公开(公告)号：KR1020160115505A

公开(公告)日：2016-10-06

申请号：KR1020150043309

申请日：2015-03-27

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김수민 ,  김기강 ,  이주송

IPC: C01B21/064 ,  C01B35/14 ,  B32B9/00

CPC classification number: C23C16/342 ,  C01B21/0641 ,  C01P2002/82 ,  C01P2004/01 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/04 ,  C23C16/01 ,  C23C16/0209 ,  C23C16/56 ,  C25B1/02 ,  C01B21/064 ,  B32B9/00 ,  C01B35/146 ,  C01P2006/40 ,  C01P2006/60

Abstract: 본발명은기재위에복층의육방정계질화불소(hexagonal boron nitride: h-BN) 후막을제조하는방법에대한것으로, 보다구체적으로는 (a) 제 1 기재를가열하는기재가열단계; (b) 가열된상기제 1 기재에 h-BN 전구체를공급하는 h-BN 전구체공급단계; (c) 공급된상기 h-BN 전구체를제 1 기재에용해시키는전구체용해단계: 및 (d) h-BN 전구체가용해된제 1 기재를냉각시키는기재냉각단계;를통하여기재위에복층의 h-BN 후막을형성하는방법과상기제조방법에따라제조되는복층의 h-BN 후막;과상기 h-BN 후막과적층구조를이루는기재를포함하는적층체에대한것이다.

Abstract translation: 本发明涉及在基板上制造多层六方氮化硼（h-BN）厚膜的方法，更具体地说，涉及一种在基板上形成多层h-BN厚膜的方法，该方法包括：（a） （b）将h-BN前体供应到加热的第一基底的h-BN前体供应步骤，（c）将所供应的h-BN前体溶解在第一基底中的前体溶解步骤， 以及（d）将含有溶解的h-BN前体的第一基板冷却的基板冷却工序，以及包含通过制备方法制备的多层h-BN厚膜的层压体和形成具有h- BN厚膜

公开(公告)号：KR101685100B1

公开(公告)日：2016-12-09

申请号：KR1020150043309

申请日：2015-03-27

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김수민 ,  김기강 ,  이주송

IPC: C01B21/064 ,  C01B35/14 ,  B32B9/00

CPC classification number: C23C16/342 ,  C01B21/0641 ,  C01P2002/82 ,  C01P2004/01 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/04 ,  C23C16/01 ,  C23C16/0209 ,  C23C16/56 ,  C25B1/02

Abstract: 본발명은기재위에복층의육방정계질화불소(hexagonal boron nitride: h-BN) 후막을제조하는방법에대한것으로, 보다구체적으로는 (a) 제 1 기재를가열하는기재가열단계; (b) 가열된상기제 1 기재에 h-BN 전구체를공급하는 h-BN 전구체공급단계; (c) 공급된상기 h-BN 전구체를제 1 기재에용해시키는전구체용해단계: 및 (d) h-BN 전구체가용해된제 1 기재를냉각시키는기재냉각단계;를통하여기재위에복층의 h-BN 후막을형성하는방법과상기제조방법에따라제조되는복층의 h-BN 후막;과상기 h-BN 후막과적층구조를이루는기재를포함하는적층체에대한것이다.

Abstract translation: 的六方晶系氟化本发明的多层（六方氮化硼：H-BN）上用于加热基底基板加热步骤中，更具体地，（a）首先描述为用于制造厚膜的方法; （b）向加热后的第一基板供给h-BN前体的h-BN前体供给工序; 通过在基板上的多层的H-;和（d）的h-BN前体溶解第一冷却步骤，以冷却所述基底基板：（c）该前体溶解在所述第一碱前体溶解步骤提供的h-BN BN厚膜和包含根据上述方法形成的多层h-BN厚膜和具有与h-BN厚膜的层压结构的基板的多层体。