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公开(公告)号:KR101721162B1
公开(公告)日:2017-03-29
申请号:KR1020150040235
申请日:2015-03-23
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
IPC: H01L27/24 , H01L27/115 , H01L21/265
Abstract: 본발명은저항변화층을형성하는단계; 및상기저항변화층의적어도일부에수소처리를통해서금속에서절연체로전이(Metal-Insulator Transition)할수 있는특성을갖도록수소화(hydrogenation) 처리하는단계;를포함하는, 수소이온확산을이용한저항변화메모리의제조방법및 이를이용하여구현한수소이온확산을이용한저항변화메모리를제공한다.
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公开(公告)号:KR1020160113904A
公开(公告)日:2016-10-04
申请号:KR1020150040235
申请日:2015-03-23
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
IPC: H01L27/24 , H01L27/115 , H01L21/265
Abstract: 본발명은저항변화층을형성하는단계; 및상기저항변화층의적어도일부에수소처리를통해서금속에서절연체로전이(Metal-Insulator Transition)할수 있는특성을갖도록수소화(hydrogenation) 처리하는단계;를포함하는, 수소이온확산을이용한저항변화메모리의제조방법및 이를이용하여구현한수소이온확산을이용한저항변화메모리를제공한다.
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