公开(公告)号：KR100674576B1

公开(公告)日：2007-01-25

申请号：KR1020000038934

申请日：2000-07-07

Applicant: 학교법인연세대학교

Inventor： 백홍구 ,  김대우 ,  배준철 ,  김우진

IPC: H01L21/223

Abstract: 본 발명은 p형 Ⅲ-Ⅴ족 질화물계 화합물 반도체의 도핑농도 향상방법에 대한 것이다. 본 발명에 따른 p형 Ⅲ-Ⅴ족 질화물계 화합물 반도체의 도핑농도 향상방법은, 먼저 하지층 상에 p형 Ⅲ-Ⅴ족 질화물계 화합물 반도체층을 형성한다. 그런 다음, 상기 p형 질화물계 화합물 반도체층 상에 네트웍 구조를 가진 확산방지층 또는 수소에 대한 친화력이 있는 수소흡수층을 형성한다. 그리고 나서, 상기 질화물계 화합물 반도체층의 도핑농도를 증가시키기 위해 열처리 공정을 진행한다. 상기 질화물계 화합물 반도체층 상에 확산방지층을 형성한 경우에는 산소분위기하의 열처리 공정을 수행하고, 상기 질화물계 화합물 반도체층 상에 수소흡수층을 형성한 경우에는 질소분위기하의 열처리 공정을 수행한다.

公开(公告)号：KR1020020005271A

公开(公告)日：2002-01-17

申请号：KR1020000038934

申请日：2000-07-07

Applicant: 학교법인연세대학교

Inventor： 백홍구 ,  김대우 ,  배준철 ,  김우진

IPC: H01L21/223

Abstract: PURPOSE: A method for increasing doping density of a compound semiconductor of p-type III-V group nitride is provided to prevent a p-type III-V group nitride compound semiconductor layer from being degraded in a high-temperature annealing process in an oxygen atmosphere, by forming a diffusion barrier layer of a network structure to activate the p-type III-V group nitride compound semiconductor layer. CONSTITUTION: A III-V group nitride compound semiconductor layer(20) added with p-type impurities is formed on a lower layer(10). The diffusion barrier layer(30) the boundary grain of which is scattered on an amorphous matrix, is formed on the nitride compound semiconductor layer. The amorphous matrix is substantially composed of an oxide material of transition metal, and the boundary grain is composed of conductive metal oxide material. A heat treatment process is performed regarding the resultant structure having the diffusion barrier layer in an oxygen atmosphere to activate the III-V group nitride compound semiconductor.

Abstract translation: 目的：提供一种用于提高p型III-V族氮化物的化合物半导体的掺杂密度的方法，以防止p型III-V族氮化物化合物半导体层在氧气的高温退火工艺中降解 通过形成网络结构的扩散阻挡层来激活p型III-V族氮化物化合物半导体层。 构成：在下层（10）上形成添加有p型杂质的III-V族氮化物化合物半导体层（20）。 在氮化物半导体层上形成其边界晶粒散布在非晶基体上的扩散阻挡层（30）。 非晶质基质基本上由过渡金属的氧化物构成，边界晶粒由导电性金属氧化物材料构成。 对在氧气氛中具有扩散阻挡层的所得结构进行热处理工艺以激活III-V族氮化物化合物半导体。

公开(公告)号：KR100684928B1

公开(公告)日：2007-02-20

申请号：KR1020000038935

申请日：2000-07-07

Applicant: 학교법인연세대학교

Inventor： 백홍구 ,  김대우 ,  배준철 ,  김우진

IPC: H01L21/28 ,  B82Y40/00

Abstract: 본 발명은 화합물 반도체 소자 및 그 제조방법에 대한 것이다. 본 발명에 따른 화합물 반도체 소자는, 불순물이 도핑된 화합물 반도체층; 상기 화합물 반도체층 상에 구비된 금속접촉층; 상기 금속접촉층 상에 구비된 확산방지층; 및 상기 확산방지층 상에 구비된 Au를 함유하는 프로빙층을 포함하되, 상기 확산방지층의 미세구조가 비정질의 매트릭스에 결정립이 분산된 형태를 띠고, 상기 비정질의 매트릭스는 실질적으로 천이금속의 산화물로 이루어지고 상기 결정립은 실질적으로 금속산화물로 이루어진 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따른 화합물 반도체 소자 제조방법은 상기한 화합물 반도체 소자의 제조방법을 제공한다.

公开(公告)号：KR1020020005272A

公开(公告)日：2002-01-17

申请号：KR1020000038935

申请日：2000-07-07

Applicant: 학교법인연세대학교

Inventor： 백홍구 ,  김대우 ,  배준철 ,  김우진

IPC: H01L21/28 ,  B82Y40/00

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a compound semiconductor device having a diffusion barrier layer of a network structure is provided to effectively prevent Au contained in a probing layer from being thermally diffused to the lower portion of the diffusion barrier layer at a high temperature, by forming the diffusion barrier layer of the network structure between an Au-containing probing layer and an n-type or p-type compound semiconductor layer. CONSTITUTION: A metal contact layer(50) is formed on an impurity-doped compound semiconductor layer(40). The diffusion barrier layer(60) is formed on the metal contact layer by a sputtering method using transition metal and a metal oxide material. The Au-containing probing layer(70) is formed on the diffusion barrier layer. A heat treatment process is performed regarding the resultant structure having the probing layer to form an ohmic contact or Schottky contact between the metal contact layer and a compound semiconductor substrate.

Abstract translation: 目的：提供一种具有网状结构的扩散阻挡层的化合物半导体器件的制造方法，能够有效地防止探测层中所含的Au在高温下扩散到扩散阻挡层的下部，通过形成 含Au探针层和n型或p型化合物半导体层之间的网状结构的扩散阻挡层。 构成：在杂质掺杂化合物半导体层（40）上形成金属接触层（50）。 通过使用过渡金属和金属氧化物材料的溅射法在金属接触层上形成扩散阻挡层（60）。 含Au探测层（70）形成在扩散阻挡层上。 对具有探测层的所得结构进行热处理工艺，以在金属接触层和化合物半导体衬底之间形成欧姆接触或肖特基接触。