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公开(公告)号：KR101366735B1
公开(公告)日：2014-02-24
申请号：KR1020137003608
申请日：2012-01-31
Applicant: 파나소닉 주식회사
IPC: H01L41/113 , H01L41/18 , H01L41/22 , H02N2/00
CPC classification number: H05K1/18 , H01L41/042 , H01L41/1136 , H02N2/181 , H02N2/186
Abstract: 소형화를 도모하면서도 고출력화를 도모할 수 있는 발전 디바이스 및 그것을 사용한 발전 모듈을 제공한다. 발전 디바이스(1)는, 발전부(20)가, 압전체(21)의 두께 방향의 양면에 형성되고 서로 대향하는 2개 1조(組)의 전극(22, 23)과 압전체(21)에 있어서 2개 1조의 전극(22, 23)에 협지(挾持)된 부분인 기능부(21a)로 구성되는 복수의 발전 엘리먼트(200)를 가지고 있다. 또한, 발전 디바이스(1)는, 복수의 발전 엘리먼트(200)가, 하나 또는 복수의 제1 발전 엘리먼트(201)와 하나 또는 복수의 제2 발전 엘리먼트(202)로 이루어진다. 제1 발전 엘리먼트(201)와 제2 발전 엘리먼트(202)는, 압전체(21)의 두께 방향을 따른 분극(分極) 방향이 서로 반대 방향이다. 발전부(20)는, 쌍을 이루는 제1 발전 엘리먼트(201)와 제2 발전 엘리먼트(202)가, 압전체(21)의 두께 방향의 동일면 측에 형성된 전극(22, 22)끼리를 접속하는 배선부(24)에 의해 접속되고, 복수의 발전 엘리먼트(200) 모두 직렬로 접속되어 있다.
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公开(公告)号：KR101325000B1
公开(公告)日：2013-11-04
申请号：KR1020127021962
申请日：2011-03-30
Applicant: 파나소닉 주식회사
IPC: H01L41/22 , G01J1/02 , H01L41/113
CPC classification number: G01J5/34 , H01L28/56 , H01L37/02 , H01L41/1136 , H01L41/313 , H01L41/319
Abstract: 제2 기판의 일표면측에 소정 패턴의 시드층을 형성하고, 제2 기판의 상기 일표면측에 강유전체층을 형성한다. 강유전체층 상에 하부 전극을 형성하고, 하부 전극과 제1 기판을 접합층을 통하여 접합한다. 소정 파장의 레이저광을 제2 기판의 다른 표면측으로부터 조사하여 강유전체층 중 시드층과 겹쳐지는 강유전체막 및 시드층을 제1 기판의 상기 일표면측에 전사한다. 레이저광을, 제2 기판을 투과하고, 시드층에 의해 반사되고, 또한 강유전체층 중 시드층과 겹쳐지지 않는 제2 부분에 흡수되는 파장의 광으로 한다.
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公开(公告)号：KR1020120137493A
公开(公告)日：2012-12-21
申请号：KR1020127026505
申请日：2011-04-28
Applicant: 파나소닉 주식회사
IPC: H02N2/00
CPC classification number: H01L41/1136
Abstract: 진동 발전 디바이스는, 프레임부, 상기 프레임부의 내측에 설치된 추부, 상기 프레임부와 상기 추부 사이를 이어 상기 추부가 변위함으로써 휘는 휨부, 및 적어도 상기 휨부에 배치되고 상기 추부의 진동에 따라 교류 전압을 발생하도록 구성되는 발전부을 포함한다. 상기 프레임부 및 상기 추부는 실리콘 기판을 사용하여 형성된다. 상기 발전부의 표면에는 수지 재료로 형성된 탄성막을 구비한다. 상기 휨부는, 상기 프레임부와 상기 추부를 구성하는 실리콘보다 영률이 작은 상기 수지 재료를 사용하여 형성한 상기 탄성막으로 이루어진다.
