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公开(公告)号：KR101678624B1
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：KR1020150129506
申请日：2015-09-14
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: C01B31/36 , C01B32/956 , C01P2004/51 , C01P2004/60
Abstract: 본발명은초고순도탄화규소분말의제조방법에관한것으로서, 더욱상세하게는다양한순도를갖는액상의규소화합물과고상또는액상의탄소화합물을원료로사용하여졸-젤공정에의해규소화합물과탄소화합물이균질하게분산된젤을제조하고, 제조된젤을열분해반응시켜이산화규소-탄소(SiO-C) 복합체를제조한다음, 제조된이산화규소-탄소복합체를두 단계로이루어진열 탄소환원반응을통해탄화규소-이산화규소-탄소(SiC-SiO-C)의복합분말을제조한후에, 금속규소를첨가하고다시열처리하여탄화반응및 열탄소환원반응을동시에진행시켜탄화규소의수율을높이도록하면서합성된탄화규소의입자를성장시켜초고순도의탄화규소과립분말을제조하는방법에관한것이다.
Abstract translation: 本发明涉及一种制备超高纯度碳化硅粉末的方法，更具体地说，涉及通过制备其中硅化合物和碳化合物通过溶胶均匀分散的凝胶制备超高纯度碳化硅颗粒粉末的方法 使用液态硅化合物和不同纯度的固体或液态碳化合物作为原料，通过热解制备的凝胶制备二氧化硅 - 碳（SiO 2 -C）复合物，制备碳化硅 - 二氧化硅 - 碳（SiC-SiO2-C）复合粉末通过二次碳热还原制备的二氧化硅 - 碳复合材料，加入硅金属，然后通过热处理同时进行碳化和碳热还原，从而生长合成碳化硅 具有增加的碳化硅产率的颗粒。
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2.发明授权
公开(公告)号：KR101678622B1
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：KR1020150132850
申请日：2015-09-21
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: C01B32/956
Abstract: 본발명은이산화규소-카본다공질복합체와이를이용한고순도과립β-상탄화규소분말의제조방법에관한것으로, 더욱상세하게는액상의규소화합물과탄소화합물을원료로사용하여졸-젤공정에의해이산화규소망목구조내에탄소화합물이균질하게분산된젤을제조한후, 상기탄소화합물을고상으로고착시킨다음건조및 열처리하여비표면적이높은이산화규소-카본다공질복합체를제조하고, 제조된이산화규소-카본다공질복합체를두 단계로이루어지는열처리공정으로카본과금속규소의직접반응및 열탄소환원반응을진행시에승온속도와열처리온도의조절을통해평균입도, 입도분포도및 순도를조절하게되는고순도의과립β-상탄화규소분말의제조방법에관한것이다.
Abstract translation: 本公开涉及多孔二氧化硅 - 碳复合材料和使用其制备高纯度β相碳化硅颗粒粉末的方法。 更具体地说，本发明涉及一种制备高纯度β相碳化硅颗粒粉末的方法，该方法是制备凝胶的第一步骤，其中碳化合物均匀地分散在二氧化硅网络结构中，所述二氧化硅网络结构通过使用硅的溶胶 - 凝胶法生成 化合物和液态碳化合物作为原料，制备多孔二氧化硅 - 碳复合材料的第二步骤，其中碳化合物固化，干燥然后热处理以具有高比表面积，第三步骤 通过所制备的多孔二氧化硅 - 碳复合材料粉末与添加的金属硅的两步处理工艺，进行碳和金属硅之间的直接反应以及碳和二氧化硅之间的碳热还原，其中平均粒度，颗粒 可以通过控制加热速率，热处理温度来调节碳化硅粉末的尺寸分布和纯度 热处理过程中的特性和时间。
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公开(公告)号：KR101413653B1
公开(公告)日：2014-07-01
申请号：KR1020120025947
申请日：2012-03-14
Applicant: 한국과학기술연구원 , 엘지이노텍 주식회사
CPC classification number: C01B31/36 , C01B32/956
Abstract: 본 발명은 고순도 탄화규소 분말의 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 금속 규소와 이산화규소 분말로 이루어진 출발원료로부터 발생하는 기상 규소원과 고상의 탄소원을 원료로 사용하여 진공 분위기 또는 아르곤(Ar) 분위기 하에서 고온 열처리하는 공정으로 진행되며, 기상의 규소원과 고상의 탄소원의 조성변화, 열처리 온도 및 시간 조절을 통하여 탄화규소 분말의 크기 및 결정상을 제어하는 것이 용이한 고순도 탄화규소 분말의 제조방법에 관한 것이다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101942815B1
公开(公告)日：2019-01-30
申请号：KR1020170150319
申请日：2017-11-13
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C04B38/00 , C04B35/565 , C04B35/626 , C04B35/632 , C04B35/64
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公开(公告)号：KR102149834B1
