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公开(公告)号：WO2020040379A1
公开(公告)日：2020-02-27
申请号：PCT/KR2019/001087
申请日：2019-01-25
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 프랙탈 구조를 가지는 합금 나노구조체 및 이의 제조방법이 개시된다. 눈꽃 형상의 프랙탈 구조는 비정질 나노구조체를 화학적 탬플릿으로 이용하여 형성된다. 비정질 나노구조체를 구성하는 중심 금속보다 높은 표준환원전위를 가지는 제2 금속 원소가 투입되면, 이온 상태의 제2 금속 원소는 환원되며, 중심 금속의 산화수는 증가된다. 또한, 비정질 나노구조체는 해리되며, 무기 고분자를 구성하는 원소들은 제2 금속 원소와 함께 프랙탈 구조를 형성한다.
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公开(公告)号：WO2020040380A1
公开(公告)日：2020-02-27
申请号：PCT/KR2019/001091
申请日：2019-01-25
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 금속 나노입자가 지지체의 기공에 고르게 분산되고 흡착된 복합체 및 이의 제조방법이 개시된다. 전이 금속과 할로겐 원소를 주쇄로하는 무기 고분자들이 수소 결합되어 형성된 비정질 나노구조체는 금속 나노입자들의 형성을 위한 화학적 템플릿으로 이용된다. 형성된 금속 나노입자들은 기공을 가진 지지체에 고르게 분산되고 흡착된다.
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公开(公告)号：WO2019235713A1
公开(公告)日：2019-12-12
申请号：PCT/KR2019/001083
申请日：2019-01-25
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 2nm 내지 2.5nm의 직경을 가지는 금속 나노구조체 및 이의 제조방법이 개시된다. 형성된 금속 나노구조체는 대략 구형의 단결정 나노입자 또는 비정질 상의 합금 나노입자로 제공된다. 이외 산화물 형태로 제작되는 나노구조체는 나노 니들의 형상을 가진다. 금속 나노구조체의 형성을 위해 비정질 나노구조체가 이용된다. 비정질 나노구조체를 구성하는 중심 금속보다 높은 표준환원전위를 가지는 제2 금속 원소가 금속 나노구조체의 합성에 이용된다.
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公开(公告)号：WO2019066466A1
公开(公告)日：2019-04-04
申请号：PCT/KR2018/011382
申请日：2018-09-27
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 비정질 나노구조체 및 비정질 나노구조체의 제조방법이 개시된다. 비정질 나노구조체는 주쇄에 전이금속 및 할로겐 원소를 가지고, 전이금속은 +1의 산화수를 가진다. 또한, 비정질 나노구조체를 형성하는 무기 고분자는 인접한 무기 고분자와 수소 결합을 형성한다. 수소 결합을 위해 무기 고분자의 측쇄는 수소 및 수소 결합용 원소를 가진다. 이를 통해 다양한 특성을 확인할 수 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR102197464B1
公开(公告)日：2021-01-04
申请号：KR1020180110994
申请日：2018-09-17
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본발명은전기화학적암모니아합성용촉매및 이의제조방법에관한것이다. 본발명의촉매는, 기존단일금속또는금속산화물촉매에비해수배에서수십배에이르는암모니아합성활성을가지며, 이를이용하여촉매가코팅된전극을제조하고암모니아의생산수율및 합성속도가향상된전기화학적암모니아합성방법을제공할수 있다.
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公开(公告)号：KR1020170031411A
公开(公告)日：2017-03-21
申请号：KR1020150128893
申请日：2015-09-11
CPC classification number: G06F3/044 , G01L1/146 , G01L1/148 , G06F2203/04103
Abstract: 본발명은제1 기판, 상기제1 기판의상부면에패턴을이루며설치되는제1 전극, 상기제1 기판의상측에이격되게배치되는제2 기판, 상기제2 기판의밑면에패턴을이루며설치되어상기제1 전극과대향하는제2 전극및 상기제1 및제2 기판의사이에개재되는유전체를포함하는힘센서로, 상기유전체는상기제2전극의외측을감싸는제1유전체및 가압리브를포함하며, 상기가압리브는상기제1 및제2 전극의패턴에따라제1 유전체와제1 전극을복수로연결하는것을특징으로하는힘센서및 이의제조방법에관한것으로, 정전용량, 응답성및 내구성에있어서, 종래기술에비하여현저한효과를나타낸다.
