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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR102236586B1
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：KR1020190066168A
申请日：2019-06-04
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: H01L43/08 , G11C11/161 , H01L43/10 , H01L43/12
Abstract: 본 발명의 실시예에 따른 자기 메모리 소자는, 하부전극; 상기 하부전극 상에 형성되는 자성층; 상기 자성층 상에 형성되며 개방 격자 구조를 갖는 산화물층; 및 상기 산화물층 상에 형성되는 상부전극을 포함하며, 상기 상부전극은, 상기 상부전극과 상기 하부전극 간에 인가된 전압에 의해 상기 상부전극 주위의 수분을 분해하여 수소 이온을 발생시키고, 상기 발생한 수소 이온에 의해 상기 자성층의 자기 이방성이 제어된다.
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公开(公告)号：KR1020200139542A
公开(公告)日：2020-12-14
申请号：KR1020190066168
申请日：2019-06-04
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본발명의실시예에따른자기메모리소자는, 하부전극; 상기하부전극상에형성되는자성층; 상기자성층상에형성되며개방격자구조를갖는산화물층; 및상기산화물층상에형성되는상부전극을포함하며, 상기상부전극은, 상기상부전극과상기하부전극간에인가된전압에의해상기상부전극주위의수분을분해하여수소이온을발생시키고, 상기발생한수소이온에의해상기자성층의자기이방성이제어된다.
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公开(公告)号：KR102236586B1
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：KR1020190066168
申请日：2019-06-04
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본발명의실시예에따른자기메모리소자는, 하부전극; 상기하부전극상에형성되는자성층; 상기자성층상에형성되며개방격자구조를갖는산화물층; 및상기산화물층상에형성되는상부전극을포함하며, 상기상부전극은, 상기상부전극과상기하부전극간에인가된전압에의해상기상부전극주위의수분을분해하여수소이온을발생시키고, 상기발생한수소이온에의해상기자성층의자기이방성이제어된다.
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