公开(公告)号：KR101950367B1

公开(公告)日：2019-02-20

申请号：KR1020170066173

申请日：2017-05-29

Applicant: 충남대학교산학협력단

Inventor： 신원규 ,  정규원

IPC: C25B11/04 ,  C25B1/04 ,  C25B1/00 ,  C23C16/40 ,  C23C14/06 ,  C23C14/08 ,  C23C14/24 ,  C23C14/22

公开(公告)号：KR101877319B1

公开(公告)日：2018-07-11

申请号：KR1020170066154

申请日：2017-05-29

Applicant: 충남대학교산학협력단

Inventor： 신원규 ,  정규원

IPC: C01G9/02

CPC classification number: C01G9/02 ,  C01P2004/16

Abstract: 산화아연나노와이어의제조장치및 방법이개시되어있다. 본발명은, 실리콘기판상부에탄소촉매층을형성하는단계; 및상기탄소촉매층에산화아연증기를열화학기상증착방법을통해서증착시켜서다수의산화아연나노와이어를상기실리콘기판에대해수직방향으로성장시키는단계:를포함하는것을특징으로한다.