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公开(公告)号：WO2019117591A1
公开(公告)日：2019-06-20
申请号：PCT/KR2018/015693
申请日：2018-12-11
Applicant: 전자부품연구원
Abstract: 본 발명의 일실시예에 따른 미세먼지 집진용 다층구조 액적은, 내층과 상기 내층 외주면을 감싸는 외층으로 형성된 다층 구조의 액적으로서, 상기 내층은 용매 및 비이온 계면활성제를 포함하고, 상기 외층은 고분자 전해질을 포함하여 전기적으로 하전되도록 형성되며, 상기 액적은 전체 액적의 중량을 기준으로 비이온 계면활성제를 0.1 중량% 내지 20 중량%, 상기 고분자 전해질을 0.1 중량% 내지 20 중량% 포함한다. 전기적으로 하전된 액적의 외층인 고분자 전해질로 미세먼지를 전기적으로 집진할 뿐만 아니라 외층은 내층의 외주면을 감싸도록 형성되어 내층의 증발을 효과적으로 방지함으로써 특정공간에서 액적의 부유시간을 보다 연장시켜 미세먼지 집진의 효율을 효과적으로 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
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公开(公告)号：WO2018117423A3
公开(公告)日：2018-06-28
申请号：PCT/KR2017/012786
申请日：2017-11-13
Applicant: 전자부품연구원
Abstract: 본 발명은 자외선-오존(UV-ozone; UVO)을 이용한 나노 분말의 건식 표면 처리 장치에 관한 것으로, 자외선-오존과 나노 분말의 접촉 확률을 높여 자외선-오존에 의한 표면 처리 효율을 높이기 위한 것이다. 본 발명에 따른 나노 분말의 건식 표면 처리 장치용 반응용기는 자외선 투과성을 가지며 나노 분말을 담을 수 있는 내부 공간을 갖는 반응관과, 반응관의 내부에 형성되며 반응관의 회전 시 반응관의 내부에 담긴 나노 분말을 교반하여 반응관 내에서의 자외선-오존과의 접촉 확률을 높이는 디바이더를 포함한다.
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公开(公告)号：WO2018117423A2
公开(公告)日：2018-06-28
申请号：PCT/KR2017/012786
申请日：2017-11-13
Applicant: 전자부품연구원
CPC classification number: B01J19/123 , B01F9/0016 , B01F9/06 , B01J6/00 , B01J8/10 , B01J19/0066 , B01J2219/00189 , B01J2219/00779 , B01J2219/0879
Abstract: 본 발명은 자외선-오존(UV-ozone; UVO)을 이용한 나노 분말의 건식 표면 처리 장치에 관한 것으로, 자외선-오존과 나노 분말의 접촉 확률을 높여 자외선-오존에 의한 표면 처리 효율을 높이기 위한 것이다. 본 발명에 따른 나노 분말의 건식 표면 처리 장치용 반응용기는 자외선 투과성을 가지며 나노 분말을 담을 수 있는 내부 공간을 갖는 반응관과, 반응관의 내부에 형성되며 반응관의 회전 시 반응관의 내부에 담긴 나노 분말을 교반하여 반응관 내에서의 자외선-오존과의 접촉 확률을 높이는 디바이더를 포함한다.
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公开(公告)号：KR101679692B1
公开(公告)日：2016-11-28
申请号：KR1020140191251
申请日：2014-12-28
Applicant: 전자부품연구원
Abstract: 태양광의근적외선영역및 원적외선영역모두를효율적으로차폐하는단열코팅이개시된다. 본발명의일 실시예에따른적외선차폐단열코팅은, 제1 굴절률을갖는제1 굴절률층, 제1 굴절률보다낮은제2 굴절률을갖는제2 굴절률층및 제2 굴절률보다낮은제3 굴절률을갖는제3 굴절률층을하나이상포함하여, 굴절률이상대적으로큰 굴절률층상에굴절률이상대적으로작은굴절률층이위치하도록형성되고, 제1 굴절률및 제3 굴절률의차이인제1 굴절률차는제2 굴절률및 제3 굴절률의차이인제2 굴절률차보다크고, 제1 굴절률차에의해태양광의근적외선이차폐되고, 제2 굴절률차에의해태양광의원적외선이차폐된다.
