公开(公告)号：KR1019980002312A

公开(公告)日：1998-03-30

申请号：KR1019960023766

申请日：1996-06-26

Applicant: 최덕균

Inventor： 최덕균 ,  송경섭

IPC: C30B19/12

公开(公告)号：KR100232100B1

公开(公告)日：1999-12-01

申请号：KR1019960023766

申请日：1996-06-26

Applicant: 최덕균

Inventor： 최덕균 ,  송경섭

IPC: C30B19/12

Abstract: 본 발명은 다결정 실리콘막 형성 방법에 관한 것으로, 그레인의 성장 방향에 따른 전자 또는 정공의 이동도 저하를 방지하기 위하여 비정질 실리콘막에 전기장을 형성하되, 그 방향과 세기를 조절하여 크레인의 크기 및 성장 방향이 제어되도록 한다. 따라서 소자의 동작 특성에 적합한 다결정 실리콘막을 용이하게 형성할 수 있다. 또한 종래보다 낮은 온도에서 짧은 시간동안 열처리를 실시하여 양질의 다결정 실리콘막을 형성사므로써 생산 원가가 절감되며 소자의 수율이 향상될 수 있는 다결정 실리콘막 형성 방법에 관한 것이다.