양성소수성 실리콘 나노와이어 패턴, 이의 형성방법, 이를 이용한 무막 장치 및 이의 제조방법
    1.
    发明授权
    양성소수성 실리콘 나노와이어 패턴, 이의 형성방법, 이를 이용한 무막 장치 및 이의 제조방법 有权
    阳性疏水硅纳米线图案,形成方法,使用其的缺席薄膜装置及其制造方法

    公开(公告)号:KR101745136B1

    公开(公告)日:2017-06-08

    申请号:KR1020150130133

    申请日:2015-09-15

    Inventor: 김동표 고동현

    Abstract: 본발명은 (a) 실리콘웨이퍼상에금속촉매를로딩하는단계; (b) 상기금속촉매가로딩된실리콘웨이퍼를에칭하여실리콘나노와이어패턴을형성하는단계; 및 (c) 상기실리콘나노와이어패턴표면에실리카나노입자들을도포한후, 플루오르화하는단계를포함하는양성소수성실리콘나노와이어패턴, 이의형성방법, 이를이용한무막장치및 이의제조방법에관한것이다.

    Abstract translation: (A)在硅晶片上加载金属催化剂; (b)通过蚀刻加载有金属催化剂的硅晶片形成硅纳米线图案; 和(c)在硅纳米线表面图案的二氧化硅纳米粒子的涂层之后,形成氟化正疏水性硅纳米线图案,其包含的步骤,mumak装置和使用其的方法。

Patent Agency Ranking