公开(公告)号：KR101955671B1

公开(公告)日：2019-03-07

申请号：KR1020170037862

申请日：2017-03-24

Applicant: 충남대학교산학협력단

Inventor： 김의태 ,  충트란남

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/324 ,  H01L29/16 ,  H01L21/463 ,  H01L21/02

公开(公告)号：KR101905801B1

公开(公告)日：2018-10-08

申请号：KR1020170044768

申请日：2017-04-06

Applicant: 충남대학교산학협력단

Inventor： 김의태 ,  충트란남 ,  김동옥

IPC: H01B13/00 ,  H01B13/30 ,  H01B5/14

CPC classification number: H01B13/0026 ,  H01B1/02 ,  H01B5/14 ,  H01B13/0016 ,  H01B13/30

Abstract: 본발명은그래핀층 상에선택적으로은 나노선을직접성장시킬수 있어그래핀-은나노선하이브리드패턴의형성에적용할수 있는그래핀상에은 나노선의직접성장방법에관한것으로, 보다상세하게는 (A) 기판상에그래핀층을형성하는단계; (B) 그래핀층이형성된기판을은 나노입자의전구체용액에침지하는단계; 및 (C) 상기은 나노입자의전구체용액에구연산염을가하여환원시키는단계;를포함하는것을특징으로하는그래핀상에은 나노선의직접성장방법에관한것이다.