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公开(公告)号：WO2017010816A1
公开(公告)日：2017-01-19
申请号：PCT/KR2016/007643
申请日：2016-07-14
Applicant: 주식회사 엘지화학
IPC: G06F3/041
CPC classification number: G06F3/0412 , G06F3/041
Abstract: 본 발명은 기재 상에 구비된 구리를 포함하는 금속층, 상기 금속층 상에 구비되고, 구리 및 니켈을 포함하는 변색 방지층, 및 상기 변색 방지층 상에 구비되고, 구리 산화물, 구리 질화물, 구리 산질화물, 알루미늄 산화물, 알루미늄 질화물 및 알루미늄 산질화물 중 1종 이상을 포함하는 광반사 저감층을 포함하고, 상기 변색 방지층의 니켈 함량은 50 at% 이상 80 at% 이하인 것인 전도성 구조체를 제공한다. 이러한 본 발명의 특징은 우수한 전기 전도도를 유지하며, 금속층의 눈부심 효과를 효과적으로 방지할 수 있는 장점이 있다.
Abstract translation: 本发明提供一种导电结构，包括：金属层，设置在基底上并包含铜; 设置在金属层上并包含铜和镍的防污层; 以及设置在防损层上并包含氧化铜，氮化铜，氧氮化铜，氧化铝，氮化铝和氮氧化铝中的至少一种的光反射降低层，其中防着色层的镍含量为50 ％至80％（含）。 本发明可以保持优良的导电性并有效地防止金属层的眩光。
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公开(公告)号：WO2016182282A1
公开(公告)日：2016-11-17
申请号：PCT/KR2016/004801
申请日：2016-05-09
Applicant: 주식회사 엘지화학
IPC: H01L29/786 , G02F1/136
CPC classification number: H01L29/78633 , C23C14/0015 , C23C14/0676 , C23C14/185 , C23C14/34 , G02F1/133502 , G02F1/13439 , G02F1/136286 , G02F1/1368 , G02F2001/136295 , H01L27/124 , H01L29/45 , H01L29/4908 , H01L29/786 , H01L29/78618 , H01L29/78669 , H01L29/78678 , H01L29/7869
Abstract: 박막트랜지스터 기판 및 이를 포함하는 디스플레이 장치가 개시된다. 박막트랜지스터 기판은 게이트 전극, 소스 전극, 드레인 전극, 게이트 라인 및 테이터 라인의 기판을 향하는 면과 이의 반대 면 상에 구비되는 광반사 저감층을 포함하며, 광반사 저감층은 하기 [식 1]의 값 이 0.004 이상 0.22 이하를 만족한다. [식 1] (k x t )/ λ ( [식 1]에 있어서, k는 광반사 저감층의 소멸계수를 의미하고, t는 광반사 저감층의 두께를 의미하며, λ는 빛의 파장을 의미한다. )
Abstract translation: 公开了一种薄膜晶体管基板和包括该薄膜晶体管基板的显示装置。 薄膜晶体管基板包括：栅电极; 源电极; 漏电极; 以及设置在面对栅极线和数据线基板的表面及与其相反的表面的光反射降低层，其中光反射降低层满足以下[式1]的值为0.004-0.22：（kxt）/ λ（其中k表示光反射降低层的消光系数; t表示光反射减少层的厚度;λ表示光的波长）。
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公开(公告)号：WO2016129937A1
公开(公告)日：2016-08-18
申请号：PCT/KR2016/001403
申请日：2016-02-11
Applicant: 주식회사 엘지화학
IPC: G06F3/041
CPC classification number: H05K1/0213 , G06F3/041 , G06F2203/04103 , H05K1/0274 , H05K1/0306 , H05K3/14
Abstract: 본 출원은 전도성 구조체 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 본 출원의 일 실시상태에 따른 전도성 구조체의 제조방법은, 기재 상에 금속층을 형성하는 단계, 및 상기 금속층 상에 암색화층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 암색화층을 형성하는 단계는 CO 2 를 이용한 반응성 스퍼터링에 의하여 수행되는 것을 특징으로 한다.
