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公开(公告)号：WO2011014011A2
公开(公告)日：2011-02-03
申请号：PCT/KR2010/004969
申请日：2010-07-28
CPC classification number: G03F7/0035 , G03F7/0382 , G03F7/405
Abstract: 이중 패터닝 기술을 이용한 패턴 형성 방법에서, 포토레지스트 패턴 형성 후, 가열 또는 노광 및 가열에 의해 포토레지스트 패턴 표면에 패턴 보호막을 형성할 수 있는, 가교성 경화 물질을 포함하는 포토레지스트 조성물이 개시된다. 상기 포토레지스트 조성물은, 감광성 고분자 3 내지 30중량%; 상기 감광성 고분자 100중량부에 대하여, 청구항 1의 화학식 1 및/또는 화학식 2로 표시되는 가교 경화제 0.5 내지 75중량부; 상기 감광성 고분자 100중량부에 대하여, 광산발생제 0.05 내지 15중량부; 및 나머지 용매를 포함한다.
Abstract translation:
使用加热或暴露于光并通过加热光致抗蚀剂图案表面后形成的光致抗蚀剂图案以形成图案的保护膜含有双重图案化技术在图案形成方法中，交联材料固化 Lt。 该光致抗蚀剂组合物包含3至30重量％的光敏聚合物; 基于100重量份的光敏聚合物，0.5至75重量份的由权利要求1的通式（1）和/或（2）表示的交联固化剂; 基于100重量份的光敏聚合物，0.05至15重量份的光酸产生剂; 和剩下的溶剂。
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公开(公告)号：WO2010140870A3
公开(公告)日：2010-12-09
申请号：PCT/KR2010/003615
申请日：2010-06-04
IPC: H01L21/027
Abstract: 노광 마스크 없이 단순 노광에 의하여 2차 포토레지스트 패턴을 형성할 수 있는 이중 노광 패터닝 공정을 이용한, 반도체 소자의 미세 패턴 형성 방법이 개시된다. 상기 반도체 소자의 미세 패턴 형성 방법은, 피식각층이 형성된 반도체 기판 상에 제1 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 상기 제1 포토레지스트 패턴을 110 내지 220℃로 가열(하드닝 베이크)하여 층간 거울막을 형성하는 단계; 상기 결과물 상에 제2 포토레지스트막을 형성하는 단계; 및 상기 제2 포토레지스트막에 노광 마스크 없이 제2 포토레지스트막의 문턱에너지(Threshold Energy; E th )보다 낮은 값의 에너지를 갖는 광(저에너지 광)으로 노광 및 현상 공정을 수행하여, 상기 제1 포토레지스트 패턴 사이에 층간 거울막의 난반사에 의한 제2 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계를 포함한다.
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公开(公告)号：WO2010098618A3
公开(公告)日：2010-09-02
申请号：PCT/KR2010/001227
申请日：2010-02-26
Applicant: 주식회사 동진쎄미켐 , 이정열 , 이재우 , 김덕배 , 김재현
IPC: G03F7/004
Abstract: 리쏘그래피 공정의 해상도를 증가시킬 수 있는 포토레지스트 패턴 코팅용 고분자 및 이를 이용한 반도체 소자의 패턴 형성 방법이 개시된다. 상기 포토레지스트 패턴 코팅용 고분자는 청구항 1의 화학식으로 표시된다. 상기 화학식 1에서, R * 은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 메틸기(-CH 3 )이고, R 1 은 탄소수 3 내지 6 및 질소수 1 내지 2의 선형 또는 환형 탄화수소기이고, R 2 는 탄소수 5 내지 20의 알콕시 벤젠기 또는 알콕시 카보닐기이며, x, y 및 z는 상기 화학식의 고분자를 구성하는 전체 반복단위에 대한 각각의 반복단위의 몰%로서, x는 5 내지 90몰%, y는 5 내지 60 몰%, z는 5 내지 30몰%이다.
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公开(公告)号：WO2010098617A2
公开(公告)日：2010-09-02
申请号：PCT/KR2010/001226
申请日：2010-02-26
Applicant: 주식회사 동진쎄미켐 , 이정열 , 이재우 , 김덕배 , 김재현
IPC: G03F7/004
CPC classification number: G03F7/40
Abstract: 리쏘그래피 공정의 해상도를 증가시킬 수 있는 포토레지스트 패턴 코팅용 고분자 및 이를 이용한 반도체 소자의 패턴 형성 방법이 개시된다. 상기 포토레지스트 패턴 코팅 고분자는 청구항 1의 화학식 1로 표시된다. 상기 화학식 1에서, R * 은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 메틸기(-CH 3 )이고, R 1 은 탄소수 1 내지 18의 선형 또는 환형 탄화수소기이고, R 2 는 히드록시기(-OH), 카르복실기(-COOH), 또는 탄소수 3 내지 10, 질소수 1 내지 3 및 산소수 1 내지 3의 선형 또는 환형 탄화수소기이며, x 및 y는 상기 화학식의 고분자를 구성하는 전체 반복단위에 대한 각각의 반복단위의 몰%로서, x는 5 내지 100몰%이고, y는 0 내지 95 몰%이다.
