公开(公告)号：KR101760604B1

公开(公告)日：2017-07-31

申请号：KR1020160017513

申请日：2016-02-16

Applicant: 조선대학교산학협력단

Inventor： 강현철 ,  서창수

IPC: C23C16/22 ,  C01G15/00

Abstract: 본발명은수평으로성장한 Indium-Tin-Oxide (ITO) 나노와이어의제조방법에관한것으로, 본발명에따른수평배열 ITO 나노와이어의제조방법은 1) 금속촉매를사용하지않으므로비용이절감되고, 또한금속촉매불순물이남지않아 ITO 나노와이어의물성이우수하고, 2) 종래의금속촉매를사용하는방법에비해낮은공정온도에서제조가능하므로비용이절감되고, 3) hydrogen reduction 환경을사용하므로, 종래 carbothermal reduction 환경을사용하는제조방법으로제조된 ITO 나노와이어에탄소가유입되는문제를원천적으로차단하는효과가있다.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于铟锡氧化物（ITO），在水平生长的纳米线的制备中，制备根据本发明的纳米线的水平布置ITO方法，降低成本。1）不使用金属催化剂，和 金属催化剂杂质做仍然昂贵，较低，因此ITO纳米线的yiwoosu物理性质，2）可制造在与使用常规金属催化剂的方法中，使用还原3）氢的环境，因为比较低的处理温度，在以往的碳热还原 可以防止碳被引入通过使用环境的制造方法制造的ITO纳米线中。