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：KR1020180082670
申请日：2018-07-17
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C04B38/06 , C04B35/565 , C04B35/624 , C04B35/626
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公开(公告)号：KR101627371B1
公开(公告)日：2016-06-07
申请号：KR1020150025827
申请日：2015-02-24
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C01B31/36
CPC classification number: C01B32/956 , C01P2004/62 , C01P2004/64
Abstract: 본발명은입도조절이가능한탄화규소분말의제조방법에관한것으로서, 더욱상세하게는ⅰ)액상규소원과고상탄소원을원료물질로준비하는단계, ⅱ)상기원료물질의분산용액에서액상규소원을젤화(gelation)하여고상탄소원이고루분산된젤을제조하는단계, ⅲ)젤을열처리하여 SiO-C 복합체분말을제조하는단계, 및ⅳ) SiO-C 복합체분말을열탄소환원반응하여탄화규소분말을제조하는단계를포함하고있으며, 상기 SiO-C 복합체분말의입자크기별분급및/또는열탄소환원반응온도및 시간조절을통하여원하는입자크기로조절이가능한탄화규소분말의제조방법에관한것이다.
Abstract translation: 本发明涉及一种生产具有尺寸可调颗粒的碳化硅粉末的方法，更具体地说，涉及一种生产碳化硅粉末的方法，包括以下步骤：i）制备液硅源和固体碳源 原料; ii）在原料的分散溶液中胶化液态硅源以制备固体碳均匀分布的凝胶; iii）热处理凝胶以制备SiO2-C复合粉末; 和iv）对所述SiO 2 -C复合粉末进行碳热还原以制备碳化硅粉末，其中SiO 2 -C复合粉末通过按照尺寸和/或调节温度和时间来进行热分解来调节颗粒尺寸 反应。
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公开(公告)号：KR1020130104447A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：KR1020120025947
申请日：2012-03-14
Applicant: 한국과학기술연구원 , 엘지이노텍 주식회사
CPC classification number: C01B31/36 , C01B32/956 , C01B33/12
Abstract: PURPOSE: A production method of silicon carbide powder is provided to control the size and the crystalline of the silicon carbide powder by adjusting the heat processing temperature and time, and changing the composition of a gaseous silicon source and a solid carbon source. CONSTITUTION: A production method of silicon carbide powder comprises the following steps: mixing and drying metallic silicon, silica powder, and a thermoplastic resin to obtain a starting raw material for producing a gaseous silicon source; locating the starting raw material for producing the gaseous silicon source on the bottom of a graphite crucible, locating a graphite separator on the upper side of the starting raw material for producing the gaseous silicon source, and locating a solid carbon source on the upper side of the graphite separator before closing a lid of the graphite crucible to form a reaction system to produce the silicon carbide powder; and heat processing the reaction system under the argon atmosphere.
Abstract translation: 目的：提供碳化硅粉末的制造方法，通过调节热处理温度和时间，改变气态硅源和固体碳源的组成来控制碳化硅粉末的尺寸和结晶。 构成：碳化硅粉末的制造方法包括以下步骤：将金属硅，二氧化硅粉末和热塑性树脂混合干燥，得到气态硅源的制造原料， 将用于生产气态硅源的起始原料定位在石墨坩埚的底部，将石墨隔板定位在用于生产气态硅源的起始原料的上侧，并将固体碳源定位在 在石墨坩埚盖上关闭石墨隔板，形成碳化硅粉末的反应体系; 并在氩气氛下热处理反应体系。
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