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公开(公告)号：KR1020050098423A
公开(公告)日：2005-10-12
申请号：KR1020040023643
申请日：2004-04-07
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C25D1/04
CPC classification number: C25D1/04
Abstract: 본 발명은 전착법을 이용하여 미세결정구조의 카드뮴셀레나이드(CdSe) 막을 제조하는 방법에 관한 것으로서, 황산카드뮴(CdSO
4 ) 수용액에 시트르산나트륨(Na
3 C
6 H
5 O
7 ·3H
2 O) 수용액을 첨가하여 pH를 7 내지 9로 조절한 다음, 이를 셀레노아황산나트륨(Na
2 SeSO
3 ) 수용액과 혼합한 후 여기에 상대전극(counter electrode)과 작업전극(working electrode)을 침지시키고 전압을 인가하는 것을 포함하는 본 발명의 전착법에 의하면, 미세 육방결정구조를 갖는 양질의 카드뮴셀레나이드 막을 간단하게 제조할 수 있으며, 이 막은 광에너지를 전기 또는 화학에너지로 전환하는 공정의 전극으로 유용하게 사용된다.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100598482B1
公开(公告)日：2006-07-11
申请号：KR1020040023643
申请日：2004-04-07
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C25D1/04
Abstract: 본 발명은 전착법을 이용하여 미세결정구조의 카드뮴셀레나이드(CdSe) 막을 제조하는 방법에 관한 것으로서, 황산카드뮴(CdSO
4 ) 수용액에 시트르산나트륨(Na
3 C
6 H
5 O
7 ·3H
2 O) 수용액을 첨가하여 pH를 7 내지 9로 조절한 다음, 이를 셀레노아황산나트륨(Na
2 SeSO
3 ) 수용액과 혼합한 후 여기에 상대전극(counter electrode)과 작업전극(working electrode)을 침지시키고 전압을 인가하는 것을 포함하는 본 발명의 전착법에 의하면, 미세 육방결정구조를 갖는 양질의 카드뮴셀레나이드 막을 간단하게 제조할 수 있으며, 이 막은 광에너지를 전기 또는 화학에너지로 전환하는 공정의 전극으로 유용하게 사용된다.-
公开(公告)号：KR100555293B1
公开(公告)日：2006-03-03
申请号：KR1020030086681
申请日：2003-12-02
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/205
Abstract: 본 발명은 화학증착법을 이용한 티타늄 산화물 박막의 제조방법에 관한 것으로서, pH 1 내지 5 및 농도 0.01 내지 0.1M의 티타늄 염 함유 용액 중에 증착용 기재를 침지시키는 본 발명의 화학증착법에 의하면, 다공성의 무정질 티타늄 산화물 박막을 고온에서의 열처리 없이 온화한 조건에서 간단하게 제조할 수 있으며, 이 박막은 광촉매 또는 전기화학 전지의 전극으로 유용하게 사용될 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020050079054A
公开(公告)日：2005-08-09
申请号：KR1020040007149
申请日：2004-02-04
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C01G11/00
Abstract: 본 발명은 화학적 방법을 이용한 카드뮴셀레나이드 막의 제조방법에 관한 것으로서, 황산카드뮴(CdSO
4 ) 수용액에 시트르산나트륨(Na
3 C
6 H
5 O
7 ·3H
2 O) 수용액을 첨가하여 pH를 7 내지 9로 조절한 다음, 이를 셀레노아황산나트륨(Na
2 SeSO
3 ) 수용액과 혼합한 후 여기에 증착용 기재를 침지시키는 본 발명의 화학적 방법에 의하면, 미세 육방결정구조의 카드뮴셀레나이드 막을 암모니아를 사용하지 않고 온화한 조건에서 간단하게 제조할 수 있으며, 이 막은 광에너지를 전기 또는 화학에너지로 전환하는 공정의 전극으로 유용하게 사용된다.-
公开(公告)号：KR1020050053079A
公开(公告)日：2005-06-08
申请号：KR1020030086681
申请日：2003-12-02
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/205
Abstract: 본 발명은 화학증착법을 이용한 티타늄 산화물 박막의 제조방법에 관한 것으로서, pH 1 내지 5 및 농도 0.01 내지 0.1M의 티타늄 염 함유 용액 중에 증착용 기재를 침지시키는 본 발명의 화학증착법에 의하면, 다공성의 무정질 티타늄 산화물 박막을 고온에서의 열처리 없이 온화한 조건에서 간단하게 제조할 수 있으며, 이 박막은 광촉매 또는 전기화학 전지의 전극으로 유용하게 사용될 수 있다.
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公开(公告)号：KR100576934B1
公开(公告)日：2006-05-10
申请号：KR1020040007149
申请日：2004-02-04
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C01G11/00
Abstract: 본 발명은 화학적 방법을 이용한 카드뮴셀레나이드 막의 제조방법에 관한 것으로서, 황산카드뮴(CdSO
4 ) 수용액에 시트르산나트륨(Na
3 C
6 H
5 O
7 ·3H
2 O) 수용액을 첨가하여 pH를 7 내지 9로 조절한 다음, 이를 셀레노아황산나트륨(Na
2 SeSO
3 ) 수용액과 혼합한 후 여기에 증착용 기재를 침지시키는 본 발명의 화학적 방법에 의하면, 미세 육방결정구조의 카드뮴셀레나이드 막을 암모니아를 사용하지 않고 온화한 조건에서 간단하게 제조할 수 있으며, 이 막은 광에너지를 전기 또는 화학에너지로 전환하는 공정의 전극으로 유용하게 사용된다.
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