公开(公告)号：KR1020020077429A

公开(公告)日：2002-10-11

申请号：KR1020027010284

申请日：2000-10-26

Applicant: 파커-한니핀 코포레이션

Inventor： 왓치코조지알. ,  수사토드이 ,  개그네딘알. ,  볼랜드데이빗피. ,  샤라케쉬엔.

IPC: H05K9/00

Abstract: 교번하는 높은 접촉점들과 낮은 접촉점들을 갖는 낮은 밀폐력의 가스켓을 형성하는 방법이 개시된다. 이 가스켓은, 인가된 압력하에서 노즐의 오리피스로부터 방출되는 경화가능한 탄성중합체 조성물의 비드로서 기재의 표면 상에 적소 성형(FIP)된다. 이 노즐은, 기재 표면에 대략 평행하게 배치된 적어도 제 1 축을 따라, 그리고 선택적으로, 기재의 표면에 대략 수직하게 배치된 제 2 축을 따라, 기재의 표면에 대해 움직일 수 있다. 노즐은 소정의 속도로, 제 1 축을 따라, 그리고 선택적으로 제 2 축을 따라 이동하여, 기재 상의 주어진 경로를 따라 비드를 가한다. 인가된 압력, 노정(step)의 제 1 축을 따른 노즐의 이동 속도 및 제 2 축을 따른 노즐의 이동 중에서 한가지 이상을 조절하여, 기재 표면에 대해 주기적인 일련의 교번하는 높은 구간 및 낮은 구간으로 비드를 가한다. 그후, 대략 대기압 하에서 탄성중합체 조성물을 경화시켜 기재 표면에 가스켓을 형성하는데, 이때 높은 구간의 비드는 가스켓의 높은 접촉점들을 형성하고, 낮은 구간의 비드는 가스켓의 낮은 접촉 부분들을 형성한다.

公开(公告)号：KR100743531B1

公开(公告)日：2007-07-27

申请号：KR1020027010284

申请日：2000-10-26

Applicant: 파커-한니핀 코포레이션

Inventor： 왓치코조지알. ,  수사토드이 ,  개그네딘알. ,  볼랜드데이빗피. ,  샤라케쉬엔.

IPC: H05K9/00

Abstract: 교번하는 높은 접촉점들과 낮은 접촉점들을 갖는 낮은 밀폐력의 가스켓을 형성하는 방법이 개시된다. 이 가스켓은, 인가된 압력하에서 노즐의 오리피스로부터 방출되는 경화가능한 탄성중합체 조성물의 비드로서 기재의 표면 상에 적소 성형(FIP)된다. 이 노즐은, 기재 표면에 대략 평행하게 배치된 적어도 제 1 축을 따라, 그리고 선택적으로, 기재의 표면에 대략 수직하게 배치된 제 2 축을 따라, 기재의 표면에 대해 움직일 수 있다. 노즐은 소정의 속도로, 제 1 축을 따라, 그리고 선택적으로 제 2 축을 따라 이동하여, 기재 상의 주어진 경로를 따라 비드를 가한다. 인가된 압력, 노정(step)의 제 1 축을 따른 노즐의 이동 속도 및 제 2 축을 따른 노즐의 이동 중에서 한가지 이상을 조절하여, 기재 표면에 대해 주기적인 일련의 교번하는 높은 구간 및 낮은 구간으로 비드를 가한다. 그후, 대략 대기압 하에서 탄성중합체 조성물을 경화시켜 기재 표면에 가스켓을 형성하는데, 이때 높은 구간의 비드는 가스켓의 높은 접촉점들을 형성하고, 낮은 구간의 비드는 가스켓의 낮은 접촉 부분들을 형성한다.
밀폐력, 적소 성형, EMI, 차폐 가스켓, 탄성중합체, 경화, 접촉점