公开(公告)号：KR101767257B1

公开(公告)日：2017-08-10

申请号：KR1020160073910

申请日：2016-06-14

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 이병철 ,  황교선 ,  강지윤 ,  김진식 ,  정승근

IPC: G01N27/414 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  G01N33/543

CPC classification number: G01N27/4145 ,  G01N33/54373 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/7849

Abstract: 본발명은멤브레인구조의 FET 타입소자및 그제조방법에관한것으로, 반도체기판상에정의되는채널영역을사이에두고소스영역과드레인영역에각각분리배치된소스전극과드레인전극, 채널영역의전면과소스전극및 드레인전극의사이영역에진공갭(Gap)이형성되도록상기의진공갭을덮어형성된멤브레인층; 및채널영역과대응되는멤브레인층의전면적어도일부영역을덮도록구성된게이트전극을포함하는바, 채널영역상에진공갭이형성된멤브레인구조로 FET 타입의소자를구성함으로써검출정확성과신뢰도를높이고, 압력센서, 가스센서, 초음파트렌스듀서, 촉각센서, 지문센서, 플래시(flash) 메모리및 바이오센서등으로다양하게활용될수 있도록하는효과가있다.