公开(公告)号：KR101907542B1

公开(公告)日：2018-10-12

申请号：KR1020170150633

申请日：2017-11-13

Applicant: 조선대학교산학협력단

Inventor： 권민기 ,  김자연 ,  조유현 ,  박현선 ,  김민우

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/42

CPC classification number: H01L33/0075 ,  H01L33/0008 ,  H01L33/42

Abstract: 본발명의일 실시예에따른질화물계발광다이오드는, 기판위에형성된 n형반도체층; 상기 n형반도체층상의일측에형성된활성층; 상기 n형반도체층상의타측에, 상기활성층과이격된거리에위치하도록형성된 n형전극; 상기활성층위에형성된 p형반도체층; 상기 p형반도체층상의일측에형성된 p형전극; 상기 p형반도체층상에, 상기 p형전극의측면에접하도록형성된투명전극층; 및상기투명전극층과접촉되며, 상기활성층과소정의거리이내에위치하도록형성된나노입자층을포함하며, 상기투명전극층은, 표면플라즈몬공명(surface plasmon resonance)이발생되는금속의나노와이어들로형성되고, 상기나노입자층은, 표면플라즈몬공명이발생되는금속의나노입자들로형성된다.