Abstract translation: 公开了一种用于从太阳光的近红外区域和远红外区域两者的有效屏蔽的绝缘涂层。 根据本发明实施例的用于红外屏蔽的绝缘涂层包括具有第一折射率的第一折射率层，具有低于第一折射率的第二折射率的第二折射率层和具有低于第一折射率的第二折射率层的第三折射率层， 第三折射率低于第二折射率，其中折射率相对较小的折射率层位于具有相对较大折射率的折射率层和第一折射率差，第一折射率差是第一 折射率和第三折射率大于第二折射率差，其是第二折射率和第三折射率之间的差，因此太阳光的近红外线被第一折射率差 并且太阳光的远红外线被第二折射线遮蔽 ive指数差异。
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公开(公告)号：KR1020140084597A
公开(公告)日：2014-07-07
申请号：KR1020120154233
申请日：2012-12-27
Applicant: 전자부품연구원
CPC classification number: E06B3/267 , B32B17/10633 , C03C17/34
Abstract: The present invention relates to an insulation window for blocking far-infrared rays and near-infrared rays including a near-infrared ray absorbing layer coated on a glass substrate for absorbing near-infrared rays having high energy density; and a far-infrared ray reflecting layer for reflecting far-infrared rays having low energy density.
Abstract translation: 本发明涉及一种用于阻挡远红外线和近红外线的绝缘窗，包括涂覆在玻璃基板上的近红外线吸收层，用于吸收具有高能量密度的近红外线; 以及用于反射具有低能量密度的远红外线的远红外线反射层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101254039B1
公开(公告)日：2013-04-12
申请号：KR1020100137763
申请日：2010-12-29
Applicant: 전자부품연구원
Abstract: 본 발명은 반사율 차이가 매우 큰 이종의 박막 소재가 중공(hollow)의 다층 코어 쉘 구조로 형성되는 나노 입자에 관한 것이다.
본 발명에 따르는 열선 차단용 다층 코어-쉘 구조를 갖는 나노 입자는,
코어; 및
상기 코어를 둘러싼 쉘 형태의 절연체 층을 포함하고,
상기 절연체 층은 제 1 절연체와 제 2 절연체가 교대로 적층되고, 상기 제 1 절연체의 굴절률은 상기 제 2 절연체의 굴절률보다 큰 것을 구성적 특징으로 한다,-
公开(公告)号：KR1020120028224A
公开(公告)日：2012-03-22
申请号：KR1020110087255
申请日：2011-08-30
Applicant: 전자부품연구원
Abstract: PURPOSE: A double window system for cut-off infrared rays is provided to block thermal energy by using a glass coated with thermo-chromic materials, a glass coated with materials reflecting infrared rays, or a low emissivity glass. CONSTITUTION: A double window system for cut-off infrared rays comprises a first glass member(10), a second glass member(20), and a space member(40). One side of the first glass member has a membrane(11) coated with near infrared ray reflection nano materials. One side of the second glass member has a membrane(21) coated with thermo-chromic materials. The space member is installed between the first and second members and keeps separated gap between glass members. The membrane coated with the near infrared ray reflection nano materials on the first glass member and the membrane coated with the thermo-chromic materials on the second glass member are faced each other.