Abstract translation: 公开了一种用于涂覆光致抗蚀剂图案的聚合物，其可以提高光刻工艺的分辨率，以及使用该聚合物形成半导体器件的图案的方法。 用于涂覆光致抗蚀剂图案的聚合物用权利要求1的化学式1表示。在化学式1中，R *独立地为氢原子或甲基（-CH 3），R 1为具有1至18个的直链或环状烃基 碳原子，R2是羟基（-OH），羧基（-COOH）或具有3至10个碳原子，1至3个氮原子和1至3个氧原子的直链或环状烃基，x 和y分别为基于化学式1的聚合物的全部重复单元的摩尔％，其中x为5至100摩尔％，y为0至95摩尔％。
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公开(公告)号：WO2011052954A2
公开(公告)日：2011-05-05
申请号：PCT/KR2010/007355
申请日：2010-10-26
IPC: G03F7/26
CPC classification number: G03F7/405
Abstract: 이중 노광 패터닝 공정에서, 포토레지스트 패턴 세정 및 세정 후 가열에 의해 포토레지스트 패턴 위에 보호막을 형성시킬 수 있는 포토레지스트 패턴 세정 및 보호막 형성용 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자의 미세 패턴 형성 방법이 개시된다. 상기 포토레지스트 패턴 세정 및 보호막 형성용 조성물은 본 명세서의 화학식 1 내지 화학식 3으로 표시되는 화합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 가교제; 및 용매를 포함한다.
Abstract translation:
细在双重曝光图案化工艺，光致抗蚀剂图案的洗涤和使用形成清洁光致抗蚀剂图案和所述保护膜组合物，并且用于通过洗涤后上形成该保护层的能够将光致抗蚀剂图案的半导体器件加热 公开了一种图案形成方法。 光致抗蚀剂图案，并清洁保护膜组合物以形成至少一种交联剂选自由化学式1表示的规格的3种化合物组成的组中; 和一种溶剂。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：WO2011031123A2
公开(公告)日：2011-03-17
申请号：PCT/KR2010/006281
申请日：2010-09-14
Applicant: 주식회사 동진쎄미켐 , 노효정 , 주동규 , 김현진 , 김덕배
IPC: G03F7/09
CPC classification number: G03F7/091 , B05D3/02 , C07D251/06 , C08F283/00 , C08G75/00 , C08K5/0025 , C08K5/42 , C09D5/006 , G03F7/168 , H01L21/0201 , H01L21/0271 , H01L21/4757 , H01L31/02168 , H01L2924/0705 , H01L2924/364 , C08L81/00
Abstract: 고온(25℃ 이상)에서의 안정성 및 에칭률(etch rate)이 우수하고, 고굴절률을 갖는 유기 반사방지막 형성용 이소시아누레이트 화합물 및 이를 포함하는 조성물이 개시된다. 상기 유기 반사방지막 형성용 이소시아누레이트 화합물은, 청구항 1의 화학식 1로 표시된다. 상기 화학식 1에서, R은 각각 독립적으로, 수소 또는 메틸기이고, R 1 은, 각각 독립적으로, 0 내지 6의 헤테로 원자를 포함하는 탄소수 1 내지 15의 사슬형 또는 고리형의 포화 또는 불포화 탄화수소이고, R 2 는 각각 독립적으로, 0 내지 15의 헤테로 원자를 포함하는 탄소수 1 내지 15 사슬형 또는 고리형의 포화 또는 불포화 탄화수소이다.
