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公开(公告)号：KR1019930007744B1
公开(公告)日：1993-08-18
申请号：KR1019900008544
申请日：1990-06-11
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: G06F15/18
Abstract: The connecting matrix between input and output neurons is adjusted to reduce errors between the desired output and the actual output, and the number of adaptive elements are reduced so that large scaled optical implementation is done easily. The optical neural network includes a multi-layer hologram (47) for interconnecting input neurons and output neurons, spatial light modulators (3,8) for providing local adaptive interconnection of neurons, a foward path (1) for adaptive learning, a reverse path (2) for calculating error transmitted reversly, a two dimensional detector (5) for calculating sigmoid function in the output plane, a two-dimensional detector (10), for calculating error in the input stage, and a personal computer (6) for designating strength of local adaptive interconnection of the spatial light modulators (3,8) .
Abstract translation: 调整输入和输出神经元之间的连接矩阵，以减少所需输出与实际输出之间的误差，减少自适应元件的数量，从而轻松实现大规模光学实现。 光学神经网络包括用于互连输入神经元和输出神经元的多层全息图（47），用于提供神经元的局部自适应互连的空间光调制器（3,8），用于自适应学习的前馈路径（1），反向路径 （2）用于计算反向发送的误差，用于计算输出平面中的S形函数的二维检测器（5），用于计算输入级中的误差的二维检测器（10），以及用于 指定空间光调制器局部自适应互连的强度（3,8）。
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公开(公告)号：KR1019960026998A
公开(公告)日：1996-07-22
申请号：KR1019940035563
申请日：1994-12-21
Applicant: 주식회사 엘지이아이 , 한국과학기술연구원
IPC: H01L41/253
Abstract: 본 발명은 +Z면 리튬나오베이트 기판위에 티타늄 박막을 확산시켜 분극반전을 얻는 방법에 관한 것으로, 표면 분극반전층을 형성하지 않으며, 횡방향 확산된 티타늄 농도를 조절함으로써 분극반전의 깊이 조절이 가능하고, 기판으로부터의 리튬옥사이드 외부확산량이 적어도 광도파로 형성후 표면도파현상이 거의 없는 분극반전층의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에 의한 분극반전층 형성방법은 +Z면 리튬나오베이트기판위의 분극반전층을 형성하지 않을 부분에 티타늄박막을 형성한 후, 열처리를 행하여 티타늄을 횡방향으로 확산시켜 분극반전층을 형성하는 것이다.
본 발명에 의하면, 횡방향 확산된 티나늄농도를 조절하여 표면 분극반전층의 형성없이 분극반전 깊이를 조절할 수 있으며, 이에 따라 준위상정합된 집적광학 광도파로형 제2고조파 발생소자의 변환효율의 최대화를 매우 용이하게 실현할 수 있게 된다.-
Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR100161897B1
公开(公告)日：1998-12-01
申请号：KR1019940035563
申请日：1994-12-21
Applicant: 주식회사 엘지이아이 , 한국과학기술연구원
IPC: H01L41/253
Abstract: 본 발명은 +Z면 리튬나오베이트 기판 위에 티타늄박막을 확산시켜 분극반전을 얻는 방법에 관한 것으로, 표면 분극반전층을 형성하지 않으며, 횡방향 확산된 티타늄 농도를 조절함으로써 분극반전의 깊이 조절이 가능하고, 기판으로부터의 리튬옥사이드 외부확산량이 적어 광도파로 형성후 표면도파현상이 거의 없는 분극반전층의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에 의한 분극반전층 형성방법은 +Z면 리튬나오베이트 기판 위의 분극반전층을 형성하지 않을 부분에 티타늄박막을 형성한 후, 열처리를 행하여 티타늄을 횡방향으로 확산시켜 분극반전층을 형성하는 것이다.
본 발명에 의하면, 횡방향 확산된 티타늄농도를 조절하여 표면 분극반전층의 형성없이 분극반전 깊이를 조절할 수 있으며, 이에 따라 준위상정합된 집적광학 광도파로형 제2고조파 발생소자의 변화효율의 최대화를 매우 용이하게 실현할 수 있게 된다.-
公开(公告)号：KR1019960026997A
公开(公告)日：1996-07-22
申请号：KR1019940035562
申请日：1994-12-21
Applicant: 주식회사 엘지이아이 , 한국과학기술연구원
IPC: H01L41/253
Abstract: 본 발명은 분극반전방법에 관한 것으로, 기판 표면의 양자교환된 곳의 경계에서 분극반전씨앗이 형성되며 기판의 상, 하면에 서로 다른 온도를 유지함으로써 기판 내부로 분극반전이 자라도록 한다. 분극반전의 모양은 끝이 갈라진 바늘모양이며 준위정합을 이용한 청색광파 발생소자 제작에 적합한 이상적인 구조를 가진다.
본발명에 의하면, 주변의 공기온도 또는 공기흐름과 관계없이 일정하게 기판의 상하면에 온도차를 줌으로써 항상 재현성 있는 결과를 얻을 수 있다.-
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公开(公告)号：KR100144263B1
公开(公告)日：1998-07-01
申请号：KR1019940035562
申请日：1994-12-21
Applicant: 주식회사 엘지이아이 , 한국과학기술연구원
IPC: H01L41/253
Abstract: 본 발명은 분극반전방법에 관한 것으로, 기판 표면의 양자교환된 곳의 경계에서 분극반전씨앗이 형성되며 기판의 상,하면에 서로 다른 온도를 유지함으로써 기판 내부로 분극반전이 자라도록 한다. 분극반전의 모양은 끝이 갈라진 바늘모양이며 준위정합을 이용한 청색광파 발생소자 제작에 적합한 이상적인 구조를 가진다.
본 발명에 의하면, 주변의 공기온도 또는 공기흐름과 관계없이 일정하게 기판의 상하면에 온도차를 줌으로써 항상 재현성 있는 결과를 얻을 수 있다.
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