公开(公告)号：WO2022060173A1

公开(公告)日：2022-03-24

申请号：PCT/KR2021/012831

申请日：2021-09-17

Applicant: 포항공과대학교 산학협력단

Inventor： 김성지 ,  권용주 ,  방규현

IPC: C09K11/02 ,  C09K11/62 ,  C01B25/08 ,  B82Y40/00

Abstract: 본 발명은 III족 및 V족 원소의 반도체 화합물을 포함하는 비등방성 나노입자 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는, III족 원소 및 V족 원소의 반도체 화합물을 포함하는 비등방적 형상의 단위 구조체가 둘 이상 결합되어 가지형 구조, 하이퍼가지형/덴드리머 구조 또는 불규칙 침상 표면을 가지는 응집체 구조 등의 불규칙 형상을 가지는 비등방성 나노입자 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.

公开(公告)号：WO2022060171A1

公开(公告)日：2022-03-24

申请号：PCT/KR2021/012828

申请日：2021-09-17

Applicant: 포항공과대학교 산학협력단

Inventor： 김성지 ,  권용주

IPC: C09K11/02 ,  B82Y40/00

Abstract: 본 발명은 III족 및 V족 원소를 포함하는 할로겐 원소 도핑 나노클러스터 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는, III족 원소 및 V족 원소를 포함하는 전구체 나노클러스터와 할로겐 전구 화합물과의 반응을 통해 제조된 할로겐 원소 도핑 나노클러스터에 관한 것이다.