Abstract translation: 公开了一种在高温（25℃以上）下具有优异的稳定性和蚀刻速率且具有高折射率的异氰脲酸酯化合物和含有该异氰脲酸酯化合物的组合物 。 用于形成有机抗反射膜的异氰脲酸酯化合物由权利要求1的式（1）表示。 其中R独立地为氢或甲基，并且R 1独立地为具有1至15个碳原子且含有0至6个杂原子的链或环状烃基 并且R 2各自独立地为具有1至15个碳原子且含有0至15的杂原子的饱和或不饱和烃链，或环状饱和或不饱和烃。
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公开(公告)号：KR101113141B1
公开(公告)日：2012-02-15
申请号：KR1020040088030
申请日：2004-11-01
Applicant: 주식회사 동진쎄미켐 , 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: G03F7/027
Abstract: 고집적 반도체 소자의 미세회로패턴 형성 공정에 사용되며, 원자외선 영역의 광원을 이용한 리소그래피 공정에 적합한 에틸렌 옥사이드 단량체 및 이를 포함하는 포토레지스트용 중합체가 개시된다. 상기 포토레지스트용 중합체의 바람직한 예는 하기 화학식으로 표시된다.
상기 화학식에서, POSS는 치환되거나 치환되지 않은 폴리헤드럴올리고실세스퀴옥세인기이고, R
1 은 수소 또는 말단에 하이드록시 작용기를 가지는 탄소수 1 내지 8의 알킬기이고, R
2 는 터셔리부틸, 터셔리부톡시카보닐, 또는 트리메틸실릴이며, a, b, c 및 d는 상기 중합체의 전체 반복단위에 대한, 각 반복단위의 몰%로서, 각각 독립적으로 0.1 내지 99.7몰%이다.
에틸렌 옥사이드, 포토레지스트, 단량체, 원자외선, 노광.-
公开(公告)号：KR1020060038857A
公开(公告)日：2006-05-04
申请号：KR1020040088029
申请日：2004-11-01
Applicant: 주식회사 동진쎄미켐 , 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: G03F7/075
Abstract: 고집적 반도체 소자의 미세회로패턴 형성 공정에 사용되며, 원자외선 영역의 광원을 이용한 리소그래피 공정에 적합한 실록산 단량체 및 이를 포함하는 포토레지스트용 중합체가 개시된다. 상기 포토레지스트용 중합체를 형성하기 위한 실록산 단량체는 하기 화학식으로 표시되며, 상기 포토레지스트용 중합체는 폴리메틸하이드로실록산 및 하기 실록산 단량체를 반응시켜 제조된다.
상기 화학식에서, R은 각각 독립적으로 탄소수 2 내지 8의 알킬기, 탄소수 5 또는 6의 사이클로알킬기, 또는 페닐기이며, n은 0 내지 5의 정수이다.
포토레지스트, 노광-
公开(公告)号：KR101113149B1
公开(公告)日：2012-02-13
申请号：KR1020040088029
申请日：2004-11-01
Applicant: 주식회사 동진쎄미켐 , 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: G03F7/075
Abstract: 고집적 반도체 소자의 미세회로패턴 형성 공정에 사용되며, 원자외선 영역의 광원을 이용한 리소그래피 공정에 적합한 실록산 단량체 및 이를 포함하는 포토레지스트용 중합체가 개시된다. 상기 포토레지스트용 중합체를 형성하기 위한 실록산 단량체는 하기 화학식으로 표시되며, 상기 포토레지스트용 중합체는 폴리메틸하이드로실록산 및 하기 실록산 단량체를 반응시켜 제조된다.
상기 화학식에서, R은 각각 독립적으로 탄소수 2 내지 8의 알킬기, 탄소수 5 또는 6의 사이클로알킬기, 또는 페닐기이며, n은 0 내지 5의 정수이다.
포토레지스트, 노광-
公开(公告)号：KR1020060038858A
公开(公告)日：2006-05-04
申请号：KR1020040088030
申请日：2004-11-01
Applicant: 주식회사 동진쎄미켐 , 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: G03F7/027
Abstract: 고집적 반도체 소자의 미세회로패턴 형성 공정에 사용되며, 원자외선 영역의 광원을 이용한 리소그래피 공정에 적합한 에틸렌 옥사이드 단량체 및 이를 포함하는 포토레지스트용 중합체가 개시된다. 상기 포토레지스트용 중합체의 바람직한 예는 하기 화학식으로 표시된다.
상기 화학식에서, POSS는 치환되거나 치환되지 않은 폴리헤드럴올리고실세스퀴옥세인기이고, R
1 은 수소 또는 말단에 하이드록시 작용기를 가지는 탄소수 1 내지 8의 알킬기이고, R
2 는 터셔리부틸, 터셔리부톡시카보닐, 또는 트리메틸실릴이며, a, b, c 및 d는 상기 중합체의 전체 반복단위에 대한, 각 반복단위의 몰%로서, 각각 독립적으로 0.1 내지 99.7몰%이다.
에틸렌 옥사이드, 포토레지스트, 단량체, 원자외선, 노광.
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