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公开(公告)号：KR102238598B1
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：KR1020190128609A
申请日：2019-10-16
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01M8/1048 , C08J5/22 , H01M8/1018
CPC classification number: H01M8/1048 , C08J5/2275 , H01M8/103 , H01M8/1081 , H01M2008/1095 , H01M2220/10 , H01M2250/20
Abstract: 본 발명은 본 발명은 중·고온형 고분자 전해질막, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 고온형 고분자 전해질 연료전지에 관한 것으로, 보다 상세하게는 인인산 도핑된 폴리벤즈이미다졸(PBI) 제조시 인산용액 상에서 나노섬유를 형성할 수 있는 무기 전구체를 첨가함으로써, 인산 도핑된 폴리벤즈이미다졸 고분자 막의 내부에 복합화된 무기 인산염 나노섬유를 포함하는 복합막을 제조하고, 이를 200 내지 300 ℃의 고온에서도 인산의 열화 없이 열적으로 안정하며, 높은 이온전도도를 갖는 고온형 고분자 전해질막으로 응용할 수 있다.
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公开(公告)号：KR102238598B1
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：KR1020190128609
申请日：2019-10-16
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01M8/1048 , C08J5/22 , H01M8/1018
Abstract: 본발명은본 발명은중·고온형고분자전해질막, 이의제조방법및 이를포함하는고온형고분자전해질연료전지에관한것으로, 보다상세하게는인인산도핑된폴리벤즈이미다졸(PBI) 제조시인산용액상에서나노섬유를형성할수 있는무기전구체를첨가함으로써, 인산도핑된폴리벤즈이미다졸고분자막의내부에복합화된무기인산염나노섬유를포함하는복합막을제조하고, 이를 200 내지 300 ℃의고온에서도인산의열화없이열적으로안정하며, 높은이온전도도를갖는고온형고분자전해질막으로응용할수 있다.
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