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公开(公告)号：KR1020000021094A
公开(公告)日：2000-04-15
申请号：KR1019980040032
申请日：1998-09-25
Applicant: 학교법인연세대학교
IPC: H01J11/40
Abstract: PURPOSE: A protecting layer material has the improved characteristics of sputtering-resistant property, light transmission property and secondary electron emission yield. CONSTITUTION: A protecting layer material of an AC plasma display panel comprises: a DLC(Diamond Like Carbon) thin film which has high content of sp¬3 and whose hydrogen content is suppressed to the level of a natural diamond; an X-DLC thin film whose hydrogen content is suppressed to the level of the natural diamond and which has high content of sp¬3 by adding X, that is, one of Si, Ge and Ti; an X-C-N thin film whose hydrogen content is suppressed to the level of the natural diamond and which has high content of sp¬3 by adding X, that is, one of Si, Ge and Ti; and an X-B-N thin film having high content of sp¬3 by adding X, that is, one of Si, Ge and Ti. The material is deposited using an ion beam assisted deposition method and a cesium ion gun sputtering deposition method.
Abstract translation: 目的：保护层材料具有抗溅射性能，透光性和二次电子发射产率的改进特性。 构成：AC等离子体显示面板的保护层材料包括：具有高含量sp3的DLC（类金刚石碳）薄膜，其氢含量被抑制到天然金刚石的水平; 通过添加X，即Si，Ge和Ti中的一种，其氢含量被抑制到天然金刚石的水平并且具有高含量的sp 3的X-DLC薄膜; 通过添加X，即Si，Ge和Ti中的一种，其氢含量被抑制到天然金刚石的水平并且具有高的sp 3的含量的X-C-N薄膜; 以及通过添加X，即Si，Ge和Ti中的一种，具有高含量sp3的X-B-N薄膜。 使用离子束辅助沉积法和铯离子枪溅射沉积法沉积材料。
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公开(公告)号：KR1019980084410A
公开(公告)日：1998-12-05
申请号：KR1019970020201
申请日：1997-05-23
Applicant: 학교법인연세대학교
Abstract: 본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널용 유전체 보호 코팅층의 물성을 조정하여 이차 전자 방출 계수 값을 높이기 위한 것으로, 세슘 산화물, 세슘 질화물 또는 세슘 탄화물이 그 박막의 내부 또는 외부에 포함된 MgO-Cs 계 박막으로, 상기 박막의 이차 전자 방출 계수 값이 향상된 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널용 유전체 보호 코팅층과, MgO 타겟에 세슘 이온 건 스퍼터링 증착 장치를 이용하여 세슘 이온을 조사하여 기판 상에 MgO-Cs 계 박막을 형성하는 단계; 상기 MgO-Cs 계 박막을 산소 분위기, 질소 분위기 또는 탄화수소 분위기에서 열처리하여 상기 박막에 존재하는 세슘의 산화물, 질화물 또는 탄화물을 형성시키는 단계;로 이루어지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널용 유전체 보호 코팅층의 제조 방법을 제공하여 대면적 증착을 가능하게 한다.
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公开(公告)号：KR100545719B1
公开(公告)日：2006-03-31
申请号：KR1019980040032
申请日：1998-09-25
Applicant: 학교법인연세대학교
IPC: H01J11/40
Abstract: 본 발명은, 수소 함유량이 천연 다이아몬드 수준으로 억제되고 sp
3 함량이 높은 DLC 박막과, 수소 함유량이 천연 다이아몬드 수준으로 억제되고, Si, Ge 및 Ti 중 어느 하나인 X가 첨가됨으로써, sp
3 함량이 높은 X-DLC 박막과, 수소 함유량이 천연 다이아몬드 수준으로 억제되고, Si, Ge 및 Ti 중 어느 하나인 X가 첨가됨으로써, sp
3 함량이 높은 XCN 박막과, 수소 함유량이 천연 다이아몬드 수준으로 억제되고, Si, Ge 및 Ti 중 어느 하나인 X가 첨가됨으로써, sp
3 함량이 높은 XBN 박막으로 이루어지는 교류형 플라즈마 디스플레이 패널의 보호코팅층 재료 및 이온빔 도움 증착법 및 세슘 이온 건 스퍼터링 증착법을 이용한 상기 재료의 증착 방법을 제공한다.
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