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公开(公告)号:KR1020100100465A
公开(公告)日:2010-09-15
申请号:KR1020090019374
申请日:2009-03-06
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: B22F9/16 , C07F1/08 , B82B3/00 , H01L31/0445
CPC classification number: Y02E10/50 , B22F9/24 , B22F1/0003 , C09D11/52 , H01B1/02
Abstract: PURPOSE: CIGS(CuInxGa1-xSe2) particles and a method for preparing the same are provided to prepare CIGS particles at relatively low temperature by using an alcohol mixed solvent with high volatility. CONSTITUTION: A method for preparing CIGS particles comprises steps of: preparing a CIG precursor compound(101) or oxide from the precursors of Cu, In, and Ga(100), dissolving the CIG precursor compound or oxide and Se precursor in a mixed organic solvent, synthesizing CIGS particles by making the solution react at a temperature lower than to the boiling temperature of the organic solvent and higher than the boiling temperature of alcohol, separating the precipitate from the solution and washing and drying it, and obtaining nano-sized CIGS particles through the centrifugal separation, washing and drying of the remaining solution.
Abstract translation: 目的:提供CIGS(CuInxGa1-xSe2)颗粒及其制备方法,以通过使用具有高挥发性的醇混合溶剂在较低温度下制备CIGS颗粒。 构成:制备CIGS颗粒的方法包括以下步骤:从Cu,In和Ga(100)的前体制备CIG前体化合物(101)或氧化物,将CIG前体化合物或氧化物和Se前体溶解在混合有机 溶剂,通过使溶液在低于有机溶剂的沸点温度的温度下反应并高于醇的沸点来合成CIGS颗粒,将沉淀物与溶液分离并洗涤和干燥,并获得纳米尺寸的CIGS 颗粒通过离心分离,洗涤和干燥剩余溶液。
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公开(公告)号:KR101064521B1
公开(公告)日:2011-09-14
申请号:KR1020090019374
申请日:2009-03-06
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: B22F9/16 , C07F1/08 , B82B3/00 , H01L31/0445
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 본 발명은 CIGS (CuIn
x Ga
1
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x Se
2 ) 미세입자의 제조 방법에 관한 것으로서, 본 발명의 방법은 (1) Cu, In 및 Ga의 전구체들로부터 CIG 전구체 혼합물 또는 산화물을 제조하는 단계, (2) 상기 CIG 전구체 혼합물 또는 산화물과 Se 전구체 화합물을, 알코올과 그 알코올보다 끓는점이 높은 유기 용매의 혼합 용매에 용해시키는 단계, (3) 상기 용액을 상기 알코올의 끓는점 이상, 상기 유기 용매의 끓는점 이하의 온도에서 반응시켜 CIGS계 미세입자를 합성하는 단계, (4) 상기 반응 후 생성된 침전물 또는 용액 중에 분산되어 있는 나노입자를 용액으로부터 분리, 세정 및 건조하는 단계를 포함한다. 특히, 본 발명의 제조 방법은 CuIn
x Ga
1-x Se
2 물질을 기존에 보고된 바가 없는 알코올을 이용하여 합성하기 때문에 기존의 방법보다 간단하며 저온에서 합성할 수 있다는 장점이 있다.
CIGS계 미세입자, CIGS계 나노입자, 구리인듐갈륨셀렌계 미세입자
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