Abstract:
본 발명은 수용해도 및 수분산성이 향상된 알파(α)-형태의 아연-프탈로시아닌 나노와이어(ZnPc NWs), 알파(α)-형태의 아연-프탈로시아닌 나노와이어/페노티아진 복합체, 이의 제조방법, 및 이를 포함하는 광민감제 또는 암 예방 또는 치료용 약학 조성물에 관한 것이다. 본 발명에 따른 알파(α)-형태의 아연-프탈로시아닌 나노와이어 또는 알파(α)-형태의 아연-프탈로시아닌 나노와이어/페노티아진 복합체는, 단일 분자에서 광열학 및 광역학의 이중적 양상 발휘하므로 다기능 분자 시스템 개발에 매우 유리하며, 우수한 광치료 효과를 가지므로, 암의 광치료에 유용하게 적용될 수 있다. 또한, 알파(α)-형태의 아연-프탈로시아닌 나노와이어/페노티아진 복합체는 그 자체가 형광을 나타낼 수 있어 이미징 시스템의 도입을 용이하게 함으로써 하나의 물질로 진단과 치료를 동시에 수행할 수 있다.
Abstract:
본 발명에 따르면, 유기 발광 복합체 및 유기 발광 복합체의 제조 방법이 제공된다. 실시예들에 따르면, 유기 발광 복합체는 폴리머 매트릭스; 상기 폴리머 매트릭스 내에 제공되는 발광 물질; 및 상기 폴리머 매트릭스 내에 제공되고, 상기 제1 발광 물질이 산화된 제2 발광 물질을 포함하되, 상기 제2 발광 물질은 상기 제1 발광 물질과 동일한 분자량을 가질 수 있다.
Abstract:
구리증기를이용한그래핀합성방법이제공된다. 상세하게는, 기판을준비하고, 상기기판상에상기기판과이격하여구리박(Cu foil)을위치시켜, 상기구리박(Cu foil)으로부터구리(Cu) 증기를형성한후, 상기기판상에그래핀전구체가스를접촉시킴으로써상기그래핀전구체가스가상기구리(Cu) 증기에의해그래핀합성반응이촉진되며상기기판상에그래핀이합성되는구리증기를이용한그래핀합성방법이제공된다. 별도의전사(transfer) 공정을거치지않음으로써, 이에그래핀의손상및 오염이최소화된고품질의단일층그래핀(SLG) 합성이가능해질수 있고, 간단한공정으로제조할수 있어비용을절감시킬수 있다. 또한, 다양한유전체기판에적용될수 있어, 이를이용하여제작된소자의활용범위가확장될수 있다.
Abstract:
리튬 이차전지용 음극, 이를 이용한 리튬 이차전지 및 그 제조방법을 제공한다. 리튬 이차전지용 음극은 게르마늄 구조체 및 상기 게르마늄 구조체 표면에 직접 위치하는 그래핀층을 포함하고, 상기 그래핀층은 상기 게르마늄 구조체 표면에 무촉매 성장된 것을 특징으로 한다. 따라서, 게르마늄 구조체 표면에 직접 그래핀층을 위치시킴으로써, 리튬과의 합금화/탈합금화 반응 사이클 동안 게르마늄 구조체의 부피 팽창을 최소화할 수 있다.
Abstract:
본 발명의 그래핀 합성 방법은 유전 기판을 준비하는 단계와, 상기 유전 기판을 전기로의 튜브에 장착하는 단계와, 상기 전기로의 온도를 반응 온도로 상승시키는 단계와, 상기 반응온도로 상승된 상기 전기로의 튜브에 탄소 전구체를 주입하여 열분해함으로써 상기 유전 기판 상에 화학 기상 증착법으로 그래핀을 합성하는 단계를 포함하여 이루어진다.
Abstract:
PURPOSE: A method for manufacturing a carbon thin film, an electronic element including the same, and an electrochemical element including the same are provided to improve the conductivity of the carbon thin film and to be used as electrodes or wirings. CONSTITUTION: A method for manufacturing a carbon thin film: a polymer film(13) is formed on a substrate(11) through a coating process; a protective film(15) is formed on the polymer film; a carbon thin film(17) is formed on the substrate by thermally treating the substrate. The substrate is silicon, silicon oxide, metal foil, stainless steel, metal oxide, highly ordered pyrolytic graphite, hexagonal boron nitride, c-plane sapphire wafer, ZnS, a polymer substrate, or the combination of the same. Polymer in the polymer film includes insulating polymer containing carbon and hydrogen. The pyrolysis temperature of the insulting polymer is lower than or equal to 600 degrees Celsius. The insulting polymer is non-conjugated main chains.
Abstract:
기판 상부에 절연층을 형성하는 단계; 상기 절연층 상부에 금속 혹은 전이 금속 입자를 증착하는 단계; 및 상기 금속 입자가 형성된 절연층의 탄소용융환원(carbothermal reduction) 반응으로 절연층에 나노 홀을 형성하는 단계;를 포함하는 절연층의 식각 방법이 제공된다. 탄소용융환원, 나노홀, 철 나노입자, 배열, 블록공중합체