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公开(公告)号：WO2021230424A1
公开(公告)日：2021-11-18
申请号：PCT/KR2020/009728
申请日：2020-07-23
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01M4/139 , H01M4/04 , H01M10/052 , H01G11/86 , H01G11/06 , H01G11/50 , C07F1/02 , H01M10/0525 , H01M2004/028 , H01M4/049 , H01M4/366
Abstract: 본 발명은 사전리튬화 용액 및 이를 이용한 사전리튬화된 음극의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 사전리튬화 용액 및 이를 이용한 사전리튬화된 음극의 제조방법은 음극 활물질에 비하여 충분히 낮은 산화환원전위를 갖는 사전리튬화 용액을 이용하여 음극을 용액에 침지하는 단순한 과정을 통해 용액상에서 화학적으로 리튬 이온을 음극 전체에 걸쳐 균일하게 삽입할 수 있으며, 높은 수준의 사전리튬화를 달성할 수 있다. 상기 방법으로 제조된 사전리튬화된 음극은 이상적인 초기 쿨롱 효율을 가지며, 이를 바탕으로 높은 에너지 밀도를 갖는 리튬 이차전지를 제조할 수 있다. 또한, 제조된 음극은 건조 대기에서도 우수한 안정성을 바탕으로 대량 생산에 적용되기 적합한 장점을 가진다.
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2.发明公开산화그래핀의 환원 방법, 상기 방법으로 얻어진 환원 산화그래핀 및 상기 환원 산화그래핀을 포함하는 박막 트랜지스터 无效通过包括减少的氧化亚铜的方法和薄膜晶体管获得的减少氧化石墨和还原的氧化石墨的方法
公开(公告)号：KR1020140115198A
公开(公告)日：2014-09-30
申请号：KR1020130029983
申请日：2013-03-20
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C01B31/02 , H01L29/786 , B82B1/00 , B82B3/00
CPC classification number: C01B31/043 , C01B32/192 , H01L21/0237 , H01L21/02527 , H01L21/02601 , H01L21/02628 , H01L21/02664 , H01L29/1606 , H01L29/401 , H01L29/41725 , H01L29/41733 , H01L29/458 , H01L29/66477 , Y10T428/24802 , C01B32/23 , B82B1/008 , B82B3/0095
Abstract: The present invention relates to a preparing method of a reduced graphene oxide pattern, comprising a step for forming a graphene oxide pattern on a substrate and a step for reducing the graphene oxide by supplying white light pulse to the graphene oxide pattern; to a reduced graphene oxide gained by the method; and to an electronic device and a thin film transistor including the reduced graphene oxide.
Abstract translation: 本发明涉及还原型氧化石墨烯图案的制备方法，其包括在基片上形成石墨烯氧化物图案的步骤和通过向氧化石墨烯图案提供白光脉冲来还原氧化石墨烯的步骤; 通过该方法获得的还原型石墨烯氧化物; 以及包括还原型石墨烯氧化物的电子器件和薄膜晶体管。
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