公开(公告)号：KR1020030048542A

公开(公告)日：2003-06-25

申请号：KR1020010078466

申请日：2001-12-12

Applicant: 주식회사 한국전자홀딩스

Inventor： 안병기 ,  한명수

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L2224/16225

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a bump of an infrared sensing device and a bump structure are provided to be capable of reducing the short between the bump and a contact pad, and between the bumps by using the second insulating layer. CONSTITUTION: After forming the first insulating layer(30) on a lower chip, bump connecting metal layers(27,28) are formed on the upper portion of the first insulating layer(30). At this time, one end portions of the bump connecting metal layers are connected with pads(26) of the lower chip, respectively. The second insulating layer(35) is deposited on the entire surface of the resultant structure. After exposing the predetermined contact portions of the bump connecting metal layers by selectively etching the second insulating layer, conductive metal is coated on the resultant structure for forming bumps. Circular bumps(42) are formed on the contact portions by using a lift-off process and a reflow process.

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造红外感测装置和凸块结构的凸块的方法，以能够通过使用第二绝缘层来减小凸块和接触垫之间以及凸块之间的短路。 构成：在下部芯片上形成第一绝缘层（30）之后，在第一绝缘层（30）的上部形成凸起连接金属层（27,28）。 此时，突起连接金属层的一个端部分别与下部芯片的焊盘（26）连接。 第二绝缘层（35）沉积在所得结构的整个表面上。 通过选择性地蚀刻第二绝缘层来暴露凸块连接金属层的预定接触部分之后，在所得结构上涂覆导电金属以形成凸块。 通过使用剥离工艺和回流工艺在接触部分上形成圆形凸起（42）。

公开(公告)号：KR1020030048543A

公开(公告)日：2003-06-25

申请号：KR1020010078467

申请日：2001-12-12

Applicant: 주식회사 한국전자홀딩스

Inventor： 안병기 ,  한명수 ,  정민석

IPC: H01L31/09

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing an upper chip of an infrared sensing device and an upper chip structure are provided to be capable of minimizing the cross talk between cells and improving the reliability of the device by using an anti-cross talk layer. CONSTITUTION: A plurality of cells(19a,19b) are formed and separated apart from each other by an isolating layer(5). An anti-cross talk layer(17) is then formed on the entire surface of the resultant structure. After forming a photoresist layer(18) on the anti-cross talk layer(17), a photoresist pattern is formed by selectively etching the photoresist layer(18). A wet etching process is carried out at the resultant structure using the photoresist pattern as a mask. At this time, under-cut phenomenon is generated at the anti-cross talk layer(17) formed on the lower portion of the photoresist pattern for a predetermined time. When the anti-cross talk layer(17) is shaped into a triangle, The wet etching process is stopped. After removing the photoresist pattern, an upper common electrode and an infrared absorbing layer are sequentially formed on the resultant structure.

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造红外感测装置和上部芯片结构的上部芯片的方法，其能够通过使用抗串扰层来最小化小区之间的串扰，并提高装置的可靠性。 构成：多个电池（19a，19b）通过隔离层（5）形成并分开。 然后在所得结构的整个表面上形成抗交叉层（17）。 在抗交叉层（17）上形成光致抗蚀剂层（18）之后，通过选择性地蚀刻光致抗蚀剂层（18）形成光致抗蚀剂图案。 在使用光致抗蚀剂图案作为掩模的所得结构下进行湿蚀刻处理。 此时，在形成在光致抗蚀剂图案的下部的抗串扰层（17）上产生预切断现象。 当抗串扰层（17）成形为三角形时，停止湿蚀刻工艺。 在除去光致抗蚀剂图案之后，在所得到的结构上依次形成上部公共电极和红外线吸收层。

