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公开(公告)号：KR102040083B1
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：KR1020180106679
申请日：2018-09-06
Applicant: 숭실대학교산학협력단 , 한국과학기술연구원
IPC: C08F299/06 , C08F220/34 , C08F220/38 , C08L53/00 , C08J5/18
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公开(公告)号：KR1020090092471A
公开(公告)日：2009-09-01
申请号：KR1020080017727
申请日：2008-02-27
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L31/0445 , H01L31/18
CPC classification number: C01B19/002 , C01P2002/72 , H01L31/1844 , Y02E10/544
Abstract: Fabrication of thin film for solar cells using paste and the thin film fabricated thereby are provided to minimize consumption of a metal material by a paste or an ink for CIGS or CIS thin film. A Cu precursor and In precursor, and Ga precursor are mixed to manufacture a mixture(103). The mixture is appropriately heat-treated and then the precursor compound or oxide is formed. The precursor compound or oxide is mixed with a Se precursor and it is reacted to water-based solvent or alcoholic solvent and then a paste is obtained(105). After the paste is coated on the substrate, the substrate is heat-treated under the inert gas or the reducing gas.
Abstract translation: 提供使用糊料制造太阳能电池薄膜和由此制造的薄膜来提供用于通过用于CIGS或CIS薄膜的糊料或油墨来消耗金属材料的消耗。 将Cu前体和In前体和Ga前体混合以制备混合物（103）。 将混合物适当地热处理，然后形成前体化合物或氧化物。 将前体化合物或氧化物与Se前体混合，并与水溶剂或醇溶剂反应，然后得到糊状物（105）。 将糊剂涂布在基材上之后，在惰性气体或还原气体下对基材进行热处理。
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公开(公告)号：KR100989077B1
公开(公告)日：2010-10-25
申请号：KR1020080017727
申请日：2008-02-27
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L31/0445 , H01L31/18
CPC classification number: C01B19/002 , C01P2002/72 , H01L31/1844 , Y02E10/544
Abstract: 본 발명은 CIGS(구리인듐갈륨셀렌)계 또는 CIS(구리인듐셀렌)계 태양전지로 통칭되는, IB족, IIIA족 및 VIA족의 원소들을 포함하는 물질을 빛 흡수층으로 이용하는 박막 태양전지용 CIGS 또는 CIS계 분말 또는 박막 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에서는 CIS 또는 CIGS계 박막을 기존의 제조 방법에 사용되던 진공 증착 방법이 아닌 페이스트 코팅법을 이용하여 제조함으로써, 태양전지 생산시의 원료의 손실을 줄이고 대량 생산 및 대면적화를 가능하게 한다. 본 발명에 따르면, 특히 유독 기체를 이용한 셀렌화(selenization) 공정 대신에 대기 방출 위험이 적은 Se 전구체를 이용하기 때문에 보다 안전한 저가의 박막 제조가 가능하다.
박막 태양전지, CIGS, CIS, Cu(In,Ga)Se2, 칼코파이라이트, 페이스트
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