公开(公告)号：KR100032137B1

公开(公告)日：1990-03-12

申请号：KR1019870009802

申请日：1987-09-04

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 이귀로 ,  김충기 ,  박영준

IPC: H01L29/78

公开(公告)号：KR1019890005887A

公开(公告)日：1989-05-17

申请号：KR1019870009802

申请日：1987-09-04

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 이귀로 ,  김충기 ,  박영준

IPC: H01L29/78

Abstract: 내용 없음

公开(公告)号：KR1019890004978B1

公开(公告)日：1989-12-02

申请号：KR1019870009802

申请日：1987-09-04

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 이귀로 ,  김충기 ,  박영준

IPC: H01L29/78

Abstract: The IC includes a NMOS formed on P-type wall region (11) in P-type base plate (10) and a PMOS formed on N-type base plate (10). Thin gate silicon dioxide layers (16,26) are grown on NMOS and PMOS regions. N-type buried layer (18) is formed by injecting ion in N- MOS layer and multi-crystal silicon layers (17,27) are grown by vaporising on gate silicon dioxides (16,26). Source region (13) and drain region (14) of NMOS and source and drain regions (24) of PMOS are formed by injecting N and P type impurities on NMOS and PMOS respectively.

Abstract translation: IC包括形成在P型基板（10）中的P型壁区域（11）上的NMOS和形成在N型基板（10）上的PMOS。 在NMOS和PMOS区域上生长薄栅二氧化硅层（16,26）。 通过在N-MOS层中注入离子形成N型掩埋层（18），并通过在栅极二氧化硅上蒸发生长多晶硅层（17,27）（16,26）。 通过在NMOS和PMOS上分别注入N和P型杂质，形成NMOS的源极区（13）和漏极区（14）以及PMOS的源极和漏极区（24）。