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公开(公告)号：KR101907039B1
公开(公告)日：2018-12-05
申请号：KR1020160146840
申请日：2016-11-04
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 하부전극; 상부전극; 및 상기 하부전극과 상부전극 사이에 형성된 절연막;을 포함하는 다중 레벨 비휘발성 저항 변화 메모리 소자로서, 상기 하부전극 및 상기 상부전극은 판형부; 및 상기 판형부 상에 형성된 패턴부;를 포함하며, 상기 패턴부는 복수 개의 프리즘형 구조물이 동일한 방향으로 일정간격을 두고 반복 배치된 돌출형 3차원 프리즘 구조체 패턴을 포함하고, 상기 하부전극의 패턴부과 상기 상부전극의 패턴부가 서로 마주보며 배치되되, 상기 하부전극의 상기 프리즘형 구조물의 길이방향과 상기 상부전극의 상기 프리즘형 구조물은 길이 방향끼리 서로 교차되어 배열되는 것을 특징으로 하는 다중 레벨 비휘발성 저항 변화 메모리 소자에 관한 것이다.
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公开(公告)号：KR20180050089A
公开(公告)日：2018-05-14
申请号：KR20160146840
申请日：2016-11-04
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: G11C13/0002 , G11C11/5685 , G11C13/0007 , G11C13/0016 , G11C13/003 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C2013/0073 , G11C2213/52 , G11C2213/71 , G11C2213/77 , H01L27/11 , H01L45/1253 , H01L45/1675
Abstract: 하부전극; 상부전극; 및상기하부전극과상부전극사이에형성된절연막;을포함하는다중레벨비휘발성저항변화메모리소자로서, 상기하부전극및 상기상부전극은판형부; 및상기판형부상에형성된패턴부;를포함하며, 상기패턴부는복수개의프리즘형구조물이동일한방향으로일정간격을두고반복배치된돌출형 3차원프리즘구조체패턴을포함하고, 상기하부전극의패턴부과상기상부전극의패턴부가서로마주보며배치되되, 상기하부전극의상기프리즘형구조물의길이방향과상기상부전극의상기프리즘형구조물은길이방향끼리서로교차되어배열되는것을특징으로하는다중레벨비휘발성저항변화메모리소자에관한것이다.
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公开(公告)号：KR101752200B1
公开(公告)日：2017-06-29
申请号：KR1020150167711
申请日：2015-11-27
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L45/16 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/1273 , H01L45/146 , H01L45/1616 , H01L45/1625
Abstract: 본발명은하부전극; 상기하부전극표면에형성된절연막; 및상기절연막위에형성된상부전극;을포함하는비휘발성저항변화메모리소자로서, 상기하부전극은복수의서로동일한 3차원금속구조체가일정간격을두고반복적으로배치되어형성된 3차원금속구조체패턴을포함하고, 상기 3차원금속구조체는피라미드(사각뿔), 프리즘, 원기둥및 사다리꼴피라미드(사각뿔대) 중에서선택되며, 상기복수의 3차원금속구조체사이공간을통해서균일한전도성필라멘트가형성되며, 낮은동작전압에서구동이가능하고장기안정성특성을갖는것을특징으로하는비휘발성저항변화메모리소자및 이의제조방법에관한것이다.
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4.发明公开낮고 신뢰성 있는 동작 전압 및 장기 안정성 특성을 갖는 비휘발성 저항 변화 메모리 소자 및 이의 제조방법 有权具有低且可靠的工作电压和长期稳定性特征的非易失性电阻可变存储器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020170062197A
公开(公告)日：2017-06-07
申请号：KR1020150167711
申请日：2015-11-27
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L45/16 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/1273 , H01L45/146 , H01L45/1616 , H01L45/1625
Abstract: 본발명은하부전극; 상기하부전극표면에형성된절연막; 및상기절연막위에형성된상부전극;을포함하는비휘발성저항변화메모리소자로서, 상기하부전극은복수의서로동일한 3차원금속구조체가일정간격을두고반복적으로배치되어형성된 3차원금속구조체패턴을포함하고, 상기 3차원금속구조체는피라미드(사각뿔), 프리즘, 원기둥및 사다리꼴피라미드(사각뿔대) 중에서선택되며, 상기복수의 3차원금속구조체사이공간을통해서균일한전도성필라멘트가형성되며, 낮은동작전압에서구동이가능하고장기안정성특성을갖는것을특징으로하는비휘발성저항변화메모리소자및 이의제조방법에관한것이다.
Abstract translation: 本发明涉及一种半导体器件， 形成在下电极表面上的绝缘膜; 和形成在绝缘膜上的上电极;其包括，其中所述下电极包括具有多个彼此相同三维金属结构的具有一定间隔的三维金属结构图案被重复地布置在形成的非易失性电阻可变存储器件， 三维金属结构是一个金字塔（四棱锥），棱镜，一个气缸，并且从梯形金字塔（四棱锥单位）选择时，具有均匀的导电细丝形成通过多个三维金属结构空间之间，所述驱动在低操作电压， 并且具有长期稳定性特征，以及其制造方法。
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