-
公开(公告)号：WO2021172607A1
公开(公告)日：2021-09-02
申请号：PCT/KR2020/002657
申请日：2020-02-25
Applicant: 전자부품연구원
Abstract: 본 발명은 전도성 중간층을 포함하는 아연-브롬 흐름전지에 관한 것으로, 음극에서의 덴드라이트 형태의 비활성된 아연의 양을 감소시켜 아연 탈착 공정을 개선시켜 전지의 용량 및 수명 특성을 향상시키기 위한 것이다. 본 발명에 따른 아연-브롬 흐름전지는 멤브레인, 멤브레인을 중심으로 한 쪽에 적층된 제1 전극, 멤브레인을 중심으로 다른 쪽에 적층된 제2 전극, 및 제1 및 제2 전극 중 음극과 멤브레인 사이에 개재되어 있으며, 산성 기반 전해질 하에서 수소발생 교환 전류밀도의 로그값이 -4 이하인 전도성 중간층을 포함한다.
Search Results
1
records
(took 0.016 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