公开(公告)号：KR100636836B1

公开(公告)日：2006-10-20

申请号：KR1020040033496

申请日：2004-05-12

Applicant: 주식회사 한국전자홀딩스

Inventor： 김현철 ,  홍기석 ,  안병기

IPC: H01L27/04

Abstract: 본 발명은 정전기 방전 보호 소자에 관한 것으로서, 비교적 높은 동작 전압에서 역방향 항복 전압을 만족하면서 저항 성분도 줄임으로써, 소자 특성을 향상시키고, 또한 애노드 영역과 캐소드 영역의 수직 방향의 길이 증가는 억제하고, 수평 방향의 길이 성분은 증가시킴으로써, 소자 특성을 향상시킬 수 있도록, 평면상 사각 링 형태로 형성된 소자 격리층과, 소자 격리층의 안쪽 영역 전체에 일정 깊이로 형성된 P-웰과, 소자 격리층의 안쪽 영역으로서 P-웰의 표면으로부터 하부로 일정깊이까지 평면상 사각 링 형태로 형성된 산화막과, 소자 격리층과 산화막 사이에, P-웰의 표면으로부터 하부로 일정깊이까지 평면상 사각 링 형태로 형성된 P+ 애노드 영역과, P+ 애노드 영역의 하부로부터 일정 깊이까지 형성된 P- 애노드 도핑층과, 산화막의 안쪽 영역으로서 P-웰의 표면으로부터 하부로 일정깊이까지 형성된 N+ 캐소드 영역과, N+ 캐소드 영역의 하부로부터 일정 깊이까지 형성된 N- 캐소드 도핑층으로 이루어진 것을 특징으로 함.
ESD, 정전기, 다이오드, 도핑층, 애노드, 캐소드

公开(公告)号：KR100437150B1

公开(公告)日：2004-06-25

申请号：KR1020010078466

申请日：2001-12-12

Applicant: 주식회사 한국전자홀딩스

Inventor： 안병기 ,  한명수

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L2224/16225

Abstract: 플립 칩 본딩시 상하부 범프간의 안정된 전기적 연결이 가능하도록 하고, 범프자체의 접촉 사이즈를 줄이기 위하여 적외선 감지 소자의 범프 제조방법이 개시된다. 그러한 적외선 감지 소자의 플립칩 본딩을 위한 범프 제조방법은, 하부 칩에 형성된 메사구조의 제1 절연층 상부에 리드아웃 칩의 패드와 각기 연결되는 하부 범프 연결메탈을 각기 독립적으로 형성한 후, 제2 절연층을 전면적으로 적층하는 단계와; 상기 적층된 제2 절연층을 선택적으로 식각하여 상기 하부 범프 연결메탈의 접촉부를 노출시킨 다음 범프를 이룰 도전성 금속을 도포하는 단계와; 상기 도포된 도전성 금속을 공정처리하여 플립칩 본딩을 위한 대체로 구형의 범프를 각기 형성하는 단계를 구비한다.

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造红外感测装置和凸块结构的凸块的方法，其能够通过使用第二绝缘层来减小凸块与接触垫之间以及凸块之间的短路。 构成：在下芯片上形成第一绝缘层（30）之后，在第一绝缘层（30）的上部形成凸点连接金属层（27,28）。 此时，凸点连接金属层的一个端部分别与下芯片的焊盘（26）连接。 第二绝缘层（35）沉积在所得结构的整个表面上。 在通过选择性蚀刻第二绝缘层来暴露凸块连接金属层的预定接触部分之后，将导电金属涂覆在用于形成凸块的所得结构上。 通过使用剥离工艺和回流工艺在接触部分上形成圆形凸块（42）。

公开(公告)号：KR1020030046281A

公开(公告)日：2003-06-12

申请号：KR1020010076782

申请日：2001-12-05

Applicant: 주식회사 한국전자홀딩스

Inventor： 임성수 ,  한명수 ,  안병기 ,  강대석

IPC: C04B35/468 ,  C04B35/624 ,  H01B3/12

CPC classification number: C04B35/468 ,  C04B35/624 ,  C04B2111/00844 ,  C04B2111/90 ,  C04B2235/3234 ,  H01B3/12 ,  H01G4/1227

Abstract: PURPOSE: A preparation method of pyroelectric ceramic powder for uncooled infrared sensor by a sol-gel method is provided, which offers homogeneity, small particles and low calcination temperature, and decreases pore volume and pore size in sintered products to improve dielectric and pyroelectric properties. CONSTITUTION: The pyroelectric ceramic powder for uncooled infrared sensor is expressed by the formula of (BaaSrbCac)(1-y)Dy AxTi(1-x)Oa, wherein D is Y2O3, La2O3 or Dy2O3, A is MnCO3, 55