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公开(公告)号：KR101366734B1
公开(公告)日：2014-02-24
申请号：KR1020137003851
申请日：2011-08-23
Applicant: 파나소닉 주식회사
IPC: H01L41/047 , H02N2/04
CPC classification number: H01L41/1136 , H02N2/186
Abstract: 지지부와 상기 지지부에 요동 가능하게 지지된 캔틸레버부를 구비한 베이스 기판과, 캔틸레버부에 형성되고 상기 캔틸레버부의 진동에 따라 교류 전력을 발생하는 발전부를 구비한 진동 발전 소자로서, 발전부는, 베이스 기판의 일 표면 측에서의 캔틸레버부와 중첩되는 부위에서 서로 병설된 제1 압전 변환부와 제2 압전 변환부를 포함하고, 제1 압전 변환부 및 제2 압전 변환부에 공통인 하부 전극이 전기적으로 접속된 공통 전극과, 제1 압전 변환부 및 제2 압전 변환부 각각의 상부 전극이 개별적으로 접속된 개별 전극을 가진다.
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公开(公告)号：KR1020130054343A
公开(公告)日：2013-05-24
申请号：KR1020137003608
申请日：2012-01-31
Applicant: 파나소닉 주식회사
IPC: H01L41/113 , H01L41/18 , H01L41/22 , H02N2/00
CPC classification number: H05K1/18 , H01L41/042 , H01L41/1136 , H02N2/181 , H02N2/186
Abstract: 소형화를 도모하면서도 고출력화를 도모할 수 있는 발전 디바이스 및 그것을 사용한 발전 모듈을 제공한다. 발전 디바이스(1)는, 발전부(20)가, 압전체(21)의 두께 방향의 양면에 형성되고 서로 대향하는 2개 1조(組)의 전극(22, 23)과 압전체(21)에 있어서 2개 1조의 전극(22, 23)에 협지(挾持)된 부분인 기능부(21a)로 구성되는 복수의 발전 엘리먼트(200)를 가지고 있다. 또한, 발전 디바이스(1)는, 복수의 발전 엘리먼트(200)가, 하나 또는 복수의 제1 발전 엘리먼트(201)와 하나 또는 복수의 제2 발전 엘리먼트(202)로 이루어진다. 제1 발전 엘리먼트(201)와 제2 발전 엘리먼트(202)는, 압전체(21)의 두께 방향을 따른 분극(分極) 방향이 서로 반대 방향이다. 발전부(20)는, 쌍을 이루는 제1 발전 엘리먼트(201)와 제2 발전 엘리먼트(202)가, 압전체(21)의 두께 방향의 동일면 측에 형성된 전극(22, 22)끼리를 접속하는 배선부(24)에 의해 접속되고, 복수의 발전 엘리먼트(200) 모두 직렬로 접속되어 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101466781B1
公开(公告)日：2014-11-28
申请号：KR1020137004347
申请日：2011-09-28
Applicant: 파나소닉 주식회사
IPC: H02N2/18 , H01L41/18 , H01L41/22 , H01L41/113
CPC classification number: H01L41/1136 , H02N2/181 , H02N2/186
Abstract: 진동 발전 소자는, 지지부 및 캔틸레버부를 포함하는 베이스 기판과, 캔틸레버부의 진동에 따라 교류 전력을 발생하기 위한 발전부를 포함한다. 발전부는, 캔틸레버부과 중첩되도록 베이스 기판의 일표면 측에 형성된 하부 전극, 캔틸레버부에서 볼 때 하부 전극의 반대 측에 형성된 제1 압전층, 하부 전극에서 볼 때 제1 압전층의 반대 측에 형성된 중간 전극, 제1 압전층에서 볼 때 중간 전극의 반대 측에 형성된 제2 압전층, 및 중간 전극에서 볼 때 제2 압전층의 반대 측에 형성된 상부 전극을 포함한다.
