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公开(公告)号：KR1020010076876A
公开(公告)日：2001-08-17
申请号：KR1020000004293
申请日：2000-01-28
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: PURPOSE: A densification method of oxide thick film which is characterized by gas pressure sintering encapsulated oxide thick film is provided to improve electrical and mechanical properties, make the following process easy. Also, the method is applied to layered samples so that it enables mass production. CONSTITUTION: The method comprises the steps of: de-waxing an oxide green thick film(23) formed on a substrate(22) by silk-screen for removing organic binder, resulting in porous formed body; encapsulating by coating it with a metallic or oxide nonconducting thin film(21), where the metallic encapsulation materials are Ag-Pd alloy, Pt, Cu, Al or Ni and the process is performed by direct current sputtering, thermal or electron beam deposition, ion plating, etc., and the oxide encapsulation materials are SiO2-based oxide nonconductors, and the process is performed by low pressure or plasma chemical deposition or high frequency magnetron sputtering; densifying by gas pressure sintering at 600-900deg.C under 20-3000atm. of Ar pressure; pattern-etching and forming an upper electrode on oxide thick film.
Abstract translation: 目的：提供氧化物厚膜的致密化方法，其特征在于气压烧结包封氧化物厚膜，以提高电气和机械性能，使以下过程容易。 此外，该方法应用于分层样品，使得其能够批量生产。 构成：该方法包括以下步骤：通过丝网去除有机粘合剂，形成在基板（22）上的氧化物绿色厚膜（23），形成多孔成形体; 通过用金属或氧化物非导电薄膜（21）涂覆其来封装，其中金属封装材料是Ag-Pd合金，Pt，Cu，Al或Ni，并且该工艺通过直流溅射，热或电子束沉积， 离子电镀等，氧化物封装材料为SiO 2系氧化物非导体，该工艺通过低压或等离子体化学沉积或高频磁控溅射进行; 通过气压在600-900℃下烧结20-3000atm。 的Ar压力; 图案蚀刻和在氧化物厚膜上形成上电极。
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公开(公告)号：KR1019990066601A
公开(公告)日：1999-08-16
申请号：KR1019980002662
申请日：1998-01-31
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C01G23/00
Abstract: 본 발명은 바륨과 티탄을 포함하는 유기 전구체를 사용하여 열처리함으로써 발광 특성을 갖는 티탄산 바륨을 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 발명의 방법에 따라, 종래의 제조 방법에 의해서는 전기적 재료로서만 사용가능했던 티탄산 바륨에 발광 특성을 부여하여 전기, 발광 등의 복합 기능을 갖는 재료를 제조할 수 있다.
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公开(公告)号：KR100188988B1
公开(公告)日：1999-06-01
申请号：KR1019970021198
申请日：1997-05-28
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C04B35/584
Abstract: 본 발명은 기지상인 질화규소 분말에 고분자 및 규소 화합물을 첨가시켜 혼합한 후, 혼합물 중의 고분자를 탄화시켜 생성된 탄소 (C)를 질화규소의 산화막 또는 첨가한 규소 화합물과 반응시킴으로써, 초미립인 탄화규소가 고르게 분산된 질화규소/탄화규소 초미립 복합 재료를 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 발명의 방법으로 종래 방법에 비해 제조 단가가 저렴하고 탄화규소의 분산 특성이 우수한 질화규소/탄화규소 초미립 복합 재료를 제조할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1019980085201A
公开(公告)日：1998-12-05
申请号：KR1019970021198
申请日：1997-05-28
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C04B35/584
Abstract: 본 발명은 기지상인 질화규소 분말에 고분자 및 규소 화합물을 첨가시켜 혼합한 후, 혼합물 중의 고분자를 탄화시켜 생성된 탄소 (C)를 질화규소의 산화막 또는 첨가한 규소 화합물과 반응시킴으로써, 초미립인 탄화규소가 고르게 분산된 질화규소/탄화규소 초미립 복합 재료를 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 발명의 방법으로 종래 방법에 비해 제조 단가가 저렴하고 탄화규소의 분산 특성이 우수한 질화규소/탄화규소 초미립 복합 재료를 제조할 수 있다.
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公开(公告)号：KR100355346B1
公开(公告)日：2002-10-11
申请号：KR1020000004293
申请日：2000-01-28
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본 발명은 산화물 후막의 치밀화 공정에 있어서, 기판 위에 형성된 산화물 후막을 금속 또는 산화물 부도체 박막으로 인캡슐레이션(encapsulation)시키고, 600 ~ 900℃의 온도에서 20 ~ 3000 기압의 압력으로 가스 가압소결하는 것을 특징으로 하는 산화물 후막의 치밀화 방법을 제공한다. 본 발명에 의하면, 현재 사용되는 산화물 후막, 예를 들어 압전 후막 등의 밀도를 획기적으로 증대시켜서, 전기적 물성이 벌크(bulk)값 정도에 이를 수 있다. 또한 본 발명의 가스 가압 소결법은 가스의 등방향 압축을 이용한 치밀화 기술로서, 시편을 여러 층으로 쌓아서 수행할 수 있어서, 실제 양산화 공정에 적용이 가능하다. 높은 압력에서 소결하므로 승압 융점 강하 현상으로 저온에서 소결 및 치밀화할 수 있다.
