公开(公告)号：KR102012679B1

公开(公告)日：2019-08-21

申请号：KR1020180017849

申请日：2018-02-13

Applicant: 충남대학교산학협력단

Inventor： 오동호 ,  김현석

IPC: G10K11/178

公开(公告)号：KR102055306B1

公开(公告)日：2019-12-12

申请号：KR1020180037768

申请日：2018-03-30

Applicant: 충남대학교산학협력단

Inventor： 김현석 ,  김종헌 ,  김형도

IPC: H01M4/13 ,  H01M4/66 ,  H01M2/02 ,  H01M10/04 ,  H01M10/0585

公开(公告)号：KR1020170080506A

公开(公告)日：2017-07-10

申请号：KR1020160181984

申请日：2016-12-29

Applicant: 충남대학교산학협력단

Inventor： 김현석 ,  김양수 ,  김종헌

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/02

Abstract: 본발명은높은이동도및 신뢰성과함께우수한박막트랜지스터특성을나타내는박막트랜지스터와그 제조방법및 상기박막트랜지스터를포함하는전자소자에관한것으로, 보다상세하게는반도체물질로형성된채널층; 상기채널층상에서로마주보며위치하는소스전극및 드레인전극; 상기채널층에전계를인가하기위한게이트전극; 및상기게이트전극과상기채널층사이에개재된게이트절연층;을포함하는박막트랜지스터에있어서, 상기채널층은암모니아를포함한플라즈마로처리된금속질산화물박막으로이루어진것을특징으로하는박막트랜지스터와그 제조방법및 상기박막트랜지스터를포함하는전자소자에관한것이다.

Abstract translation: 本发明涉及具有高迁移率和可靠性的优异薄膜晶体管特性的薄膜晶体管及其制造方法，以及包括该薄膜晶体管的电子器件，并且更具体地涉及由半导体材料形成的沟道层。 在沟道层上彼此相对设置的源电极和漏电极; 用于向沟道层施加电场的栅电极; 并且，在栅电极和沟道层之间夹设有栅极绝缘层，其中，沟道层由用含氨的等离子体处理过的金属氮化物薄膜形成，其制造方法 以及包括该薄膜晶体管的电子器件。

公开(公告)号：KR102000036B1

公开(公告)日：2019-07-15

申请号：KR1020160180680

申请日：2016-12-28

Applicant: 충남대학교산학협력단

Inventor： 오동호 ,  김현석

IPC: G10K11/178