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1.황을 포함하는 비휘발성 메모리 특성 브러쉬 고분자 및 그 제조 방법, 이를 이용한 메모리 소자 有权
Title translation: 包含非挥发性记忆性能的硫化物的刷式聚合物及其制造方法,使用其的记忆芯片公开(公告)号:KR1020160022471A
公开(公告)日:2016-03-02
申请号:KR1020140107919
申请日:2014-08-19
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
IPC: C08F228/06 , C08F28/06 , C08L41/00 , C08L101/02 , H01L51/00
CPC classification number: C08F228/06 , C08F28/06 , C08F228/02 , C08L41/00 , C08L101/02 , H01L51/00
Abstract: 본발명은황을포함하는헤테로사이클기능기가말단에도입된브러쉬고분자및 그제조방법과그 응용에관한것이다. 발명된고분자는상부전극과하부전극사이에서이 고분자를활성층으로하는디지털메모리소자로써응용이가능하다.본발명에따른고분자는적어도일부의브러쉬말단에황을포함하는헤테로사이클관능기를가지는메모리소자용폴리비닐브러쉬고분자이다.
Abstract translation: 本发明涉及具有含硫杂环末端官能团的刷式聚合物及其制造方法及其应用。 本发明的聚合物可以应用于包含聚合物作为上电极和下电极之间的活化层的数字存储装置。 此外,根据本发明的聚合物是具有至少部分刷毛聚合物末端部分的硫的杂环官能团的聚乙烯基刷聚合物。
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2.황을 포함하는 비휘발성 메모리 특성 브러쉬 고분자 및 그 제조 방법, 이를 이용한 메모리 소자 有权
Title translation: 含有非离子记忆性的硫磺的聚合物及其使用的记忆芯片的制造方法公开(公告)号:KR101651332B1
公开(公告)日:2016-08-26
申请号:KR1020140107919
申请日:2014-08-19
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
IPC: C08F228/06 , C08F28/06 , C08L41/00 , C08L101/02 , H01L51/00
Abstract: 본발명은황을포함하는헤테로사이클기능기가말단에도입된브러쉬고분자및 그제조방법과그 응용에관한것이다. 발명된고분자는상부전극과하부전극사이에서이 고분자를활성층으로하는디지털메모리소자로써응용이가능하다.본발명에따른고분자는적어도일부의브러쉬말단에황을포함하는헤테로사이클관능기를가지는메모리소자용폴리비닐브러쉬고분자이다.
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