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1.发明专利
公开(公告)号：KR102239455B1
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：KR1020190107624A
申请日：2019-08-30
Applicant: 주식회사 쎄코 , 포항공과대학교 산학협력단
CPC classification number: C08G65/2618 , A61K47/6907 , A61K9/1075 , C08G81/00
Abstract: 본 발명은 약물 전달용 원형 블록 공중합체 및 이의 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 파크리탁셀 약물 등을 효과적으로 전달하기 위해 원형 고분자 주쇄에 약물 수용체와 소수성 및 친수성 브러쉬가 도입된 약물 전달용 원형 블록 공중합체 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
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2.发明专利
公开(公告)号：KR20210026609A
公开(公告)日：2021-03-10
申请号：KR1020190107624A
申请日：2019-08-30
Applicant: 주식회사 쎄코 , 포항공과대학교 산학협력단
CPC classification number: C08G65/2618 , A61K47/6907 , A61K9/1075 , C08G81/00
Abstract: 본 발명은 약물 전달용 원형 블록 공중합체 및 이의 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 파크리탁셀 약물 등을 효과적으로 전달하기 위해 원형 고분자 주쇄에 약물 수용체와 소수성 및 친수성 브러쉬가 도입된 약물 전달용 원형 블록 공중합체 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020210026609A
公开(公告)日：2021-03-10
申请号：KR1020190107624
申请日：2019-08-30
Applicant: 주식회사 쎄코 , 포항공과대학교 산학협력단
Abstract: 본발명은약물전달용원형블록공중합체및 이의제조방법에관한것으로서, 보다상세하게는파크리탁셀약물등을효과적으로전달하기위해원형고분자주쇄에약물수용체와소수성및 친수성브러쉬가도입된약물전달용원형블록공중합체및 이의제조방법에관한것이다.
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公开(公告)号：KR102204399B1
公开(公告)日：2021-01-18
申请号：KR1020190107616
申请日：2019-08-30
Applicant: 주식회사 쎄코 , 포항공과대학교 산학협력단
Abstract: 본발명은일산화질소전달용블록공중합체및 이의제조방법에관한것으로서, 보다상세하게는고분자주쇄에 NO 가스수용체를가지는브러쉬가도입되어 NO 가스를효과적으로전달할수 있는일산화질소전달용블록공중합체및 이의제조방법에관한것이다.
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公开(公告)号：KR102239455B1
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：KR1020190107624
申请日：2019-08-30
Applicant: 주식회사 쎄코 , 포항공과대학교 산학협력단
Abstract: 본발명은약물전달용원형블록공중합체및 이의제조방법에관한것으로서, 보다상세하게는파크리탁셀약물등을효과적으로전달하기위해원형고분자주쇄에약물수용체와소수성및 친수성브러쉬가도입된약물전달용원형블록공중합체및 이의제조방법에관한것이다.
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6.发明授权인을 포함하는 하이브리드 시스템이 도입된 비휘발성 메모리 특성 고분자 및 그 제조 방법, 이를 이용하는 메모리 소자 有权具有包含磷的混合系统的非易失性存储器聚合物，其制造方法以及使用其的存储器件
公开(公告)号：KR101766976B1
公开(公告)日：2017-08-24
申请号：KR1020150162722
申请日：2015-11-19
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
Abstract: 본발명은고분자메모리소자및 그의제조방법에관한것으로, 보다상세하게는상부전극과하부전극사이에서주쇄에인을포함하는고분자를활성층으로하는비휘발성메모리소자및 그의제조방법에관한것이다. 본발명에있어서, 상기비휘발성메모리소자는하기화학식(I) 로이루어진비휘발성메모리소자용고분자이다.(I) 상기식에서 m은반복단위임.
Abstract translation: 本发明涉及的是，更具体地，在上部电极和包含在所述下部电极之间的主链中到有源层的聚合物的非易失性存储器装置，以及制备聚合物存储器装置上的方法和用于生产它们的方法。 在本发明中，所述非易失性存储器元件，以对于由式（I）的非易失性存储器装置中的聚合物（I），其中m委托eunban复旦大学。
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公开(公告)号：KR1020170059061A
公开(公告)日：2017-05-30
申请号：KR1020150162722
申请日：2015-11-19
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
Abstract: 본발명은고분자메모리소자및 그의제조방법에관한것으로, 보다상세하게는상부전극과하부전극사이에서주쇄에인을포함하는고분자를활성층으로하는비휘발성메모리소자및 그의제조방법에관한것이다. 본발명에있어서, 상기비휘발성메모리소자는하기화학식(I) 로이루어진비휘발성메모리소자용고분자이다.(I) 상기식에서 m은반복단위임.
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