Abstract:
본발명은기판; 상기기판상에형성되고, 환원처리된이산화티타늄층; 및상기이산화티타늄층상에형성되고, 환원처리된끝단개방이산화티타늄나노튜브를포함하는이산화티타늄나노튜브층;을포함하는이산화티타늄광전극에관한것이다. 본발명의이산화티타늄광전극은열적또는/및화학적환원처리에의해자외선영역에서의광흡수효율및 광촉매활성이향상될수 있다. 또한, 이산화티타늄나노튜브와기판사이의계면특성을개선하고이산화티타늄광전극의전하전달특성을향상시킬수 있는이산화티타늄광전극의제조방법을제공할수 있다.
Abstract:
본발명은 (a) 전극에티타늄층을형성하는단계; (b) 티타늄층을양극산화법으로산화시켜이산화티타늄(TiO)층을제조하는단계; 및 (c) 이산화티타늄층을열처리하여결정화된이산화티타늄층제조하는단계;를포함하는전극적층체의제조방법;를포함하는전극적층체의제조방법에관한것이다. 이에의하여, 양극산화법으로결정화된이산화티타늄전자전달층을형성함으로써공정을간소화할수 있고, 전자전달층의두께가균일하여빛과투과율을향상시키고전자전달효율을향상시킬수 있다. 또한, 상기전극적층체의제조방법을페로브스카이트태양전지에이용하면페로브스카이트층과전자전달층의계면표면적이넓어져페로브스카이트층으로부터전자전달층으로의전자수집의효율이향상되고, 광전환효율이향상될수 있다.
Abstract:
본 발명은 양끝이 열린 산화티타늄 나노튜브 제조 방법 및 염료 감응태양 전지의 응용에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 양극 산화법과 과산화수소 또는 기타 산을 이용한 식각법을 통해 형성된 양끝이 열린 산화티타늄 나노튜브를 적용한 반도체 전극을 가지는 염료감응형 태양전지와 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에서는 티타늄 기판을 양극산화시켜 티타늄 나노튜브를 1차 성장시키는 단계; 1차 성장된 나노 튜브를 비결정화 상태에서 열처리하는 단계; 열처리된 나노튜브를 양극산화시켜 2차 성장시키는 단계; 2차 성장된 티타늄 나노튜브를 기판에서 분리하는 단계; 및 2차 성장된 영역을 제거하는 단계를 포함하는 양단이 열린 티타늄 나노 튜브 제조 방법을 제시한다.
Abstract:
The present invention relates to a manufacturing method of doubly open-ended titanium oxide nanotube and an application of dye sensitized solar cells using the same and more particularly, to dye sensitized solar cells and a manufacturing method which have a semiconductive electrode which applies doubly open-ended titanium oxide nanotube which is formed by using an etching method which uses an anodic oxidation method and a hydrogen peroxide or other acids. The present invention of the manufacturing method of doubly open-ended titanium oxide nanotube comprises: a step of firstly growing a titanium oxide nanotube by performing an anodic oxidation in a titanium substrate; a step of heat treating the firstly grown nanotube at non-crystallized status; a step of secondly growing the heat treated nanotube by performing an anodic oxidation; a step of separating the secondly grown titanium oxide nanotube from the substrate; a step of removing the secondly grown area. [Reference numerals] (AA) Titanium (Ti) foil; (BB) First anodic oxidation; (CC) Heat treatment; (DD) Second anodic oxidation; (EE) Separating a thin film; (FF) Etching
Abstract:
본발명은기판; 상기기판상에형성되고, 환원처리된이산화티타늄층; 및상기이산화티타늄층상에형성되고, 환원처리된끝단개방이산화티타늄나노튜브를포함하는이산화티타늄나노튜브층;을포함하는이산화티타늄광전극에관한것이다. 본발명의이산화티타늄광전극은열적또는/및화학적환원처리에의해자외선영역에서의광흡수효율및 광촉매활성이향상될수 있다. 또한, 이산화티타늄나노튜브와기판사이의계면특성을개선하고이산화티타늄광전극의전하전달특성을향상시킬수 있는이산화티타늄광전극의제조방법을제공할수 있다.