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1.发明公开수소 처리된 NbO2 박막, NbO2 박막의 제조방법 및 NbO2 박막을 구비한 전자소자의 제조방법 审中-实审一种制造电子器件，其包括用于生产氢气和NbO2 NbO2处理薄膜的薄膜，薄膜NbO2的方法的方法
公开(公告)号：KR1020170093428A
公开(公告)日：2017-08-16
申请号：KR1020160014804
申请日：2016-02-05
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
IPC: H01L45/00
Abstract: 본발명은수소도핑처리를통해상온에서도균일하게전압인가 IMT(Insulator-to-Metal transition) 현상을구현할수 있어, ReRAM의셀렉터장치와같은전자소자에적합하게사용될수 있는기술에관한것이다. 본발명에따른 NbO박막은수소가도핑되어있는것을특징으로한다.
Abstract translation: 本发明可以在室温下IMT（绝缘体 - 金属过渡）与氢掺杂处理显影均匀地做到这一点的实现所施加的电压，就可以适当地用于电子设备，如ReRAM的选择器单元的技术。 根据本发明的NbO薄膜的特征在于它掺杂有氢。
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