Patent search ap:("한국과학기술연구원") AND inv:"고은정" Page 1

1.

发明授权
얇은 게이트 산화막의 터널링 특성 분석 방법 有权

公开(公告)号：KR102140968B1

公开(公告)日：2020-07-29

申请号：KR1020180128129

申请日：2018-10-25

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 최정혜 , 고은정

IPC: H01L21/66

2.

发明授权
얇은 게이트 산화막을 통과하는 터널링에 대한 유효 게이트 산화막 두께 및 임계 게이트 산화막 두께 결정 방법 有权

公开(公告)号：KR102053331B1

公开(公告)日：2019-12-06

申请号：KR1020180070133

申请日：2018-06-19

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 최정혜 , 고은정

IPC: H01L21/8234 , H01L21/02

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