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公开(公告)号：WO2016024676A1
公开(公告)日：2016-02-18
申请号：PCT/KR2014/012656
申请日：2014-12-22
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L27/115
Abstract: 시냅스 모방 소자 및 이의 제조방법을 제공한다. 상기 시냅스 모방 소자는 게이트 전극, 활성층, 상기 게이트 전극 및 활성층 사이에 배치되고, 절연성 고분자 및 이온성 물질을 포함하는 이온젤 게이트 절연층, 및 상기 활성층과 전기적으로 접속하는 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하고, 상기 게이트 전극 또는 활성층은 기판에 지지된다. 이에 따라, 신호 전달과 자가학습을 동시에 수행할 수 있고 신규한 시냅스 모방 소자를 제공할 수 있다.
Abstract translation: 提供了一种突触装置及其制造方法。 突触装置包括：栅电极; 活性层 离子凝胶栅极绝缘层，包括绝缘聚合物和离子材料，布置在栅电极和有源层之间; 以及与所述有源层电连接的源电极和漏电极，其中所述栅电极或所述有源层被支撑在基板上。 因此，本发明可以提供能够同时进行信号传输和自学习的新的突触装置。
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公开(公告)号：WO2016017871A1
公开(公告)日：2016-02-04
申请号：PCT/KR2014/012670
申请日：2014-12-23
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
IPC: C07D277/66 , H01L51/05 , H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: C07D277/66 , H01L27/115 , H01L51/05
Abstract: 본 발명은 메모리 소자용 유기 도핑 재료, 이를 포함하는 비휘발성 메모리 소자 및 이의 제조방법을 제공한다. 본 발명의 메모리 소자용 유기 도핑 재료는 메모리 소자의 반도체에 도핑됨에 따라 상기 반도체가 비휘발성 메모리 특성을 나타내는 효과가 있다. 이에 따라, 강유전 특성을 갖는 게이트 절연체를 사용하지 않고 비휘발성 및 쌍안정성 메모리 거동 특성을 갖는 비휘발성 메모리 소자 및 이의 제조방법을 제공할 수 있는 효과가 있다.
Abstract translation: 本发明提供了一种存储元件有机掺杂材料，包含该掺杂材料的非易失性存储元件及其制造方法。 根据本发明的存储元件有机掺杂材料具有这样的效果，其中存储元件的半导体根据半导体与有机掺杂材料的掺杂而呈现非易失性存储特性。 因此，提供了不使用具有铁电特性的栅极绝缘体的非易失性特性和双稳态记忆行为特性的非易失性存储元件及其制造方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020160020049A
公开(公告)日：2016-02-23
申请号：KR1020140104669
申请日：2014-08-12
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L27/11507
Abstract: 교차정렬된나노구조체라인을이용한멤리스터소자및 그제조방법이개시된다. 이는하나이상의제1 및제2 고분자/전구체나노구조체라인을서로교차하도록형성하고, 이를열처리하여열처리에의해고분자가제거되어교차하는제1 금속나노구조체라인과제2 금속나노구조체라인이형성되고, 제1 금속나노구조체라인과제2 금속나노구조체라인사이의교차부위에금속-산화물-금속캐패시터구조가형성됨으로써고집적의멤리스터소자가제공된다.
Abstract translation: 公开了使用交替排列的纳米结构线的忆阻元件及其制造方法。 形成第一和第二聚合物/前体纳米结构线中的至少一个彼此相交。 通过热处理第一和第二聚合物/前体纳米结构线的热处理除去聚合物，从而形成彼此相交的第一金属纳米结构线和第二金属纳米结构线。 在第一金属纳米结构线和第二金属纳米结构线之间的交叉部分形成金属氧化物 - 金属电容器结构。 因此，提供了高集成度忆阻元件。
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公开(公告)号：KR1020170094887A
公开(公告)日：2017-08-22
申请号：KR1020160016164
申请日：2016-02-12
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
Abstract: 금속할라이드페로브스카이트시냅스소자를제공한다. 이러한시냅스소자는기판, 상기기판상에위치하는제1 전극, 상기하부전극상에위치하되, 시냅스모사특성을갖는금속할라이드페로브스카이트층및 상기금속할라이드페로브스카이트층상에위치하는제2 전극을포함한다. 따라서, 생물학적시냅스 (biological synapse)의작동원리를모방할수 있는시냅스소자를제공할수 있다. 또한, 이러한새로운타입의시냅스소자는뉴로모픽전자(neuromorphic electronics) 구성에있어큰 도움을줄 수있다.