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR1020010077213A
公开(公告)日：2001-08-17
申请号：KR1020000004862
申请日：2000-02-01
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C04B35/584 , C04B35/565
CPC classification number: C04B35/5755 , C04B35/5935 , C04B35/62645 , C04B35/6316 , C04B35/632 , C04B35/645
Abstract: PURPOSE: A preparation method of Si3N4/SiC ultrafine composite material using polymer instead of SiC powder is provided which is characterized in that ultrafine SiC is homogeneously dispersed over Si3N4 matrix. Accordingly, the resultant composite material has much decreased agglomeration and defects compared with a conventional Si3N4/SiC composite material. CONSTITUTION: The Si3N4/SiC ultrafine composite material is prepared by the following steps: mixing Si3N4 with sintering aids, as 1-4wt.% of Al2O3, 3-8wt.% of Y2O3, 1-3wt.% of MgO and drying the mixture; adding a polymer for forming thermal decomposition C, inorganic or organic binder and water to be a paste, wherein the polymer is polystyrene, phenol resin or polypropylene, the inorganic binder is clay and organic binder is vinyl acetate, methylcellulose or poethyleneglycol; injection molding or extrusion molding it; heating it to 350deg.C to remove water and binder; heating it to 1000-1400deg.C and holing for 4hrs.; sintering it at 1900-2100deg.C for 2-4hrs. under the pressure of 20-3000atm, N2 gas.
Abstract translation: 目的：提供使用聚合物代替SiC粉末的Si3N4 / SiC超细复合材料的制备方法，其特征在于超细SiC在Si3N4基体上均匀分散。 因此，与常规的Si 3 N 4 / SiC复合材料相比，所得的复合材料具有大大降低的附聚和缺陷。 构成：通过以下步骤制备Si3N4 / SiC超细复合材料：将Si 3 N 4与烧结助剂混合，分别为1-4重量％的Al 2 O 3，3-8重量％的Y 2 O 3，1-3重量％的MgO，并干燥混合物 ; 添加用于形成热分解的聚合物C，无机或有机粘合剂和水作为糊料，其中聚合物为聚苯乙烯，酚醛树脂或聚丙烯，无机粘合剂为粘土，有机粘合剂为乙酸乙烯酯，甲基纤维素或聚乙二醇; 注塑或挤出成型; 加热至350℃以除去水和粘合剂; 加热至1000-1400℃，打孔4小时。 在1900-2100℃烧结2-4小时。 在20-3000atm的压力下，N2气。
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公开(公告)号：KR1019970015467A
公开(公告)日：1997-04-28
申请号：KR1019970001374
申请日：1997-01-18
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C02F1/28
Abstract: 본 발명은 필터를 세척하는 제트 분사 시스템을 갖는 정수 장치에 관한 것으로, 노즐형 분사구(1a, 1b)를 통해서 수도관에 연결되고 하부면 중앙부에 정수된 물이 배출되는 배출구(2a)가 형성되고 주연 방향 하단에 필터 세척시의 물이 배출되는 배출구(11a)가 형성된 정수통(2)과, 이 정수통(2) 내의 물을 정수하여 정수통의 배출구(2a)를 통해서 배출하도록 배치된 세라믹 튜브(3)와, 밸브(6d) 및 적절한 관을 통해서 정수통(2)에 연결되고 주연 방향 하단에 배출구(11b)를 갖춘 저장통(4)을 포함한다. 또한, 역세척 제트 분사 시스템을 갖는장치는 상기 구성에 더하여, 수돗물이 유입되도록 밸브(6a)를 거쳐 수도관에 연결되고 주연 방향 하단부에배출구(11c)를 갖춘 역세척통(5)과, 이 역세척통(5) 안에 들어 있고 밸브(6d) 및 적절한 관을 통해서 정수통의배출구(2a)에 연통된 수축 및 확장가능한 백(8)을 포함한다. 이로써, 수돗물만에 의한 낮은 수압으로도 필터를 역세척할 수 있게 된다.
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公开(公告)号：KR1019960010535A
公开(公告)日：1996-04-20
申请号：KR1019940024972
申请日：1994-09-30
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C02F1/28
Abstract: 본 발명은 필터를 사용한 정수 장치에 관한 것으로, 특히 수도압을 이용하여 정수 효율을 높히고, 역세척으로 필터를 재생할 수 있는 정수 장치에 관한 것이다.
이 정수 장치는 필터(2)가 내장된 정수조(3)과, 필터(2)에 의해 정수된 물을 저장하기 위한 저수조(4)와, 필터(2)의 내부와 연통 가능하게 설치되고 필터(2)를 역세척하기 위해 정수된 물의 일부를 저장하기 위한 역세척 수조(5)를 포함한다. 정수조(3)은 수도원에 직접 연결되고 역세척시 역세척 수조(5)로부터 필터(2)를 역류한 역세척수를 배출하기 위한 역세척수 배출구(12)를 구비한다. 역세척 수조(5)는 수도원에 직접 연결된 외부 하우징(18)과, 이 하우징(18) 내부에 설치되고 필터(2)의 내부와 연통되는 고무 주머니(19)를 포함한다.
본 발명은 별도의 동력원을 필요로 하지 않으면서 정수 효율을 효과적으로 높일 수 있을 뿐 아니라, 그 구성 및 작동이 매우 간편하다. 가정용 및 사무실, 호텔 등 대형 요식 업소에도 사용할 수 있다.
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