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公开(公告)号：KR1020110038419A
公开(公告)日：2011-04-14
申请号：KR1020090095703
申请日：2009-10-08
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: G11C11/15
CPC classification number: H01L43/08 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , G11C11/161 , H01F10/3254 , H01F10/3268 , H01F41/22 , H01F41/307 , H01L43/12
Abstract: PURPOSE: A magnetic tunnel junction device and a method for manufacturing the same are provided to prevent the diffusion of an element for deteriorating the operation property of a magnetic tunnel junction by processing a magnetic junction device with an in-situ in deposition. CONSTITUTION: A first magnetic layer(10) has a magnetization direction which can be reversed. A nonmagnetic layer(20) is located on the first magnetic layer. A second magnetic layer(30) is located on the nonmagnetic layer. A second magnetic layer has a fixed magnetization direction. An oxidation prevention layer(40) is located on the second magnetic layer. A third magnetic layer(50) is located on the oxidation prevention layer. The third magnetic layer holds the magnetization direction of the second magnetic layer. An anti- ferroelectric material layer(60) holds the magnetization direction of the third magnetic layer.
Abstract translation: 目的：提供一种磁性隧道结装置及其制造方法，以通过在原位沉积处理磁性结装置来防止用于恶化磁性隧道结的操作性能的元件的扩散。 构成：第一磁性层（10）具有可以反转的磁化方向。 非磁性层（20）位于第一磁性层上。 第二磁性层（30）位于非磁性层上。 第二磁性层具有固定的磁化方向。 氧化防止层（40）位于第二磁性层上。 第三磁性层（50）位于氧化防止层上。 第三磁性层保持第二磁性层的磁化方向。 抗铁电材料层（60）保持第三磁性层的磁化方向。
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公开(公告)号：KR101042338B1
公开(公告)日：2011-06-17
申请号：KR1020090095703
申请日：2009-10-08
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: G11C11/15
CPC classification number: H01L43/08 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , G11C11/161 , H01F10/3254 , H01F10/3268 , H01F41/22 , H01F41/307 , H01L43/12
Abstract: 본 발명은 자기터널접합 디바이스 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 자기터널접합 디바이스는 i) 반전 가능한 자화 방향을 가지는 제1 자성층, ii) 제1 자성층 위에 위치한 비자성층, iii) 비자성층 위에 위치하고 고정된 자화 방향을 가지는 제2 자성층, iv) 제2 자성층 위에 위치하는 산화 방지층, v) 산화 방지층 위에 위치하고, 제2 자성층과의 자성 결합에 의해 제2 자성층의 자화 방향을 고정시키는 제3 자성층, 및 vi) 제3 자성층 위에 위치하고, 제3 자성층의 자화 방향을 고정시키는 반강자성층을 포함한다.
자기터널접합 디바이스, 확산, 강자성, 교환 결합
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