광 자기 기록 매체 및 그 제조 방법
    3.
    发明授权
    광 자기 기록 매체 및 그 제조 방법 失效
    磁光记录介质及其制造方法

    公开(公告)号:KR100684139B1

    公开(公告)日:2007-02-20

    申请号:KR1020047008037

    申请日:2002-11-25

    Abstract: It is an object of the present invention to provide a magneto-optical recording medium including a recording film having at least a reproduction layer, an intermediate layer, and a recording layer, on an optical disk substrate, wherein the recording film is a magnetic film that is magnetically coupled and that has magnetic anisotropy in a direction vertical to its film surface, the recording magnetic domains formed in the recording layer are transferred to the reproduction layer, and recording information is reproduced by domain wall movement in the reproduction layer, and the recording layer has columnar structures that are oriented substantially vertically. Thus, it is possible to provide a magneto-optical recording medium with which signals below the diffraction limit of the light spot for recording and reproducing information can be reproduced at high speed, with which the recording density and the transfer speed can be significantly increased, and with which stable recording magnetic domains can be formed even if recorded at high density.

    광자기 기록매체와 그의 제조방법 및 그의 재생방법과재생장치
    4.
    发明授权
    광자기 기록매체와 그의 제조방법 및 그의 재생방법과재생장치 失效
    MAGNETO光学记录介质及其制造方法及其读取装置

    公开(公告)号:KR100513437B1

    公开(公告)日:2005-09-07

    申请号:KR1020027016284

    申请日:2001-05-28

    Abstract: DWDD 시스템을 사용한 안정된 재생이 가능한 광자기 기록매체가 제공된다. 본 발명의 광자기 기록매체는 광디스크 기판(1)과, 필수적으로 기판상에 형성되는 재생층(13), 중간층(14) 및 기록층(15)을 포함하여 구성된다. 재생층은 기록층보다 작은 자성영역 벽포화보자력을 가진다. 중간층은 그의 퀴리온도가 재생층 및 기록층보다 낮은 자성층을 포함하여 구성된다. 기록/재생 정보에 대응하는 기록/재생 자성영역은 광디스크 기판의 홈(2a)영역에만 형성된다. 상호간에 인접한 기록트랙영역 사이의 경계(3a)에서의 기록막의 두께는 기록트랙 영역의 중심부에서의 기록막의 두께보다 얇다.

    메모리 셀과 이것을 이용한 메모리 및 메모리 셀의제조방법 및 메모리의 기록/독출 방법
    7.
    发明授权
    메모리 셀과 이것을 이용한 메모리 및 메모리 셀의제조방법 및 메모리의 기록/독출 방법 失效
    存储单元,使用存储单元的存储器,存储器单元制造方法和存储器记录/读取方法

    公开(公告)号:KR101006669B1

    公开(公告)日:2011-01-10

    申请号:KR1020057015824

    申请日:2004-03-31

    CPC classification number: G11C11/14 B82Y10/00 H01L27/228

    Abstract: 종래의 메모리와는 완전히 구성이 상이하고, 여러 가지 특성이 뛰어난 메모리 셀과 그 제조방법을 제공한다. 또한, 상기 메모리 셀을 이용함으로써 여러 가지 특성이 뛰어난 메모리를 제공한다. 또한, 상기 메모리의 기록/독출 방법을 제공한다. 정보를 유지하는 메모리 매체와, 상기 메모리 매체에 정보를 기록하는 제어부와, 상기 메모리 매체로부터 정보를 독출하는 검출 소자를 포함하고, 상기 검출 소자는 상기 메모리 매체로부터 독립하여 있는 메모리 셀로 한다. 보다 구체적으로는, 예를 들면, 상기 메모리 매체가 자성체이고, 상기 제어부는 상기 자성체에 자계를 인가함으로써 상기 자성체의 자화 상태를 변화시키는 제1 자계 발생부를 포함하며, 상기 검출 소자는 상기 자성체의 근방에 배치되어 있고 또한 상기 자성체의 상기 자화 상태에 따라 전기적 특성이 상이한 자전 변환부를 포함하는 메모리 셀로 한다.

    메모리 셀과 이것을 이용한 메모리 및 메모리 셀의제조방법 및 메모리의 기록/독출 방법
    8.
    发明公开
    메모리 셀과 이것을 이용한 메모리 및 메모리 셀의제조방법 및 메모리의 기록/독출 방법 失效
    存储单元,使用存储单元的存储器,存储器单元制造方法和存储器记录/读取方法

    公开(公告)号:KR1020050114220A

    公开(公告)日:2005-12-05

    申请号:KR1020057015824

    申请日:2004-03-31

    Abstract: A memory cell having a structure quite different from those of conventional memory cells and having various excellent characteristics. Its manufacturing method, a memory comprising such memory cells and resultantly having excellent characteristics, and a method for recording/reading information in/from the memory are also disclosed. The memory cell comprises a memory medium capable of holding information, a control unit for recording information in the memory medium, and a sensing element for reading information from the memory medium. The sensing element is provided independently of the memory medium. More specifically, the memory medium is, for example, a magnetic body, the control unit comprises a first magnetic field generating section for varying the magnetized state of the magnetic body by applying a magnetic field to the magnetic body, and the sensing element is disposed near the magnetic body and has a magnetic-to-electric conversion section having an electric characteristic varying with the magnetized state of the magnetic body.

    Abstract translation: 具有与常规存储单元的结构非常不同的结构并且具有各种优异特性的存储单元。 其制造方法,包括这种存储单元并且结果具有优异特性的存储器以及用于在存储器中记录/读取信息的方法也被公开。 存储单元包括能够保存信息的存储介质,用于在存储介质中记录信息的控制单元和用于从存储介质读取信息的感测元件。 感测元件独立于存储介质提供。 更具体地,存储介质例如是磁体,控制单元包括:第一磁场产生部,用于通过向磁体施加磁场来改变磁体的磁化状态,并且设置感测元件 在磁体附近,具有磁特性随着磁体的磁化状态变化的电特性的磁电转换部。

Patent Agency Ranking