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公开(公告)号：KR101382516B1
公开(公告)日：2014-04-07
申请号：KR1020127027356
申请日：2011-04-18
Applicant: 파나소닉 주식회사
IPC: H01L41/113 , G01J1/02
CPC classification number: H01L41/1136 , B81B2201/032 , B81C1/00658 , G01J5/04 , G01J5/046 , G01J5/34 , G01P15/09 , G01P2015/0828 , H01L37/02 , H01L41/0815 , H02N2/186
Abstract: 본 발명의 강유전체(强誘電體) 디바이스는, 실리콘 기판(제1 기판)(10)의 상기 일표면측에 형성된 하부 전극(제1 전극)(14a)과, 하부 전극(14a)에서의 제1 기판(10) 측과는 반대측에 형성된 강유전체막(14b)과, 강유전체막(14b)에서의 하부 전극(14a) 측과는 반대측에 형성된 상부 전극(제2 전극)(14c)을 구비하고, 강유전체막(14b)이, 실리콘과는 격자(格子) 상수차(常數差)가 있는 강유전체 재료에 의해 형성되어 있다. 하부 전극(14a)의 바로 아래에, 실리콘에 비해 강유전체막(14b)과의 격자 정합성(整合性)이 양호한 재료로 이루어지는 완충층(14d)이 형성되고, 제1 기판(10)에, 완충층(14d)에서의 하부 전극(14a) 측과는 반대의 표면을 노출시키는 공동(空洞)(10a)이 형성되어 있다.
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公开(公告)号：KR1020120139825A
公开(公告)日：2012-12-27
申请号：KR1020127027356
申请日：2011-04-18
Applicant: 파나소닉 주식회사
IPC: H01L41/113 , G01J1/02
CPC classification number: H01L41/1136 , B81B2201/032 , B81C1/00658 , G01J5/04 , G01J5/046 , G01J5/34 , G01P15/09 , G01P2015/0828 , H01L37/02 , H01L41/0815 , H02N2/186
Abstract: 본 발명의 강유전체(强誘電體) 디바이스는, 실리콘 기판(제1 기판)(10)의 상기 일표면측에 형성된 하부 전극(제1 전극)(14a)과, 하부 전극(14a)에서의 제1 기판(10) 측과는 반대측에 형성된 강유전체막(14b)과, 강유전체막(14b)에서의 하부 전극(14a) 측과는 반대측에 형성된 상부 전극(제2 전극)(14c)을 구비하고, 강유전체막(14b)이, 실리콘과는 격자(格子) 상수차(常數差)가 있는 강유전체 재료에 의해 형성되어 있다. 하부 전극(14a)의 바로 아래에, 실리콘에 비해 강유전체막(14b)과의 격자 정합성(整合性)이 양호한 재료로 이루어지는 완충층(14d)이 형성되고, 제1 기판(10)에, 완충층(14d)에서의 하부 전극(14a) 측과는 반대의 표면을 노출시키는 공동(空洞)(10a)이 형성되어 있다.
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公开(公告)号：KR1020120120340A
公开(公告)日：2012-11-01
申请号：KR1020127021962
申请日：2011-03-30
Applicant: 파나소닉 주식회사
IPC: H01L41/22 , G01J1/02 , H01L41/113
CPC classification number: G01J5/34 , H01L28/56 , H01L37/02 , H01L41/1136 , H01L41/313 , H01L41/319
Abstract: 제2 기판의 일표면측에 소정 패턴의 시드층을 형성하고, 제2 기판의 상기 일표면측에 강유전체층을 형성한다. 강유전체층 상에 하부 전극을 형성하고, 하부 전극과 제1 기판을 접합층을 통하여 접합한다. 소정 파장의 레이저광을 제2 기판의 다른 표면측으로부터 조사하여 강유전체층 중 시드층과 겹쳐지는 강유전체막 및 시드층을 제1 기판의 상기 일표면측에 전사한다. 레이저광을, 제2 기판을 투과하고, 시드층에 의해 반사되고, 또한 강유전체층 중 시드층과 겹쳐지지 않는 제2 부분에 흡수되는 파장의 광으로 한다.
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公开(公告)号：KR101526254B1
公开(公告)日：2015-06-08
申请号：KR1020127026505
申请日：2011-04-28
Applicant: 파나소닉 주식회사
IPC: H02N2/00
CPC classification number: H01L41/1136
Abstract: 진동발전디바이스는, 프레임부, 상기프레임부의내측에설치된추부, 상기프레임부와상기추부사이를이어상기추부가변위함으로써휘는휨부, 및적어도상기휨부에배치되고상기추부의진동에따라교류전압을발생하도록구성되는발전부을포함한다. 상기프레임부및 상기추부는실리콘기판을사용하여형성된다. 상기발전부의표면에는수지재료로형성된탄성막을구비한다. 상기휨부는, 상기프레임부와상기추부를구성하는실리콘보다영률이작은상기수지재료를사용하여형성한상기탄성막으로이루어진다.
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