Abstract translation: 本发明涉及一种导电结构及其制造方法。 根据本发明的一个实施例的制造导电结构的方法包括以下步骤：在基底上形成金属层; 以及在所述金属层上形成暗图案层，其中通过使用CO 2的反应溅射来进行形成所述暗图案层的步骤。
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公开(公告)号：WO2017073969A1
公开(公告)日：2017-05-04
申请号：PCT/KR2016/011954
申请日：2016-10-24
Applicant: 주식회사 엘지화학
IPC: G02F1/1343 , G06F3/041 , H01L51/52 , H01L27/32
CPC classification number: G02F1/1343 , G06F3/041 , H01L27/32 , H01L51/52
Abstract: 본 발명은 기재, 기재 상에 구비된 단일 금속으로 이루어진 제1 금속층, 제1 금속층의 적어도 일면 상에 구비된 2종 이상의 금속으로 이루어진 반투명 재질의 제2 금속층 및 제2 금속층 상에 구비된 반투명 재질의 광반사 저감층을 포함하고, 380nm 내지 780nm 파장의 빛에서 광반사 저감층 표면에서의 평균 광 반사율은, 제2 금속층이 구비되지 않은 경우에 비하여 7% 내지 50% 저감되는 전도성 구조체에 관한 것이다.
Abstract translation:
本发明已经描述的，设置在基板上由单一金属的第一金属层，设置在至少一侧上的金属层和由两种或更多种金属的半透明材料制成的第二金属层 在用于光的半透明材料的平均光反射系数包括反射减少层和第一减少光反射在380nm到设置在第二金属层上780nm波长层表面的光，以7％与的情况下，未设置有所述第二金属层50相比 ％涉及到可以降低导电结构。
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公开(公告)号：WO2016182283A1
公开(公告)日：2016-11-17
申请号：PCT/KR2016/004802
申请日：2016-05-09
Applicant: 주식회사 엘지화학
IPC: H01L27/32
CPC classification number: H01L51/5281 , H01L27/3213 , H01L27/3276
Abstract: 본 발명은 기판; 기판 상에 서로 교차하여 구비되는 복수의 게이트 라인 및 복수의 데이터 라인; 게이트 라인과 데이터 라인에 의하여 구획되는 복수의 화소 영역; 각각의 화소 영역의 일측에 구비되는 박막트랜지스터; 박막트랜지스터는 게이트 라인과 연결되는 게이트 전극, 게이트 전극 상에 게이트 전극과 절연되어 구비되는 반도체층, 데이터 라인과 전기적으로 연결되는 소스 전극 및 화소 전극 또는 공통 전극과 전기적으로 연결되는 드레인 전극을 포함하고, 각각의 화소 영역 상에 구비되고, 적색, 녹색, 청색 또는 백색의 빛을 발광하는 유기발광소자; 및 게이트 전극, 소스 전극, 드레인 전극, 게이트 라인 및 데이터 라인 중 적어도 하나의 일면상에 구비되는 광반사 저감층을 포함하며, 광반사 저감층은 (k*t)/λ (k는 광반사 저감층의 소멸계수, t는 광반사 저감층의 두께, 및 λ는 빛의 파장을 의미)의 값이 0.004 이상 0.22 이하를 만족하는 유기발광 디스플레이 장치를 제공한다.
Abstract translation: 本发明提供一种有机发光显示装置，包括：基板; 多个栅极线和多个数据线，彼此交叉并设置在基板上; 由栅极线和数据线划分的多个像素区域; 设置在每个像素区域的一侧的薄膜晶体管，其中所述薄膜晶体管包括连接到栅极线的栅极电极，设置在所述栅极电极上同时与所述栅电极绝缘的半导体层，源电极电 连接到数据线，以及漏电极，电连接到像素电极或公共电极; 设置在每个像素区域上并发射红色，绿色，蓝色或白色光的有机发光元件; 以及设置在所述栅电极，所述源电极，所述漏电极，所述栅极线和所述数据线中的至少一个的一个面上的光反射降低层，其中，所述光反射降低层满足（k * t ）/λ为0.004-0.22（k表示光反射降低层的消光系数，t表示光反射减少层的厚度，λ表示光的波长）。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：WO2016129937A9
公开(公告)日：2016-08-18
申请号：PCT/KR2016/001403
申请日：2016-02-11
Applicant: 주식회사 엘지화학
IPC: G06F3/041
Abstract: 본 출원은 전도성 구조체 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 본 출원의 일 실시상태에 따른 전도성 구조체의 제조방법은, 기재 상에 금속층을 형성하는 단계, 및 상기 금속층 상에 암색화층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 암색화층을 형성하는 단계는 CO 2 를 이용한 반응성 스퍼터링에 의하여 수행되는 것을 특징으로 한다.