Abstract translation: 目的：提供通过溶胶 - 凝胶法制造非致冷红外传感器的热电陶瓷粉末的制备方法，其提供均匀性，小颗粒和低煅烧温度，并降低烧结产品中的孔体积和孔径，以改善电介质和热电性能。 构成：用于非制冷红外线传感器的热电陶瓷粉末由（BaaSrbCac）（1-y）Dy AxTi（1-x）Oa的式表示，其中D为Y2O3，La2O3或Dy2O3，A为MnCO3，55 <= a <= 70，25 <= b <= 40,0 <= c <= 15，a + b + c = 100摩尔％，0 <= z <= 0.2摩尔％，0 <= z <= 1.5摩尔％ 。 热电陶瓷通过以下步骤制备：将乙酸钡，乙酸锶和乙酸钙倒入装有12-15M乙酸的反应器中; 将N2气流入反应器，加热至110-120℃，以除去一些水分和乙酸; 将反应器的温度降至60-80℃; 加入异丙醇钛和2-甲氧基乙醇的混合物; 将反应物在60-80℃下混合40-60分钟; 向反应器中的（BaSrCa）TiO 3溶液中加入2-甲氧基乙醇和纯水进行凝胶化; 在100℃干燥; 焙烧750℃ 球磨煅烧粉末在乙醇介质中的尺寸为0.1微米; 超声波成型和烧结。

公开(公告)号：KR1020050108586A

公开(公告)日：2005-11-17

申请号：KR1020040033496

申请日：2004-05-12

Applicant: 주식회사 한국전자홀딩스

Inventor： 김현철 ,  홍기석 ,  안병기

IPC: H01L27/04

CPC classification number: H01L27/0255

Abstract: 본 발명은 정전기 방전 보호 소자에 관한 것으로서, 비교적 높은 동작 전압에서 역방향 항복 전압을 만족하면서 저항 성분도 줄임으로써, 소자 특성을 향상시키고, 또한 애노드 영역과 캐소드 영역의 수직 방향의 길이 증가는 억제하고, 수평 방향의 길이 성분은 증가시킴으로써, 소자 특성을 향상시킬 수 있도록, 평면상 사각 링 형태로 형성된 소자 격리층과, 소자 격리층의 안쪽 영역 전체에 일정 깊이로 형성된 P-웰과, 소자 격리층의 안쪽 영역으로서 P-웰의 표면으로부터 하부로 일정깊이까지 평면상 사각 링 형태로 형성된 산화막과, 소자 격리층과 산화막 사이에, P-웰의 표면으로부터 하부로 일정깊이까지 평면상 사각 링 형태로 형성된 P+ 애노드 영역과, P+ 애노드 영역의 하부로부터 일정 깊이까지 형성된 P- 애노드 도핑층과, 산화막의 안쪽 영역으 로서 P-웰의 표면으로부터 하부로 일정깊이까지 형성된 N+ 캐소드 영역과, N+ 캐소드 영역의 하부로부터 일정 깊이까지 형성된 N- 캐소드 도핑층으로 이루어진 것을 특징으로 함.

公开(公告)号：KR1020040053600A

公开(公告)日：2004-06-24

申请号：KR1020020080748

申请日：2002-12-17

Applicant: 주식회사 한국전자홀딩스

Inventor： 안병기 ,  한명수 ,  강대석

IPC: G01J1/00

CPC classification number: G01J5/20 ,  G01J3/108 ,  G01J5/34

Abstract: PURPOSE: An infrared sensor unit is provided to improve sensor characteristics while constantly maintaining the sensor characteristics for a long period of time by increasing dielectric constant of the infrared sensor unit in a normal temperature. CONSTITUTION: An infrared sensor unit(100) includes a substrate(102) having a plate shape, an infrared sensor(108) attached to an upper surface of the substrate, and a conductive wire(110) for electrically connecting the infrared sensor(108) to the substrate(102). An FET(112) is connected to a lower surface of the substrate. A plurality of conductive leads(114) are connected to a lower portion of the substrate. The leads(114) pass through a base(116). A cap(118) is coupled to an outer portion of the base(116). A lens(120) is coupled to an upper portion of the cap(118) so as to allow infrared ray to pass through the infrared sensor(108).

Abstract translation: 目的：提供红外传感器单元，以通过增加红外传感器单元在常温下的介电常数，长时间保持传感器特性，从而提高传感器特性。 构成：红外线传感器单元（100）包括具有板状的基板（102），安装在基板的上表面的红外线传感器（108）和用于将红外线传感器（108） ）到基板（102）。 FET（112）连接到基板的下表面。 多个导电引线（114）连接到基板的下部。 引线（114）穿过基座（116）。 帽（118）联接到基部（116）的外部部分。 透镜（120）联接到盖（118）的上部，以便允许红外线通过红外传感器（108）。