Abstract translation: 提供金属卤化物钙钛矿突触元件。 这些突触元件为第二电极到所述第一电极，但位于下电极，具有突触模拟特性的金属卤化物钙钛矿teucheung和位于所述基板，在基板上的层上的金属卤化物钙钛矿位置 它包括。 因此，可以提供能够模拟生物突触的工作原理的突触装置。 此外，这些新型的突触装置可以对建立神经形态电子学有很大的帮助。
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公开(公告)号：KR1020160015644A
公开(公告)日：2016-02-15
申请号：KR1020140098158
申请日：2014-07-31
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
IPC: C07D277/66 , H01L51/05 , H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: C07D277/66 , H01L27/115 , H01L51/05 , C07D417/14 , C09K11/06
Abstract: 본발명은메모리소자용유기도핑재료, 이를포함하는비휘발성메모리소자및 이의제조방법을제공한다. 본발명의메모리소자용유기도핑재료는메모리소자의반도체에도핑됨에따라상기반도체가비휘발성메모리특성을나타내는효과가있다. 이에따라, 강유전특성을갖는게이트절연체를사용하지않고비휘발성및 쌍안정성메모리거동특성을갖는비휘발성메모리소자및 이의제조방법을제공할수 있는효과가있다.
Abstract translation: 提供了一种用于存储器件的有机掺杂材料，包括有机掺杂材料的非易失性存储器件以及制造非易失性存储器件的方法。 根据本发明，如果将有机掺杂材料掺杂到存储器件的半导体中，则半导体显示非易失性存储器的特性。 因此，本发明中可以提供一种不使用具有铁电性能的栅极绝缘体的非挥发性和双稳态特性的非易失性存储器件及其制造方法。 本发明的有机掺杂材料包含由化学式1表示的结构。
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公开(公告)号：KR101636137B1
公开(公告)日：2016-07-04
申请号：KR1020140098158
申请日：2014-07-31
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
IPC: C07D277/66 , H01L51/05 , H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: C07D277/66 , H01L27/115 , H01L51/05
Abstract: 본발명은메모리소자용유기도핑재료, 이를포함하는비휘발성메모리소자및 이의제조방법을제공한다. 본발명의메모리소자용유기도핑재료는메모리소자의반도체에도핑됨에따라상기반도체가비휘발성메모리특성을나타내는효과가있다. 이에따라, 강유전특성을갖는게이트절연체를사용하지않고비휘발성및 쌍안정성메모리거동특성을갖는비휘발성메모리소자및 이의제조방법을제공할수 있는효과가있다.
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公开(公告)号：KR1020160019682A
公开(公告)日：2016-02-22
申请号：KR1020140104279
申请日：2014-08-12
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L27/115 , H01L27/11521
Abstract: 시냅스모방소자및 이의제조방법을제공한다. 상기시냅스모방소자는게이트전극, 활성층, 상기게이트전극및 활성층사이에배치되고, 절연성고분자및 이온성물질을포함하는이온젤게이트절연층, 및상기활성층과전기적으로접속하는소스전극및 드레인전극을포함하고, 상기게이트전극또는활성층은기판에지지된다. 이에따라, 신호전달과자가학습을동시에수행할수 있고신규한시냅스모방소자를제공할수 있다.
Abstract translation: 提供了一种突触装置及其制造方法。 突触装置包括：栅电极; 活性层 离子凝胶栅极绝缘层，包括绝缘聚合物和离子材料，布置在栅电极和有源层之间; 以及与有源层电连接的源电极和漏电极。 栅电极或有源层被支撑在基板上。 因此，本发明可以提供能够同时进行信号传输和自学习的新的突触装置。
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