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公开(公告)号：KR1020050077678A
公开(公告)日：2005-08-03
申请号：KR1020040006337
申请日：2004-01-30
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/205 , B82Y40/00
CPC classification number: B82Y40/00
Abstract: 본 발명은 금속 촉매로서 전이금속을 이용하여 탄소구조체 표면을 코팅한 다음, 코팅된 탄소구조체를 규소 및 이산화규소 혼합 분말과 반응시킴으로써 저온에서 다량의 탄화규소 나노로드 및 나노와이어를 제조할 수 있는, 탄화규소 나노로드 및 나노와이어의 제조 방법을 제공한다.
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公开(公告)号：KR100561702B1
公开(公告)日：2006-03-17
申请号：KR1020040006339
申请日：2004-01-30
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/205
Abstract: 본 발명은 기상증착법을 이용한 산화아연 나노로드 및 나노와이어의 제조방법에 관한 것으로, 저온에서 소자로 사용될 기판에 손쉽게 산화아연 나노로드 및 나노와이어를 성장시킴으로써 기존의 고온 공정을 대폭 개선시켜 단순한 반응으로서 손쉽게 고품질의 균일한 길이의 나노로드 및 나노와이어를 성장시킬 수 있다. 또한 성장 기판을 규소, 유리, 석영, 알루미나 등으로 다양화시킴으로써 성장된 나노로드를 다양한 목적에 맞게 사용할 수 있다.
산화아연 나노로드, 산화아연 나노와이어, 기상증착-
公开(公告)号：KR1020050077680A
公开(公告)日：2005-08-03
申请号：KR1020040006339
申请日：2004-01-30
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/205
Abstract: 본 발명은 기상증착법을 이용한 산화아연 나노로드 및 나노와이어의 제조방법에 관한 것으로, 저온에서 소자로 사용될 기판에 손쉽게 산화아연 나노로드 및 나노와이어를 성장시킴으로써 기존의 고온 공정을 대폭 개선시켜 단순한 반응으로서 손쉽게 고품질의 균일한 길이의 나노로드 및 나노와이어를 성장시킬 수 있다. 또한 성장 기판을 규소, 유리, 석영, 알루미나 등으로 다양화시킴으로써 성장된 나노로드를 다양한 목적에 맞게 사용할 수 있다.
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公开(公告)号：KR100561701B1
公开(公告)日：2006-03-17
申请号：KR1020040006337
申请日：2004-01-30
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/205 , B82Y40/00
Abstract: 본 발명은 금속 촉매로서 전이금속을 이용하여 탄소구조체 표면을 코팅한 다음, 코팅된 탄소구조체를 규소 및 이산화규소 혼합 분말과 반응시킴으로써 저온에서 다량의 탄화규소 나노로드 및 나노와이어를 제조할 수 있는, 탄화규소 나노로드 및 나노와이어의 제조 방법을 제공한다.
탄화규소 나노로드, 탄화규소 나노와이어, 열탄소환원반응
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