Abstract translation: 本发明是安装形式在所述第二衬底的底表面上的图案，所述第二基板间隔开在所述第一电极的上侧，第一基板被安装形成所述第一基板上的图案，在第一基板的服装面 所述第一电极的过面对的第二电极和强彼此，所述电介质包括围绕所述第二电极的外侧的第一mitje第二基板之间的电介质材料包括第一电介质和所述压力肋，所述 压力肋具有根据第一和第二电极的图案彼此连接的多个第一电极和多个第一电极。力传感器及其制造方法技术领域本发明涉及一种力传感器及其制造方法， 并且与该技术相比显示出显着的效果。
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公开(公告)号：KR101872974B1
公开(公告)日：2018-07-02
申请号：KR1020150111791
申请日：2015-08-07
Abstract: 본발명은 (ⅰ) 고분자탄성체내에 (ⅱ) 전도성필러를포함하는것을특징으로하는고분자유전체조성물에있어서, 상기전도성필러는하기화학식 1로표시되는분산제를포함하는것을특징으로하는고분자유전체조성물및 이를이용한힘센서에관한것이다. [화학식 1] CX(CX)n-Y (단, 상기식에서 X는 H 또는 F이고, Y는 H, NH, OH, COOH 또는 SiRRR이고, n은 1 내지 30의정수이며, 상기 R, R및 R는서로동일하거나상이하고, H, F, Cl, Br, 탄소수가 1 내지 10인알킬기, 탄소수가 1 내지 10인알콕시기, 탄소수가 1 내지 10인알케닐기, 탄소수가 1 내지 10인알카인기, 탄소수가 1 내지 30인아릴기, 탄소수가 1 내지 30인시클로알킬기, 또는탄소수가 1 내지 30인시클로알케닐기이다.)
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公开(公告)号：KR101723804B1
公开(公告)日：2017-04-18
申请号：KR1020150128893
申请日：2015-09-11
CPC classification number: G06F3/044 , G01L1/146 , G01L1/148 , G06F2203/04103
Abstract: 본발명은제1 기판, 상기제1 기판의상부면에패턴을이루며설치되는제1 전극, 상기제1 기판의상측에이격되게배치되는제2 기판, 상기제2 기판의밑면에패턴을이루며설치되어상기제1 전극과대향하는제2 전극및 상기제1 및제2 기판의사이에개재되는유전체를포함하는힘센서로, 상기유전체는상기제2전극의외측을감싸는제1유전체및 가압리브를포함하며, 상기가압리브는상기제1 및제2 전극의패턴에따라제1 유전체와제1 전극을복수로연결하는것을특징으로하는힘센서및 이의제조방법에관한것으로, 정전용량, 응답성및 내구성에있어서, 종래기술에비하여현저한효과를나타낸다.
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公开(公告)号：KR1020170017612A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：KR1020150111791
申请日：2015-08-07
Abstract: 본발명은 (ⅰ) 고분자탄성체내에 (ⅱ) 전도성필러를포함하는것을특징으로하는고분자유전체조성물에있어서, 상기전도성필러는하기화학식 1로표시되는분산제를포함하는것을특징으로하는고분자유전체조성물및 이를이용한힘센서에관한것이다. [화학식 1] CX(CX)n-Y (단, 상기식에서 X는 H 또는 F이고, Y는 H, NH, OH, COOH 또는 SiRRR이고, n은 1 내지 30의정수이며, 상기 R, R및 R는서로동일하거나상이하고, H, F, Cl, Br, 탄소수가 1 내지 10인알킬기, 탄소수가 1 내지 10인알콕시기, 탄소수가 1 내지 10인알케닐기, 탄소수가 1 내지 10인알카인기, 탄소수가 1 내지 30인아릴기, 탄소수가 1 내지 30인시클로알킬기, 또는탄소수가 1 내지 30인시클로알케닐기이다.)
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