公开(公告)号：KR101067280B1

公开(公告)日：2011-09-23

申请号：KR1020090014614

申请日：2009-02-23

Applicant: 충남대학교산학협력단

Inventor： 김의태 ,  박영수

IPC: B82B3/00 ,  B82B1/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 본 발명은 기상-액상-고상(vapor-liquid-solid, VLS)법에 의한 GeSbTe 나노선의 제조 방법에 있어서 금(Au) 박막이 형성된 기판 상에 Sb
2 Te
3 (ST)를 공급하여 VLS 법에 의해 SbTe 씨앗 나노선(seed 나노선)을 성장시키는 단계; 및 상기 씨앗 나노선에 GeTe(GT)와 Sb
2 Te
3 (ST)를 동시에 공급하여 VLS 법에 의해 GeSbTe 나노선을 성장시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 GeSbTe 나노선의 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명에 의하면, Si 웨이퍼 기판 위에서 GST가 뭉치는 현상 없이 GST 나노선을 제조할 수 있을 뿐만 아니라, 제조되는 GST 나노선의 지름을 사용한 Au 금속 박막의 두께에 따라 균일하게 제어할 수 있다. 또한 본 발명에 의한 GST 나노선의 제조방법을 상변이 메모리 소자의 제조에 적용하면, 나노선 개개를 응용한 소자들의 특성을 균일하게 제어할 수 있다.
GeSbTe, GeTe, Sb2Te3, 상변화메모리, PRAM, 비휘발성 메모리, 나노선, VLS

公开(公告)号：KR1020100095680A

公开(公告)日：2010-09-01

申请号：KR1020090014614

申请日：2009-02-23

Applicant: 충남대학교산학협력단

Inventor： 김의태 ,  박영수

IPC: B82B3/00 ,  B82B1/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: H01L21/02603 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/02653 ,  H01L29/0669 ,  H01L45/144

Abstract: PURPOSE: A manufacturing method of a germanium-antimony-tellurium(GeSbTe,GST) nanowire is provided to manufacture a GST nanowire without the agglomeration of GST on a Si wafer substrate. CONSTITUTION: A manufacturing method of a germanium-antimony-tellurium(GST) nanowire using an antimony-tellurium(SbTe) seed nanowire comprises the following steps: supplying Sb_2Te_3 to a substrate including a gold thin film, to grow the SbTe seed nanowire; and supplying GeTe and the Sb_2Te_3 to the SbTe seed nanowire to grow the GST nanowire through a VLS(vapor-liquid-solid) method. The substrate is either a silicon wafer or an amorphous glass substrates.

Abstract translation: 目的：提供锗 - 锑 - 碲（GeSbTe，GST）纳米线的制造方法来制造GST纳米线，而不会在Si晶片衬底上产生GST的聚集。 构成：使用锑 - 碲（SbTe）种子纳米线的锗 - 锑 - 碲（GST）纳米线的制造方法包括以下步骤：将Sb_2Te_3供给到包含金薄膜的基板上，以生长SbTe种子纳米线; 并通过VLS（气 - 液 - 固）法将GeTe和Sb_2Te_3提供给SbTe种子纳米线以生长GST纳米线。 衬底是硅晶片或非晶玻璃衬底。