Abstract translation: 目的：提供用于截止红外线的双窗系统，通过使用涂有热铬材料的玻璃，涂有反射红外线的材料的玻璃或低辐射玻璃来阻挡热能。 构成：用于截止红外线的双窗系统包括第一玻璃构件（10），第二玻璃构件（20）和空间构件（40）。 第一玻璃构件的一侧具有涂覆有近红外线反射纳米材料的膜（11）。 第二玻璃构件的一侧具有涂覆有热铬材料的膜（21）。 空间构件安装在第一和第二构件之间并且保持玻璃构件之间的间隔。 在第一玻璃构件上涂覆有近红外线反射纳米材料的膜和在第二玻璃构件上涂覆有热铬材料的膜彼此面对。
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公开(公告)号：KR101018280B1
公开(公告)日：2011-03-04
申请号：KR1020080110737
申请日：2008-11-10
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L33/02
Abstract: 본 발명은 발광다이오드에 관한 것으로, 보다 자세하게는 발광부을 형성하기 전에 기판의 양단에 패시베이션층을 먼저 형성함으로써 발광부이 식각 등의 공정에 의해 손상되는 것을 방지하고 칩의 발광효율과 생산수율을 높일 수 있는 수직구조 발광다이오드 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명의 수직구조 발광다이오드 및 그 제조방법은 실리콘 기판; 상기 실리콘 기판 상에 형성된 p형 전극; 상기 p형 전극 상부의 양단에 형성된 패시베이션층; 상기 패시베이션층 사이 공간의 p형 전극 상에 n형 반도체층, 활성층 및 p형 반도체층이 순차적으로 증착되어 형성된 발광부; 및 상기 n형 반도체층 상의 일부분에 형성된 n형 전극을 포함함에 기술적 특징이 있다.
수직구조, 발광다이오드, 패시베이션층-
公开(公告)号：KR1020100053074A
公开(公告)日：2010-05-20
申请号：KR1020080112045
申请日：2008-11-12
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L21/20
CPC classification number: H01L21/02389 , H01L21/02381 , H01L21/02458 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L21/265
Abstract: PURPOSE: A non-polar or semi-polar nitride semiconductor substrate and a method for manufacturing the same are provided to improve quantum efficiency by performing an ion-doping process with a high concentration. CONSTITUTION: A non-polar or semi-polar sapphire substrate is prepared(S110). A high temperature sapphire nitride layer is formed on the sapphire substrate(S120). A SiN_x layer/a high temperature gallium nitride buffer layer or SiC/a high temperature gallium nitride buffer layer is multiply stacked on the high temperature sapphire nitride layer(S130). A high temperature gallium nitride layer is formed on the high temperature gallium nitride buffer layer(S140).
Abstract translation: 目的：提供非极性或半极性氮化物半导体衬底及其制造方法，以通过以高浓度进行离子掺杂工艺来提高量子效率。 构成：制备非极性或半极性蓝宝石衬底（S110）。 在蓝宝石基板上形成高温蓝宝石氮化物层（S120）。 将SiN_x层/高温氮化镓缓冲层或SiC /高温氮化镓缓冲层叠加在高温蓝宝石氮化物层上（S130）。 在高温氮化镓缓冲层上形成高温氮化镓层（S140）。
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公开(公告)号：KR1020100051933A
公开(公告)日：2010-05-19
申请号：KR1020080110752
申请日：2008-11-10
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L33/04
Abstract: PURPOSE: A vertical light emitting diode for improving external quantum efficiency and a method for manufacturing the same are provided to reduce a leakage current by forming a plurality of passivation layers with different insulating materials. CONSTITUTION: A p-type electrode(250) is formed on a silicon substrate(300). A first passivation layer(220) is formed on the both end of the p-type electrode. A second passivation layer(221) is formed on the inner side of the first passivation layer. A light emitting unit(240) is formed by successively depositing an n-type semiconductor layer, an active layer and a p-type semiconductor layer on the p-type electrode. An n-type electrode(260) is formed on a part of the n-type semiconductor layer. The first passivation layer and the second passivation layer are based on different insulating materials.
Abstract translation: 目的：提供一种用于改善外部量子效率的垂直发光二极管及其制造方法，以通过形成具有不同绝缘材料的多个钝化层来减少漏电流。 构成：在硅衬底（300）上形成p型电极（250）。 在p型电极的两端形成第一钝化层（220）。 第二钝化层（221）形成在第一钝化层的内侧。 通过在p型电极上依次沉积n型半导体层，有源层和p型半导体层来形成发光单元（240）。 n型电极（260）形成在n型半导体层的一部分上。 第一钝化层和第二钝化层基于不同的绝缘材料。
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