a thin film by forming the thermistor thin film by controlling an oxygen content ratio in a reaction gas at a low temperature range not by heating the substrate. CONSTITUTION: A substrate is formed of glass or alumina and cleaned(S10). An electrode is formed at both sides of the substrate to be applied signals from outside. This electrode pattern is formed by sputtering metal films such as Pt, Ag, or Au on the substrate(S20) and photoengraving the metal film(S30). An NTC thermistor thin film is formed on the substrate between the electrodes and the electrodes by using a sintered MnNi and NmNiCo oxide and performing sputtering in a gas atmosphere of Ar mixed with oxygen(S40). A protecting layer is formed of SiO2 on the thermistor thin film for protecting this film.

Abstract translation: 目的：提供一种制造薄膜热敏电阻的方法，以通过控制热敏电阻薄膜来形成热敏电阻薄膜，利用诸如聚酰胺有机材料或低熔点玻璃的低温材料作为薄膜制造 在低温范围内的反应气体中的氧含量比不是通过加热基底。 构成：基材由玻璃或氧化铝形成并进行清洗（S10）。 电极形成在基板的两侧，以从外部施加信号。 该电极图案通过在基板上溅射Pt，Ag或Au等金属膜而形成（S20），对金属膜进行照相印刷（S30）。 通过使用烧结的MnNi和NmNiCo氧化物在电极和电极之间的衬底上形成NTC热敏电阻薄膜，并在与氧气混合的Ar的气体气氛中进行溅射（S40）。 在用于保护该膜的热敏电阻薄膜上由SiO 2形成保护层。

公开(公告)号：KR1019990049175A

公开(公告)日：1999-07-05

申请号：KR1019970068057

申请日：1997-12-12

Applicant: 전자부품연구원

Inventor： 김철수 ,  최성호 ,  이용성 ,  조병열

IPC: H01C7/04

Abstract: 본 발명은 박막형 부온도계수 서미스터 소자에 있어서, 서미스터 박막의 무손상에 의한 저항값 조절이 가능한 구조에 관한 것이다. 박막형 부온도계수 서미스터 소자의 개략적인 구조는 기판 위에 다수의 서미스터 전극선이 빗살무늬 형태로 구성되어 있으며, 서미스터 박막은 서미스터 전극선 위에 형성되어 있다. 여기서, 서미스터 전극선은 서미스터 박막으로 모두 덮이지 않고 일부 노출되어 있다. 이때, 하나의 서미스터 전극선 중에서 여러 곳이 노출될 수 있으며, 다수의 서미스터 전극선이 노출되되 이들과 연결되어 있는 공통 연결부와의 연결 부분들이 노출될 수도 있다. 저항값을 조절하기 위해서 레이저 컷팅 또는 트리밍을 실시할 경우, 서미스터 박막으로 덮이지 않은 노출된 부분을 절단하므로 서미스터 박막이 손상되거나 오염되지 않는다. 저항값을 미세하게 조절할 때에는 하나의 서미스터 전극선 내에서 노출된 다수의 부분을 적절히 절단하고, 저항값을 크게 조절할 때에는 노출된 서미스터 전극선을 단위로 절단한다.

公开(公告)号：KR100273166B1

公开(公告)日：2000-12-01

申请号：KR1019970068057

申请日：1997-12-12

Applicant: 전자부품연구원

Inventor： 김철수 ,  최성호 ,  이용성 ,  조병열

IPC: H01C7/04

Abstract: PURPOSE: A thin film type negative temperature coefficient thermistor is provided to adjust a resistance value without causing the damage of a thermistor thin film and the contamination thereof. CONSTITUTION: A thin film type negative temperature coefficient thermistor comprises an insulating substrate(100). A plurality of thermistor electrode wires(200) are transversely formed on the insulating substrate(100). The thermistor electrode wires(200) are alternatively connected to the first and second common connecting secitions(210,220) which are formed at both sides of the insulating substrate(100) in a longitudinal direction. An electrode pad(300) connected to an exterior is formed on a center of each common connecting section(210,220) so as to attach a lead thereon. A theremistor thin film(400) covering the thermistor electrode wire(200) is formed on a counter of the insulating substrate(100).

Abstract translation: 目的：提供薄膜型负温度系数热敏电阻来调节电阻值，而不会导致热敏电阻薄膜的损坏及其污染。 构成：薄膜型负温度系数热敏电阻包括绝缘基板（100）。 多个热敏电阻电极线（200）横向地形成在绝缘基板（100）上。 热敏电阻电极线（200）交替地连接到在纵向上形成在绝缘基板（100）的两侧的第一和第二公共连接段（210,220）。 连接到外部的电极焊盘（300）形成在每个公共连接部分（210,220）的中心，以便在其上附接引线。 覆盖热敏电阻电极线（200）的电阻薄膜（400）形成在绝缘基板（100）的计数器上。