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公开(公告)号：WO2016048042A1
公开(公告)日：2016-03-31
申请号：PCT/KR2015/010029
申请日：2015-09-23
Applicant: 주식회사 엘지화학
IPC: G06F3/041
CPC classification number: G06F3/041
Abstract: 본 출원은 전도성 구조체 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 본 출원의 일 실시상태에 따른 전도성 구조체는, 기재; 상기 기재 상에 구비되고, 구리를 포함하는 금속층; 상기 금속층 상에 구비된 변색방지층; 및 상기 변색방지층 상에 구비되고, 구리 산화물, 구리 질화물, 구리 산질화물, 알루미늄 산화물, 알루미늄 질화물 및 알루미늄 산질화물 중 1종 이상을 포함하는 암색화층을 포함한다.
Abstract translation: 本申请涉及导电结构及其制备方法。 根据本申请的一个实施方案的导电结构包括：基底; 设置在基板上并包括铜的金属层; 设置在金属层上的防污层; 以及设置在防晦暗层上的包含氧化铜，氮化铜，氧氮化铜，氧化铝，氮化铝和氮氧化铝中的一种或多种的变黑层。
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公开(公告)号：WO2016159602A1
公开(公告)日：2016-10-06
申请号：PCT/KR2016/003109
申请日：2016-03-28
Applicant: 주식회사 엘지화학
CPC classification number: G02F1/133502 , B32B3/266 , B32B9/04 , B32B15/04 , B32B2307/202 , B32B2307/416 , B32B2309/105 , C03C17/36 , C03C17/3605 , C03C17/3626 , C03C17/3649 , C03C17/3671 , C23C14/0036 , C23C14/0676 , C23C14/185 , G02F1/13338 , G02F1/134363 , G02F1/13439 , G06F3/041 , G06F3/044 , G06F2203/04103 , H01L51/00 , H01L51/5203 , H01L51/5281
Abstract: 본 명세서는 전도성 구조체, 이의 제조방법 및 전도성 구조체를 포함하는 전극 및 전자 장치에 관한 것이다.
Abstract translation: 本说明书涉及导电结构及其制造方法，以及包括导电结构的电极和电子器件。
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公开(公告)号：WO2016153317A1
公开(公告)日：2016-09-29
申请号：PCT/KR2016/003073
申请日：2016-03-25
Applicant: 주식회사 엘지화학
CPC classification number: G06F3/0412 , G02B1/10 , G06F3/044 , G06F2203/04102 , G06F2203/04103 , G06F2203/04112 , H01B5/14
Abstract: 본 명세서는 전도성 구조체 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
Abstract translation: 本说明书涉及导电结构及其制造方法。
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公开(公告)号：WO2015076572A1
公开(公告)日：2015-05-28
申请号：PCT/KR2014/011174
申请日：2014-11-20
Applicant: 주식회사 엘지화학
IPC: G06F3/041
CPC classification number: G06F3/041 , G06F2203/04103 , H01L31/02167 , H01L31/022425 , H05K1/0274 , H05K1/09 , H05K3/10 , H05K3/22
Abstract: 본 명세서는 전도성 층의 전도도에 영향을 미치지 않으면서도 전도성 층에 의한 반사를 방지할 수 있으며 흡광도를 향상시킴으로써 전도성 층의 은폐성을 향상시키기 위한 발명에 관한 것이다. 이를 위해 본 발명의 전도성 구조체는 기재, 전도성 층, 상기 전도성 층의 일면상에 구비되는 암색화 층을 포함하며 상기 암색화층은 CU x O y N z 로 표시되는 구리질산화물을 포함하여 구성된다.
Abstract translation: 本说明书涉及通过改善吸收性和防止导电层的反射而不影响导电层的电导率来改善导电层的隐蔽性的发明。 为此，根据本发明的导电结构包括在导电层的一个表面上设置的基板，导电层和变暗层，该暗层包含由Cu x O y N 2表示的铜和氮氧化物。
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