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公开(公告)号：WO2022092731A1
公开(公告)日：2022-05-05
申请号：PCT/KR2021/015009
申请日：2021-10-25
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
IPC: H01L29/786 , H01L29/12 , H01L29/66 , H01L21/02
Abstract: 본 발명은 게이트 전극을 포함하는 기판; 상기 기판 전면에 걸쳐 위치한 게이트 절연막; 상기 게이트 절연막 상의 전면에 위치하는 반도체층; 및 상기 반도체층 상에 서로 이격되어 위치하는 소스/드레인 전극을 포함하고, 상기 반도체층은 cesium tin triiodide (CsSnI3) 또는 methylammonium tin triiodide(MASnI3)을 포함하고, 상기 반도체층은 첨가제를 더 포함하는 박막 트랜지스터를 개시한다.
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